【課題】減圧雰囲気下で基板を予備加熱する際に、予備加熱時間の短縮を可能にして省電力化及び置換ガスの費消の低減ができるインライン式プラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】外部に基板トレー５の搬入部及び搬出部並びに内部に所定容積の空間部を有し密閉された密閉室からなる予備加熱室２及び成膜室３がこの順に連設されて、基板トレー５に基板Ｗが収容されて、基板トレー５が予備加熱室２及び成膜室３へ連続して搬入及び搬出されて処理されるインライン式プラズマＣＶＤ装置１であって、予備加熱室２は、予備加熱室２の床面側に上下動可能に配設された第１の加熱ヒータＨ１と、予備加熱室２の外側にあって第１の加熱ヒータＨ１に連結されて加熱ヒータＨ１を基板トレー５に接触させると共に基板トレー５を昇降させる昇降機構Ｅ１と、この昇降機構Ｅ１を制御する制御手段Ｃとを有し、予備加熱室２は減圧装置Ｐ１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】汚染物質などの再付着を防止するとともに、洗浄処理効果を高めることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】所定の間隔をあけて立設されて対向する一対の第１、第２の立設壁の隙間に、被処理基板を１枚ごと立設させて収容するとともに処理液を供給して、該被処理基板の表面処理を行う処理槽を備え、第１、第２の立設壁２ｂ、３は、対向する少なくともいずれか一方の内壁面に第１の流体制御手段を設けて、この第１の流体制御手段は、この流体制御手段を設けた内壁面側と被処理基板Ｗの基板面側との間で処理液の流れを変化させるディンプルａ_１〜ａ_ｎで形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用するとともに短時間で均一な被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液は、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方と界面活性剤を含み、平均粒径が１００μｍより大きい金属粉末を金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させたものを、超臨界状態又は亜臨界状態で無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を発生させることなく短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１００μｍより大きいものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】金属基体の表面に電気めっきする際に、金属基体の溶解を防止して極めて薄い金属基体であっても正常に電気めっきできるようにした電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体の表面に電気めっきする際に、電気めっき液は、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方と界面活性剤を含み、平均粒径が１００μmより大きい金属粉末を金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させたものを、超臨界状態又は亜臨界状態で電気めっきを行う。そうすると、電気めっき液中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象の発生を防止し短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。本発明の電気めっき方法は、金属基体が基板上に設けられた絶縁膜の表面に形成された金属薄膜からなる場合であっても、前記金属が銅、亜鉛、鉄、ニッケル、コバルトの場合であっても適用可能である。 （もっと読む）

【課題】広い面積に亘って均一なメッキ被膜が高速で得られる被処理物の表面処理方法及び表面処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の被処理物の表面処理装置１０は、被処理物２０の固定手段を兼ねる通電部材１９_１及び対極２１と、外部接続用の少なくとも一対の配管２２、２３と、を備えた耐圧密閉型の電気メッキ槽１１と、前記一対の配管２２、２３の少なくとも一方に接続され、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、電気メッキ液及び界面活性剤を含む表面処理流体を超臨界流体ないし亜臨界流体として供給する表面処理流体供給手段１２と、を備えた被処理物の表面処理装置において、少なくとも前記被処理物の固定手段を兼ねる通電部材１９_１はシール部材１８を介して回転運動ないし往復運動可能に前記電気メッキ槽１１に取り付けられていることを特徴とする。対極２１の通電部材１９_２を回転運動ないし往復運動できるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】強度が大きく均一なプラズマを大容積のプラズマ生成室内に生成させてプラズマ処理室内に供給することができる表面波励起プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明の表面波励起プラズマ処理装置１０Ａのプラズマ生成室１１は、誘電体枠１３が、方形状の上部平面１３ａと、上部平面１３ａの両端部に垂下するように形成された第１及び第２の側面１３ｂ、１３ｃと、第１及び第２の側面１３ｂ、１３ｃのそれぞれの下端側に前記上部平面１３ａと平行に形成された下部平面１３ｄを備え、下部平面１３ｄには中央部に前記プラズマ処理室へ通じる開口１７が形成されており、誘電体枠１３の上部平面１３ａ上には第１及び第２の側面１３ｂ及び１３ｃと平行に第１の導波管１５ａが配置されていると共に、第１及び第２の側面１３ｂ及び１３ｃにもそれぞれ第２及び第３の導波管１５ｂ、１５ｃが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハＷの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド７とを備えており、処理ヘッド７は、一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの一端を連結する連結部８Ｃとからなり、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと連結部８Ｃとで囲まれた部分が溝（Ｓ）を形成し、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの他端間がウェーハＷの周縁部の一部が挿入される開口９Ａを形成し、さらに、供給口１０Ａ及び吸引口１１Ａを設けて、溝内にウェーハＷの周縁部を挿入して処理する基板処理装置１において、処理ヘッド７は、処理液供給装置１５Ａに連結した供給口１０ＡをウェーハＷの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置１５Ｂに連結した吸引口１１ＡをウェーハＷの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を回転させながら保持する基板保持機構と、基板保持機構に保持された被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッドと、を備え、溝内に被処理基板の周縁部を挿入して処理する基板処理装置において、処理ヘッドは、所定の隙間をあけて対向する一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと該第１、第２鍔辺部の一端を連結する奥壁部８Ｃと処理液を供給する処理液供給手段に連結された第１、第２供給口１３Ａ、１４Ａと減圧吸引手段に連結された吸引口１１Ａとを備え、第１供給口及び吸引口は溝内に設けられ、第２供給口は第１、第２鍔辺部の少なくとも一方の鍔辺の開口９Ａ近傍に設けられている。 （もっと読む）