多層半導体装置は、ウェハーボンディングを介して移行させた単結晶膜の電気的特性を有する多結晶基板の良好な熱的及び電気的特性を利用している。装置構造は、研磨された多結晶、例えば炭化シリコン基板を含む。シリコンの平坦化層が表面に形成され、続いて化学的機械研磨される。次いで、基板は、バルクリシコンウェハー又はsilicon-on-insulator（ＳＯＩ）ウェハーに結合される。シリコン（ＳＯＩ)ウェハーは所望厚さに薄肉化される。 （もっと読む）

高速シリコンＣＭＯＳ回路及び高電力ＡｌＧａＮ／ＧａＮ増幅器が、同じウェハー上に集積される。高抵抗シリコンの薄層が、基板上に結合される。ボンディングに続いて、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ構造を結合したシリコン層上に成長させる。次いで、窒化シリコン又は酸化シリコン層をＡｌＧａＮ／ＧａＮ構造上に堆積させる。これに続いて、シリコンの薄層を窒化シリコン／酸化シリコン層に結合させる。ＡｌＧａＮ／ＧａＮ装置の形成領域が規定され、シリコンがこれらの領域から離れてエッチングされる。これに続いて、ＣＭＯＳ装置がシリコン層上に形成され、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ装置がＡｌＧａＮ／ＧａＮ表面上に形成される。 （もっと読む）