説明

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドにより出願された特許

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本発明の1態様は、プロセスツール最適化システムである。(a)ライン末端歩留まりデータを解析し、低歩留まりと関連する1つ又はそれ以上のプロセスツールを識別し、(b)解析からの出力に応答して、1つ又はそれ以上のプロセスツールからのプロセスツールデータを解析し、低歩留まりと関連する1つ又はそれ以上のプロセスツールパラメータを識別するデータマイニングエンジンを含む。
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基板処理チャンバは、チャンバ内部に露出された表面を有する要素を含む。この露出した表面は、互いに離間した窪みのパターンを有し、各窪みは、開口、側壁、及び底壁を有する。これらの窪みは、構造物の或る位置にある一部を気化するのに充分長い時間、構造物の表面上のその位置にパルス化したレーザビームを指向することによって形成される。また、要素は、エンクロージャへプラズマが入るのを減少するために、異なる直径を有する第1と第2の開口を有する、レーザで孔のあけられた、複数のガスの出口のあるエンクロージャを有するガス分配器であることができる。また、レーザで孔のあけられたガスの出口は、丸められたエッジを有することができる。
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半導体を処理するためのプラズマリアクタは、チャンバ壁を有し、半導体ワークピースを支持するワークピース支持体を含むリアクタチャンバと、前記ワークピース支持体上にあり、前記チャンバ壁の一部を有するオーバヘッド電極と、RF電力発生器の周波数で電力を前記オーバヘッド電極に供給し、所望のプラズマイオン密度レベルで前記チャンバ内にプラズマを維持することができるRF電力発生器とを有する。オーバヘッド電極は、オーバヘッド電極と所望のプラズマイオン密度でチャンバ内に形成されたプラズマが電極−プラズマ共振周波数で共に共振ような容量を有し、前記発生器の周波数は、前記電極−プラズマ共振周波数の少なくとも近くにある。このリアクタは、更に、ワークピース支持体に面したオーバヘッド電極の表面上に形成された絶縁層、RF電力発生器とオーバヘッド電極間の容量性絶縁層、及びワークピース支持体から離れて面しているオーバヘッド電極の表面上にあって、接触している金属フォーム層を含む。
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半導体ワークピースを処理するためのプラズマリアクタは、チャンバ壁を有し、半導体を支持するワークピース支持体を含むリアクタチャンバ、チャンバ壁の一部を有する電極、オーバヘッド電極に発生器の周波数で電力を供給し、所望のプラズマイオン密度のレベルでチャンバ内にプラズマを維持することができるRF電力発生器を有する。オーバヘッド電極と所望のプラズマイオン密度でチャンバ内に形成されたプラズマは、共に電極−プラズマ共振周波数で共振し、発生器の周波数は、電極−プラズマ共振周波数の少なくとも近くである。リアクタは、更に、プラズマの密度分布の均一性を向上するために、プラズマを掻き回す円形磁界を改善するために、ゆっくりした回転磁界を生成する、ウエハ表面上のプラズマ生成領域の周りにMERIE磁石の組を有する。
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本方法及び装置は、化学式Cabを有する第1のガス及び化学式Cxyzを有する第2のガスの混合物(ただし、a/b≧2/3、x/z≧1/2である)に基づくプラズマの使用を通して半導体及び誘電体基板をエッチングするために提供される。この混合物は、磁気的に増強された反応性イオンチャンバ内に維持された低または中密度プラズマにおいて用いられ、優れたコーナー層の選択性、ホトレジストの選択性、下層の選択性及びプロファイルと底部のCD制御を示すプロセスを提供する。第1と第2のガスのパーセンテージは、ドープされない酸化物膜をエッチングするプラズマまたはこのような膜上でエッチング停止を与えるために、エッチング中に変えることができる。
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【課題】 バイアスされた基板支持体上に取りつけられたクランプされた基板の温度を制御する方法を提供する。
【解決手段】 基板支持体は、基板を加熱または冷却するための裏側ガスの流れを可能にする通路を有し、それによって、裏側ガスの圧力が少なくとも15トルに維持される。高いガス圧が基板を横切って処理の厚さの均一性を改善する。スパッタされたシード層のプラズマ堆積のために、シード層の形状は、基板のエッジ近くで改善され、基板を横切る層の均一性も改善される。 (もっと読む)


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