【課題】神経伝達物質シグナル伝達の分野に関し、より具体的には、蛍光共鳴エネルギー移動(FRET)を用いて神経伝達物質レベルの変化を測定および検出するためのバイオセンサーおよび方法の提供。
【解決手段】神経伝達物質バイオセンサーが開示され、神経伝達物質に結合した際に蛍光共鳴エネルギー移動の検出および測定を可能にするドナーおよび蛍光部分に結合した神経伝達物質結合ドメインを含むYbeJに基づくグルタミン酸結合バイオセンサーが含まれる。かかるバイオセンサーは、インビボおよび培養中の神経伝達物質濃度の検出に有用である。ここで、ドナー部分が励起され、グルタミン酸がグルタミン酸結合タンパク質部分に結合すると、ドナー部分とアクセプター部分との間の蛍光共鳴エネルギー移動(FRET)が変化する。 （もっと読む）

ＳＷＥＥＴ、ＧＬＵＥまたはＧｌｕｅと称するトランスポータータンパク質の新規クラスを開示する。これらのトランスポーターは、細胞内および細胞の内と外の間で膜を通過する糖輸送の新規システムを提供する。かかるトランスポーターは、生物の特定の臓器および細胞の特定の細胞小器官内の糖濃度を理解し、変化するために有用である。これらのトランスポーターはまた、病原体侵襲からの植物の保護にも有用である。 （もっと読む）

水素、炭素源及び酸素源を含む雰囲気中で、基板上でのダイヤモンドの堆積を起こすために十分な圧力及び温度において基板を提供し、マイクロ波プラズマ球を設定することを含む、マイクロ波プラズマ支援化学気相堆積によりダイヤモンドを製造する方法であって、ダイヤモンドを４００ｔｏｒｒ超の圧力下で少なくとも２００μｍ／時間の成長速度において実質的に窒素を含まない、又は少量の窒素を含む雰囲気から堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】水素貯蔵のための方法を提供すること。
【解決手段】その方法は、封じ込め体積に水及び水素ガスを供給すること、水及び水素ガスの温度を下げて第１の低温及び第１の圧力で水素クラスレートを形成すること、並びに２５０Ｋ以下の温度範囲内の第２の低温で水素クラスレートを維持して水素貯蔵を行うことが含まれる。低圧水素ハイドレートには、Ｈ_２Ｏ分子、Ｈ_２分子、及びＨ_２分子の周りに構築されたＨ_２Ｏ分子の水素結合フレーム構造の多面体ケージを含む単位格子が含まれる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約２２ＭＰａ ｍ^１／２の靭性を有する単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドに関する。本発明はさらに、単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明のダイヤモンドの成長速度は約２０μｍ／ｈ〜１００μｍ／ｈであり得る。 （もっと読む）

【課題】転写活性を有する染色体（即ち、ランプブラシ染色体）を、凝集クロマチンまたは核から誘導する方法を開示する。
【解決手段】凝集染色体を胚胞内容物と接触させる。好ましくは、核のエンベロープが破壊されるか除去される。異なる種の生体に由来する、異種の染色体及び胚胞系が好ましい。これはランプブラシ染色体を持たない、または他の技術で操作できない生体を分析することができるからである。このようなランプブラシ染色体は物質に結合させることができ、そして種々の分子的及び細胞学的技術、例えば染色体タンパク質の抗体染色、オートラジオグラフィー、電子及び光学顕微鏡、組織化学、イメージ分析、免疫蛍光、核酸のイン・サイツ（in situ）ハイブリダイゼーション、形態学などによって分析される。 （もっと読む）

本発明は、低圧においてダイヤモンドの光学的性質を改善する方法に関し、特に、ＣＶＤダイヤモンドを成長させるステップと、ダイヤモンド安定領域外の約１〜約７６０ｔｏｒｒの圧力において還元雰囲気中、約５秒〜約３時間の時間の間、ＣＶＤダイヤモンドの温度を約１４００℃〜約２２００℃に上昇させるステップとを含む所望の光学的品質のＣＶＤダイヤモンドの製造方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、代謝産物濃度を検出し監視するための方法であって、リガンド結合時の蛍光共鳴エネルギー移動の検出および測定を含む方法を提供する。本発明の方法は、生細胞培養物における代謝産物レベルの変化のリアルタイム監視に役立つ。
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この発明は、極性絶縁体である、一般式ＡＢＯ_２Ｎの部分的に規則正しい且つ規則正しいオキシ窒化灰チタン石に関する。Ａは灰チタン石型構造においてのＡ−位置から由来する位置に存在する１種以上の陽イオン、又は複数の陽イオンのセットを含む。Ｂは灰チタン石型構造においてのＢ−位置から由来する位置に存在する１種以上の陽イオン、又は複数の陽イオンのセットを含む。Ｃは随意的に幾らかの窒素、Ｎと共に酸素、Ｏを含み、そしてＤは随意的に幾らかのＯと共にＮを含む。陽イオンＡ＋Ｂの合計原子価は陰イオン２Ｃ＋Ｄの合計原子価に等しい。また、そのようなオキシ窒化灰チタン石を製造する方法、及びそのようなオキシ窒化灰チタン石の用途が開示される。
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ダイヤモンド成長表面の温度が９００〜１，４００℃の範囲であり、かつこのダイヤモンドがヒートシンクに取り付けられた方法により製造された単結晶ＣＶＤダイヤモンド。ダイヤモンドの成長は、単位Ｈ₂当たりＣＨ₄が８％超の、１５０トル超の雰囲気の成膜チャンバー内でマイクロ波プラズマＣＶＤ法により行われる。このダイヤモンドは、レーザー用ヒートシンクとして使用できる。周波数変換器として、単結晶ダイヤモンドを含むラマンレーザー変換器用χ⁽³⁾非線形結晶質としての別の用途がある。
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