説明

アリオス株式会社により出願された特許

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【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法(CVD)を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 対象となる金属を効率的に回収するとともに、材料密度が高い状態で対象金属を回収可能とする。
【解決手段】 液体中にプラズマを発生させる工程と、レアメタル又は貴金属を含む材料を液体に投入する工程と、材料がプラズマの照射を受けて分解し、粒子化して、液体中に沈殿する工程と、沈殿したレアメタル又は貴金属のナノ粒子を回収する工程とを有した。 (もっと読む)


【課題】 装置の低コスト化及び小型化を実現するとともに、不純物の混入がない高品質の金属ナノ粒子及び金属担持物を生成でき、かつ、この生成を、高速で、短時間に、十分な量で得ることができる。
【解決手段】 溶液に所定の処理を行って金属ナノ粒子又は金属担持物を生成する液中プラズマ処理装置1であって、溶液が収められた容器30と、マイクロ波を出力するマイクロ波発振器10と、マイクロ波を溶液に与えて該溶液内にプラズマを励起させる電極42とを備え、この電極42が、プラズマの励起によりナノ粒子となる金属で形成された。 (もっと読む)


【課題】 低コストで小型の装置により、不純物の混入がない高品質の金属担持物を、高速で、短時間に、十分な量で得ることができる。
【解決手段】 溶液に所定の処理を行って金属担持物を生成する金属担持物製造装置1であって、溶液が収められた容器30と、マイクロ波を出力するマイクロ波発振器10と、マイクロ波を溶液に与えて該溶液内にプラズマを励起させる電極42とを備え、溶液は、担体が分散されているとともに、金属イオンが投与された溶液である。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板の全表面にわたって均一な厚みを有しかつ品質の安定したSi34へテロエピタキシャルバッファ層を容易にかつ安価に作製する作成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のRF(高周波)高輝度(HB)放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりSi34単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 (もっと読む)


【課題】 電解質や添加物を加えることなく、簡易な構成の装置を用いて、短時間で、精製水、アルカリ性水、又は各種水溶液から酸性水を製造する。
【解決手段】 液体を容器に収め、電極に電磁波を供給し、電極のうち液体に接した部分でプラズマを発生させ、該液体を励起させて、酸性水を製造する酸性水製造方法。液体が収められた容器と、液体に接する位置に配置された電極と、この電極に電磁波を供給する電磁波供給路とを備え、電極のうち液体に接した部分にプラズマを発生させて酸性水を製造する酸性水製造装置。 (もっと読む)


【課題】 封止部材の熱による破壊を防止して、液中プラズマ源の長寿命化を可能とする。
【解決手段】 プラズマの励起により溶液中にナノ粒子を生成するナノ粒子製造装置1であって、溶液が収められた容器30と、マイクロ波を溶液に与える電極42とを備え、容器30の側面32であって溶液の水面よりも下方に、電極42を通す孔43−7を有し、電極42と孔43−7との間に、封止部材44を配置し、この封止部材44の溶液側に、絶縁部材45を配置した。 (もっと読む)


【課題】 種々の溶媒、特に無極性溶媒のスーパーヒーティングを実現して、化学反応をさらに促進させる。
【解決手段】 被処理物にマイクロ波を照射して化学反応を促進する化学反応促進方法であって、マイクロ波発振器10が2.45GHzを超過する周波数(特に5.8GHz)のマイクロ波を出力し、マイクロ波照射器30がそのマイクロ波を被処理物に照射する。 (もっと読む)


【課題】高周波プラズマ発生セルから放出されるHB(High brightness)放電プラズマフラックスに含まれる電気的に中性な励起原子、基底原子および励起分子を含む活性種量を、電流をもって直接的に検出し、該検出電流値に基づき活性種フラックス量を算定する、高精度でかつ製造コストの安価な原子フラックス測定装置を提供すること。
【解決手段】 直流電源により予め定めた負電位にバイアスされた原子プローブ電極の前方に配置した荷電粒子排除器により高周波プラズマ発生セルから放出されるHB放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる荷電粒子を排除して上記原子プローブ電極に活性種フラックスを導入し、該原子プローブ電極における上記活性種の電離に応じて上記第1電流検出器により検出される電流値に基づき演算手段によりHB放電プラズマに含まれる活性種フラックスに含まれる原子フラックス量を算定する。 (もっと読む)


【課題】III族窒素化合物膜の平坦性及び成膜速度を有効に高めることができるとともに結晶性が良好である立方晶または六方晶窒素化合物半導体膜を安定して容易にかつ安価に製造することができる活性度制御式窒素化合物MBE成膜方法及び装置を提供すること。
【解決手段】第1分子線セルから第1シャッターを介して基板への第1(III族)分子線の照射量を制御するとともに、第1シャッターの閉期間T2、LB励起状態からHB励起状態に切替えられた窒素励起セルから上記基板に向けて照射される窒素活性種のうち、生成膜の窒素化合物の化学結合に直接的に関与する励起窒素原子および基底窒素原子の照射量を制御しながら上記基板に付与されたIII族分子と共有結合させる。 (もっと読む)


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