【課題】貫通電極に、加工性と機能性の双方を高めた絶縁リングを設ける。
【解決手段】ドライエッチングにより形成された絶縁リング用環状溝ＣＧａ，ＣＧｂには絶縁物質が充填され、単独絶縁リング６２ａ，６２ｂが形成されている。また、ドライエッチングにより形成されたＴＳＶ用貫通孔ＴＨａ，ＴＨｂの側壁は、絶縁膜で覆われ、ＴＳＶ側壁絶縁リング６１ａ，６１ｂが形成されている。また、ＴＳＶ用貫通孔ＴＨａ，ＴＨｂの残りの部分には、シード／バリア層７１を介して、例えば銅のような誘電体が充填されており、それによりＴＳＶ７が形成されている。ＴＳＶ側壁絶縁リング６１の厚さは、絶縁リング用環状溝ＣＧの幅、言い換えれば、単独絶縁リング６２の厚さの約半分である。従って、ＴＳＶ側壁絶縁リング６１の厚さは、ＴＳＶ側壁絶縁リングを単独で設けた場合のその厚さの３分の１程度にすることができる。 （もっと読む）

【課題】オーバーハング部を持つ２段以上の積層構造であっても、オーバーハング部の支持を確実にできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の第１電極パッド１１が配置された第１半導体チップ１０を配線基板５０上に搭載する工程と、複数の第２電極パッド２１が配置された第２半導体チップ２０を、第１半導体チップの短辺に対し第２半導体チップの短辺が直角に位置し、配線基板と第２半導体チップの短辺との間に隙間を形成するべく、第１半導体チップ上に積層する工程と、隙間に、第２半導体チップの長辺側から第２半導体チップの短辺と平行な方向に向かって第１アンダーフィル２３を充填する工程と、第１電極パッドと配線基板に形成された接続パッド５１とを第１ワイヤ６１で電気的に接続する工程と、第１アンダーフィルを充填する工程後、第２電極パッドと接続パッドとを第２ワイヤ６１で電気的に接続する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ワード線の選択回路のサイズを縮小することにより、半導体装置のサイズを縮小する。
【解決手段】メインワード線は、複数のグループに分類され、メインワードドライバはアドレス情報にしたがってメインワード線を選択する。４本のメインワード線ＭＷＬ０〜ＭＷＬ３から構成される１つのグループが、１つのレベルシフタ１１８を共有する。アドレス情報は、グループ選択のための第１アドレスとメインワード線選択のための第２アドレスを含む。メインワードドライバは、第１アドレスにしたがって、第１グループ選択回路や第２グループ選択回路１２８ａを選択し、選択された第２グループ選択回路１２８ａのレベルシフタ１１８は活性電位（ローレベル）を出力する。そして、選択された第２グループ選択回路１２８ａに所属する複数のメインワード線ＭＷＬ０〜ＭＷＬ３のうちの１本が第２アドレスＡ３，Ａ４により選択される。 （もっと読む）

【課題】Load Reduced型のメモリモジュールにおいてメモリデバイスの搭載位置によるデータのスキューを低減する。
【解決手段】データコネクタを有するモジュール基板１１０と、複数のメモリデバイス２０１〜２３６と、データコネクタとメモリデバイスとの間に接続されたデータレジスタバッファ３０１〜３０９とを備える。モジュール基板１１０は、メモリデバイスが搭載されたメモリ搭載領域Ａ１，Ａ２と、平面視でメモリ搭載領域Ａ１，Ａ２に挟まれた位置に定義され、データレジスタバッファが搭載されたレジスタ搭載領域Ｂとを有する。各メモリデバイスとデータレジスタバッファとの配線距離がほぼ均一になるため、メモリデバイスの搭載位置によるデータのスキューが低減される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貫通電極のサイズ（直径）が縮小化された場合でも、４端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１０１及び回路素子層１０２を有する半導体チップ本体５５と、半導体チップ本体５５を貫通する第１乃至第４の貫通電極６１〜６４と、回路素子層１０２に設けられた回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第２の貫通電極６２とを電気的に接続する第１の導電経路９６と、回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第３の貫通電極６３とを電気的に接続する第２の導電経路９７と、回路素子を介することなく、第２の貫通電極６２と第４の貫通電極６４とを電気的に接続する第３の導電経路９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動作テストのスループットを向上させる。
【解決手段】判定回路１１２は、２つのメモリバンクＢＡＮＫ（Ａ）、ＢＡＮＫ（Ｅ）から読み出される計１６ビットのテストデータを検査する。検査対象となる１６ビットのメモリセルＭＣにはすべて「Ｈ」の書き込みが実行されており、いずれのメモリセルＭＣに異常がなければそのまま「Ｈ」が読み出される。判定回路１１２は、メモリバンクＢＡＮＫ（Ａ）のテストデータ同士を比較する第１検出回路１２４とメモリバンクＢＡＮＫ（Ｅ）のテストデータ同士を比較する第２検出回路１２６に加えて、更に、メモリバンクＢＡＮＫ（Ａ）のテストデータとメモリバンクＢＡＮＫ（Ｅ）のテストデータを比較する第３検出回路１２８を備える。 （もっと読む）

【課題】Registered型のメモリモジュールにおいてメモリチップに供給するコマンドアドレス信号の信号品質を向上させる。
【解決手段】コマンドアドレス信号ＣＡが供給されるコマンドアドレスコネクタ１２１を有するモジュール基板５１０と、メモリデバイス２０１〜２７２と、コマンドアドレスレジスタバッファ４０１，４０２とを備える。コマンドアドレスレジスタバッファ４０１は、メモリデバイス２０１〜２３６にコマンドアドレス信号ＣＡを供給し、コマンドアドレスレジスタバッファ４０２は、メモリデバイス２３７〜２７２にコマンドアドレス信号ＣＡを供給する。本発明によれば、複数のコマンドアドレスレジスタバッファを用いていることから、メモリチップの数が多い場合であってもモジュール基板上における配線負荷が低減され、その結果、メモリチップに供給するコマンドアドレス信号の信号品質が向上する。 （もっと読む）