説明

トーソー エスエムディー,インク.により出願された特許

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アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッターターゲットと当該ターゲットを製造する方法を提供する。純アルミニウムまたはアルミニウム合金を機械的に加工して円形ブランクとしてから、当該ブランクに再結晶熱処理を加えて、必要な結晶粒径と結晶集合組織とを実現する。この熱処理ステップ後に当該ブランクに10〜50%の追加ひずみを与えて、機械的強度を増大させる。さらに、当該ターゲットのフランジ領域においては、ひずみは他のターゲット領域におけるよりも大きく、当該フランジ領域に約20〜60%の割合のひずみが与えられる。次に、当該ブランクを仕上げ加工して、必要な結晶集合組織と十分な機械的強度とを有するスパッタリングターゲットとする。 (もっと読む)


bcc金属またはbcc金属合金からスパッターターゲットを製造する方法。当該インゴットは、電子ビーム溶解され、真空アーク再溶解される。次に、当該インゴットを三軸鍛造し、当該三軸鍛造ステップ中、当該インゴットの中心線が当該インゴットの中心に保たれる。次に、当該インゴットを真空焼鈍して、クロックローリングする。このクロックローリング中、当該インゴットの中心線は、当該インゴットの中心に保たれ、かつ当該クロックローリング時に使用される圧縮力に垂直である。次に、クロックローリングされたインゴットは、真空焼鈍され、スパッターターゲットとしての使用のためのニアネットシェイプとされる。少なくとも99.5%の純度と約25 ppmよりも小の格子間不純物(CONH)濃度とを有するタンタルターゲット材料を開示する。本発明によるタンタルターゲットは、約50〜100μmの結晶粒径と厚さの中心に向かって割合に大きな%{111}勾配を有する{100}/{111}混合集合組織とを有する。 (もっと読む)


円形溝プレス加工によって金属ターゲットブランク(1)を製造する方法が、金属または合金ターゲットブランク(1)を第一の円形溝付きプレス加工ダイ・セット(20A、20B)内でプレスして第一の同心波形となるようにし、このときターゲットブランク(1)の元の直径が保たれるようにして、ターゲットブランク(1)内に同心円状のせん断変形部が形成されるようにすることを含む。次に、平坦ダイ・セット(30A、30B)によって当該同心波形ターゲット(1)ブランクに当該ターゲットブランクを実質的に平坦にするのに十分な力を加えて、当該ターゲットブランク(1)の元の直径を保ったまま、当該ターゲットブランク(1)を実質的に平坦な状態に戻す。当該ターゲットブランク(1)を第二の円形溝付きダイ・セット(40A、40B)内でプレスして第二の同心波形となるようにし、このとき当該ターゲットブランク(1)の元の直径が保たれるようにし、さらにこのとき、当該第二のダイ・セット(40A、40B)が当該第一のダイ・セット(20A、20B)の溝パターンからずれた溝パターンを有し、当該ターゲットブランクのそれ以前に変形されなかった領域に同心円状のせん断変形部が形成されるようにする。ふたたび、平坦ダイ・セット(30A、30B)によって当該同心波形ターゲットブランク(1)に当該ターゲットブランク(1)を実質的に平坦にするのに十分な力を加えて、当該ターゲットブランク(1)の元の直径を保ったまま、当該ターゲットブランクを実質的に平坦な状態に戻す。 (もっと読む)


ある厚さのスパッターターゲット表面変形層を除去するための方法を提案する。この方法により、スパッタリング作業時のバーンイン時間の短縮が実現される。この方法は、粘弾性研磨媒体による、ターゲット表面の押出しホーンポリッシングから成る。 (もっと読む)


バッキングプレートに接合されたスパッタリングターゲットアセンブリを製造する方法。この方法は、ターゲット(100)を高強度バッキングプレート(110)に接合し、さらに、摩擦攪拌溶接法により、前記ターゲットと前記バッキングプレートとの間に真空シールを形成させることを含む。 (もっと読む)


本発明は、一般に、Cuと、Al、Ag、Co、Cr、Ir、Fe、Mo、Ti、Pd、Ru、Ta、Sc、Hf、Zr、V、Nb、Y、および希土類金属から成るグループから選択される合計で0.001〜10 wt%の一つ以上の合金元素とから成るスパッタリングターゲットを提供する。0.5wt% Alを含む代表的な銅スパッタリングターゲットは、非常に小さな結晶粒径、高い熱安定性および大きなエレクトロマイグレーション抵抗を有しており、必要な薄膜均一性、エレクトロマイグレーションと酸化に対する大きな抵抗、および誘電体中間層への大きな付着力を有する薄膜を形成させることができる。12 ppmのAgを含む代表的な銅スパッタリングターゲットは、非常に小さな結晶粒径を有する。また、本発明は、銅スパッタリングターゲットを製造する方法をも提供する。 (もっと読む)


ターゲットと支持板とから成るアセンブリとその製造方法。前記支持板は45% IACS以下の導電率を有する材料で作られ、該材料は、Al合金、Cu合金、マグネシウム、マグネシウム合金、モリブデン、モリブデン合金、亜鉛、亜鉛合金、ニッケル、およびニッケル合金から成るグループから選択される。 (もっと読む)


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