基板にドーピングを行う改善方法を開示する。本方法は、相互嵌合バックコンタクト型（ＩＢＣ）太陽電池の生成に、特に、有益である。第１の導電型のドーパントを有するペーストを基板の表面に塗布する。このペーストは、後のイオン注入ステップ用のマスクとしての機能を果し、反対導電型を有するドーパントのイオンを、基板の露出部分に導入することを可能にする。イオンを注入した後に、マスクを除去することができ、ドーパントを活性化させることができる。アルミニウム主成分のペースト及びリン主成分のペーストを用いる方法を開示する。
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イオンビームの偏向、減速及び集束を制御する方法及び装置を開示する。装置は、イオンビームの両側に配置した複数の上部及び下部電極の他に電極に印加した電圧を調整する制御システムも含むグレーデッド形偏向／減速レンズを備えることができる。上部及び下部電極の対の間の電位の差は、イオンビームの偏向及び減速を独立に制御することが動作可能な１セットの「仮想ノブ」を用いて変動させる。仮想ノブは、ビーム集束及び残留エネルギー汚染の制御、上流の電子抑制の制御、ビームの偏向の制御、及び、ビームの位置をレンズの出口に制約する間の、ビームの最終偏向角の微調整を含む。一実施形態では、ビームの位置をＶＥＥＦの出口に制約する間に、ビームの偏向の微調整により、これを行う。別の実施形態では、ウエハー平面でのビームの位置及び角度を測定する間に、ビームの偏向の微調整により、これを行う。さらなる実施形態では、ウエハー平面でビームを中心に置くために、偏向因子の調整により、これを行う。
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プラズマ処理装置は、ワークピースに注入されるイオンを含むプラズマをプラズマチャンバ内に発生させるように構成されたプラズマ源を備える。本装置は、開孔構成を有する集束プレートも含み、該開孔構成は、該集束プレート近傍のプラズマのプラズマシースの形状を変更するように構成されている。本装置はさらに、ワークピースにおける集束イオンの静止時注入領域が開孔よりも実質的に狭くなるように集束プレートから離間されたワークピースを収容するプロセスチャンバも備える。本装置は、イオン注入中にワークピースを走査することによりワークピース内に複数のパターン化エリアを形成するように構成される。 （もっと読む）

１つ以上の誘電体層の反射防止特性を向上させ、太陽電池の生成キャリアの表面再結合を低減させる方法を開示する。ある実施態様では、反射防止特性を向上させるため、ドーパントを誘電体層内に導入する。他の実施態様では、少数キャリアを表面から離して、コンタクトの方へとはね返す電界を生成するために、ドーパント種を誘電体層内に導入する。別の実施態様では、キャリアを太陽電池の表面からはね返す移動種を反射防止膜に導入する。太陽電池の表面にバリアを生成することにより、表面での望ましくない再結合を低減させることができる。
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ワークピースを、マトリクス構成での処理用のプロセスチャンバ内に装填するシステムが、複数のワークピースを直線様式で搬送するコンベヤを含む。ワークピース・ホテルが、複数のワークピースをコンベヤから受け入れるように構成されている。ワークピース・ホテルは、Ｎ列×Ｍフロアの形に配置されたマトリクスセルを具えている。ピックブレードが、ホテル内に挿入され、ホテルから引き戻されて、複数の基板を第１ホテル・フロアから取り外してピックブレードの単一行内に置き、この取り外し動作を反復して、ピックブレード上に配置された複数行から成るマトリクスを形成するように構成されている。一例では、ワークピース・ホテルが、各ホテル・セルの個別のアクセス性を提供する段違い構成を有する。 （もっと読む）

基板のパターン注入を行うためにマスクを動かす改善方法を開示する。マスクは複数のアパーチュアを有し、基板とイオン源との間に配置される。基板をイオンビームにさらした後、マスクは、基板に対し新たな位置にインデックスを付けられ、続いて注入工程が行われる。アパーチュアのサイズと形状、インデックス距離及び注入工程の数の選択により、様々な注入パターンを生成することができる。いくつかの実施態様では、注入パターンは、水平ストライプ間のより低濃度にドープした領域を有する高濃度にドープした水平ストライプを含む。いくつかの実施態様では、注入パターンは、高濃度ドープ領域の格子を含む。いくつかの実施態様では、注入パターンは、バスバー構造を用いて使用するのに適している。
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イオン注入機において、１つ以上の光学ヒーターを一対の支持アームの上方に配置する。支持アームは、プラテンの下に配置される係合位置と、プラテンから離れて垂直方向に変位され、かつ、プラテンの平面に対して平行な方向にプラテンから離れて回転された引っ込んだ位置とを有する。支持アームが引っ込んだ位置にある場合に、支持アーム上の不所望な物質を除去するために、１つ以上の光学ヒーターは、支持アーム上に配置された冷却パッドの表面に入射する光エネルギーを供給するように構成される。このように、光学ヒーターは、イオン注入機における極低温表面の再生サイクルの期間中に用いられる。
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基板のパターニング方法は、隣接するレジストフィーチャー間の第１ピッチと第１ギャップ幅により画定されるレジストフィーチャーの配列を設ける工程を具える。粒子がレジストフィーチャーの配列に取り込まれ、レジストフィーチャーの配列が硬化する。粒子の取り込みにより、レジストフィーチャーの限界寸法は減少してもよい。サイドウォールが硬化したレジストフィーチャーの側部に設けられる。サイドウォールが形成された後、硬化したレジストフィーチャーは除去され、基板に配置され、分離したサイドウォールの配列が残る。サイドウォールの配列はサイドウォールの下に配置された基板層のフィーチャーのダブルパターニングのためのマスクを設け、基板に形成されたフィーチャーの配列は第１ピッチの半分に相当する第２ピッチを有する。
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基板上に材料を堆積及び結晶化する方法が開示され、特定の実施態様において、その方法は、堆積され、吹きつけられる種及びエネルギー輸送種を有するプラズマの生成を含んでもよい。第一の期間の間、基板にバイアス電圧は印加されず、プラズマ堆積を通じて種が基板上に堆積する。第二の期間の間、基板に電圧が印加され、堆積した種に向かって及び内部にイオンが引き付けられ、それにより堆積した層が結晶化する。このプロセスを十分な厚みが得られるまで繰り返すことができ、他の実施態様では、バイアス電圧又はバイアスパルス継続時間を変更して、生ずる結晶化の量を変えることができる。他の実施態様において、ドーパントを用いて、堆積した層をドープしてもよい。
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改良した太陽電池製造方法は、イオン注入装置のイオンビームに対して固定したマスクを利用する。イオンビームをマスクの複数の穴を介して基板へ向ける。基板を第１走査速度で移動する際にイオン線量率で、また基板を第２走査速度で移動する際に第２イオン線量率で基板にあてられるように、基板を異なる速度で移動させる。走査速度を変更することによって、種々の線量率を対応する基板位置で基板に注入することができる。これは、イオン注入を用いて太陽電池の製造に有利な精密ドーピングプロフィールを提供することを可能にする。
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