説明

台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司により出願された特許

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【課題】裏面照射型イメージセンサチップの金属遮蔽層およびその製造方法を提供する。
【解決手段】前面側および裏面側を有する半導体基板26と、前記半導体基板26の表面に配置され、前記半導体基板26の裏面側より光信号62を受けるように構成され、前記光信号62を電子信号に変換する第1感光デバイス24Bと、前記半導体基板26の裏面側に配置され、窒素および金属の化合物を含む非晶質接着層50、および前記半導体基板の裏面側上に配置され、前記非晶質接着層50に接触する金属遮蔽層52を含む。 (もっと読む)


【課題】よりよい緩衝を半導体デバイスの金属化層に配置された誘電体層に提供する。
【解決手段】複数の誘電体層および導電層を含む基板、複数の導電層の最上層の1つと電気的に接続し、約15,000Åより大きい厚さを有する金属コンタクト、および金属コンタクトと電気的に接続したコネクタを含む半導体デバイス。 (もっと読む)


【課題】異なる色のLEDを複数使用した場合の経時劣化の差異の影響をなくし、さらに、光源からの投射光のライトパイプ内での全内反射の確保を可能にし、光変換効率の低下を回避したLCDバックライトディスプレイを提供する。
【解決手段】光源、ライトパイプ73及び光変換層60を備えている。光源は、アレイ状に配列されたそれぞれが励起波長を有する光を発する複数のLEDダイ71を含み、円錐状の角度内に光を発する。また光源は、LEDダイからの光をライトパイプの縁面へと反射する第1のリフレクタ72を備えており、そのサイズ及び断面形状が、ライトパイプの上面又は底面により最初に反射される光の全てが臨界角より大きい角度で反射されるよう選択されている。ライトパイプ73は、縁面を通る円錐状の角度内の光を受光し、所定の円錐状の角度内の光が上面から全反射されるように位置決めされている。 (もっと読む)


【課題】 光デバイスを提供する。
【解決手段】 基板と前記基板の上面に隣接した第1領域と、前記第1領域に隣接した第2領域と、前記第1と第2領域の間の活性領域を含む光ダイオードを有し、前記第2領域は、前記活性領域に隣接した表面を含み、前記表面は、前記基板の上面にほぼ平行し、且つ前記第2領域は、前記活性領域から間隔を開けられた少なくとも1つの欠陥トラッピング領域を含み、前記欠陥トラッピング領域は、前記基板の上面から延伸された表面を含む光デバイス。 (もっと読む)


【課題】裏面照射(BSI)型イメージセンサチップのパッド構造を提供する。
【解決手段】前面及び背面を含む半導体基板、前記半導体基板の前記前面に配置される低k誘電体層、前記低k誘電体層に配置される非低k誘電体層、前記非低k誘電体層に配置される金属パッド、前記半導体基板の背面から延伸し、前記半導体基板、前記低k誘電体層、及び低k誘電体層を貫通し、前記金属パッドの表面を露出する開口、及び前記開口の側壁及び底部上に形成され、前記開口の底部は、前記金属パッドの前記露出された表面を部分的に覆う保護層を含む集積回路構造。 (もっと読む)


【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 (もっと読む)


【課題】裏面照射センサーの共注入システムを提供する。
【解決手段】イメージセンシングシステムと方法が開示される。実施例は、画素領域を有する基板を含み、基板は表面と裏面を有する。共注入工程は、基板表面に沿って位置する感光素子の反対にある基板裏面に沿って実行される。共注入工程は、プレアモルファス領域を形成する第一プレアモルファス化注入工程を利用する。その後、ドーパントが注入され、プレアモルファス領域は、感光領域中のドーパントの拡散やテーリングを抑制または減少させる。反射防止層、カラーフィルターおよびマイクロレンズも、共注入領域上に形成される。 (もっと読む)


【課題】 インターポーザ試験構造と方法を提供する。
【解決手段】 具体例は、インターポーザを含む構造を開示する。インターポーザは、インターポーザの周辺に延伸する試験構造を有し、少なくとも一部の試験構造は、第一再配線素子中にある。第一再配線素子は、インターポーザの基板の第一表面上にある。試験構造は中間物で、少なくとも二個の探針パッドに電気的に結合される。 (もっと読む)


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