説明

アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッドにより出願された特許

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【課題】フォトレジスト除去速度を維持又は増進しながら、バッフルプレートの衝突部分、すなわち、中心部分で、温度を低下させるプラズマアッシング法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマアッシング法は、炭素、水素、あるいは炭素と水素との化合物からなる低k誘電体材料を含む基板から、フォトレジスト材料及びエッチング後の残留物を除去するためのプラズマアッシング法であって、基本的に無酸素及び無窒素のガス混合物からプラズマを形成し、バッフルプレートアッセンブリを介して前記基板上に前記プラズマを流し、フォトレジスト材料、エッチング後の残留物、及び揮発性の副生成物を前記基板から除去し、前記プラズマが形成されない操作の周期中に、前記バッフルプレート上に冷却ガスを流す、ことからなる。 (もっと読む)


【課題】メンテナンスの回数を少なくかつ故障を少なくした引出電極用マニピュレータを提供すること。
【解決手段】本発明の引出電極用マニピュレーター・システムは、同軸配置された支持管システムの内側支持管248によって支持される抑制電極210と、前記同軸配置された支持管システムの外側支持管246によって支持されている接地電極212と、前記同軸配置された支持管システムの遠方端に位置して、前記支持管システムを機械的に支持し、かつ高電圧真空フィードスルーとして作用する高電圧インシュレータリング211とを含む。この結果、絶縁スタンドオフとしての高電圧インシュレータリング211が、イオン源の近くから同軸配置された支持管システムの遠方端に位置するので、内側支持管を機械的に支持するとともに、高電圧フィードスルーとして作用し、インシュレータリング211の絶縁表面に蒸気が到達して汚染しかつ被覆する可能性を減少させることができる。 (もっと読む)


【課題】リボン形イオンビームによるイオン注入システムにおいて、低エネルギーで高ビーム電流のイオンビームを可能にする。
【解決手段】イオン源102から幅w1のリボン形イオンビームを引き出して質量分析磁石110に入れ、非分散平面(xz面)内で発散させ、分散平面(xy面)内で集束させる。所望のイオン種を質量分析スリット118で選別し、角度補正装置120に入れ、水平面(xz面)内で平行な幅w2のリボン形イオンビームに変換して、エンドステーション122内の加工物124にイオン注入する。イオンビームの幅の狭い部分がどこにも現れないようにしたので、空間電荷による広がりを抑制でき、輸送損失を少なくできる。 (もっと読む)


【課題】熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低k誘電体の形成方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に低k誘電体を形成する方法であって、表面上に低k誘電体を成膜し、低k誘電体の機械的特性を効果的に向上させる時間と強さで紫外線に低k誘電体を露光して、これによって、この機械的特性を、紫外線に露光されない低k誘電体の対応する機械的特性や、炉で硬化される低k誘電体の対応する機械的特性や、紫外線の露光の前に過度の活性化エネルギーにさらされる低k誘電体の対応する機械的特性と比べて相当向上させ、この際、過度の活性化エネルギーには、過度のホットプレートベークシーケンス、炉の硬化、焼鈍硬化、複数の温度の硬化プロセス又はプラズマ処理であって、紫外線照射に先立つものが含まれる。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置内で使用される多孔性の低kの誘電体を形成すること。
【解決手段】 ポロゲン材料を包含する低kの誘電体フィルムから多孔性の低kの誘電体材料を形成するプロセスが、紫外線照射へ低kの誘電体フィルムを露光することを含んでいる。一実施形態では、該フィルムが、240nm未満の広帯域の紫外線照射へ露光される。他の実施形態では、低kの誘電体フィルムが、フィルムのマトリックスの架橋結合密度を高めるのに効果的な第一の照射パターンへ露光される。このとき同時に、この第一の紫外線照射パターンへの露光の前後で、ポロゲン材料の濃度は、実質的に同一に維持している。低kの誘電体フィルムは、それから、そこで金属の相互接続構造を形成するために処理され、連続して、低kの誘電体フィルムから、ポロゲン材料を除去するのに有効な第二の紫外線照射パターンへ露光され、多孔性の低kの誘電体フィルムを形成する。 (もっと読む)


【課題】イオン注入におけるエネルギーコンタミネーションを低減するハイブリッド偏向器およびイオンビームの偏向方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係るイオン注入システムのためのハイブリッド偏向器500は、イオンビームをビーム軸から偏向するように動作する磁気偏向モジュール350と、前記イオンビームを前記ビーム軸から偏向するように動作する静電偏向モジュール504と、1つまたは複数の入力制御信号に基づいて、前記磁気偏向モジュールと前記静電偏向モジュールの1つを選択的に動作させるコントローラー304とを含む。また、本発明に係るイオンビームの偏向方法は、ビームに関する1つまたは複数の特性を判別するステップと、この判別に基づいて、磁気偏向モジュールと静電偏向モジュールの1つを選択的に動作させるステップを含む。 (もっと読む)


【課題】1枚のウェハに対して複数種類のイオンを注入する装置において、装置経費を低減するとともに生産性を向上する。
【解決手段】複数のイオンビームラインアセンブリーが、共通処理チャンバーの周囲に配置される。複数のイオンビームラインアセンブリーの各々は、共通処理チャンバーから選択的に分離され、複数のイオンビームラインは、共通処理チャンバーの処理領域で交差する。共通処理チャンバー内に配置された走査装置は、加工物ホルダーが、処理領域中を複数のイオンビームラインのそれぞれを横切って1以上の方向に選択的に移動するように動作可能である。共通処理チャンバー内に配置された共通線量測定装置は、複数のイオンビームラインのそれぞれの1以上の特性を測定するように動作可能である。共通処理チャンバーと外部環境との間で加工物を交換するため、ロードロックチャンバーが共通処理チャンバーに動作可能に結合される。 (もっと読む)


【課題】イオン注入システムに使用されるイオン源を、一つの出力モードから他の出力モードへ、一つのイオン源材料から他のイオン源材料へ、移行可能とする。
【解決手段】イオン源アッセンブリ本体220は、フィラメント204と反射板206間の領域、及びRFアンテナ128のアーム間で、固体材料228、232からイオン化材料116及び120が供給され、イオン・プラズマ214を創り出すイオン源室212を備える。RFアンテナ128は、セラミックチューブ225、サファイアによって囲まれた銅等から作り、ウオータジャケット216を使用して水冷にできる。イオン源室212は、その中に低出力直流放電要素126と、高出力放電要素であるRFアンテナ128の双方を含む。低出力放電要素である126は、カソードヒータフィラメント204、第1反射板206及び第2反射板208を含む。 (もっと読む)


【課題】複数の作動範囲内でイオンを加工物に注入するシステム及び方法を提供すること。
【解決手段】イオンの所望ドーズ量が与えられ、スポットイオンビーム112がイオン源108から形成され、質量分析器126によって質量分析される。イオンは、第1モード又は第2モードの一方で、所望のドーズ量に基づいて加工物に注入される。質量分析器126の下流配置されたビーム走査システム128によってイオンビームが走査され、このビーム走査システム128の下流に配置されたパラライザー130によって平行化される。第1モードでは、加工物122は、加工物走査システム167によって少なくとも1次元で走査イオンビームを通って走査される。第2モードでは、イオンビームは、ビーム走査システム128とパラライザー130を走査しないで通過し、かつ加工物122は、スポットイオンビーム112を通って二次元で走査される。 (もっと読む)


【課題】検出されたイオン励起発光をフィードバックとして用いるイオン注入システム。
【解決手段】このイオン注入システムは、ウエハ、分光器、光検出器、イオン源発生器を含み、イオン源発生器は、ウエハにイオンを注入するように構成され、光検出器は、ウエハ上及びウエハ外の両方のイオン励起発光を検出するように構成されている。 (もっと読む)


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