説明

タイワン セミコンダクター マニュファクチャリング カンパニー リミテッドにより出願された特許

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【課題】修復工程において直接書き入れ方式で処理することにより、時間および費用を節減する直接書き入れ方式のウェーハ修復方法を提供する。
【解決手段】次の工程を含む。半導体ウェーハ100から複数の欠陥領域の複数の位置およびパターンを探し出す。欠陥領域の位置およびパターンを直接書き入れツール220へ伝送する。半導体ウェーハ100上に、フォトレジスト層を形成する。エネルギービームを用いて、欠陥領域中のフォトレジストを局部的に露光する。半導体ウェーハ100上のフォトレジストを現像する。露光および現像の後、フォトレジスト層の下方にある半導体ウェーハ100を処理する。 (もっと読む)


【課題】感光性材料中にパターンを製作する干渉フォトリソグラフィのシステムおよびその方法を提供する。
【解決手段】次のステップを含む。第1の方向を向いている複数の線を含む第1のサブパターンおよび第2の方向を向いている複数の線を含む第2のサブパターンにパターンを区分するステップ。第1の定在波干渉パターンを使用して基板上の第1の感光材料層上に第1の方向を向いている複数の第1の線を形成するステップ。第1の線の一部をトリミングして第1のサブパターンを形成するステップ。第1のサブパターンを形成した後に基板に第2の感光材料層を提供するステップ。第2の定在波干渉パターンを使用して第2の感光材料層上に第2の方向を向いている複数の第2の線を形成するステップ。第2の線の一部をトリミングして第2のサブパターンを形成するステップ。 (もっと読む)


【課題】液浸露光液中にフォトレジスト材料が溶けて汚染原因となる事を防ぐ。
【解決手段】基板上にフォトレジストを形成する工程と、少なくとも一つのメガソニック超音波源で振動されているリンス液によりフォトレジストをリンスする工程と、フォトレジストを液体に浸すときに、フォトレジストを放射源で露光する工程とを含む。 (もっと読む)


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