【課題】生産効率がよく、金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の多層積層回路基板の製造方法は、第１の樹脂フィルムに対し、該第１の樹脂フィルムの表裏を貫通する導通ビアを形成する第１ステップと、第１の樹脂フィルムの表裏の両面と導通ビアの内壁面とに対し、金属回路を形成する第２ステップと、金属回路を形成した第１の樹脂フィルムの表裏の一方の面もしくは両面に対し、さらに第２の樹脂フィルムを積層する第３ステップと、該第３ステップにより積層された第２の樹脂フィルムに対し、第１ステップおよび第２ステップによる操作と同様の操作を実行する第４ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の多層積層回路基板は、樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を有し、上記の回路層は、金属回路を含み、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか１層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも１層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なり、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか１層の樹脂フィルムの厚みをＡとし、上記樹脂フィルムに隣接する上記回路層の厚みをＢとすると、０．０１５≦Ｂ／Ａ≦８．７５であり、さらに、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか１層の樹脂フィルムの一の面の面積をＣとし、上記の樹脂フィルムの面上に形成される金属回路が占める面積をＤとすると、０．０２≦Ｄ／Ｃ≦０．８であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板を提供する。
【解決手段】多層積層回路基板１は、樹脂フィルム１００と回路層２００とを交互に積層させた積層構造を含む多層積層回路基板であって、上記樹脂フィルム１００は、１つ以上のマルチ導通部１１０を有し、上記マルチ導通部１１０は、直径１０μｍ以上３０００μｍ以下の領域を占め、かつ２つ以上の導通ビア１２０を有し、該導通ビア１２０は、５μｍ以上３００μｍ以下の内径を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、透明性と導電性とを両立した電極基板を提供することにある。
【解決手段】本発明の電極基板は、透明性基材上に第１導電性物質からなる第１導電層と第２導電性物質からなる第２導電層とを形成してなるものであって、該第１導電層は、該透明性基材上に形成され、該第２導電層は、該第１導電層の少なくとも一部を覆うようにして該透明性基材上に形成され、該第２導電層の幅は、該第１導電層の幅を１とする場合１．５以上３００以下であり、該第２導電性物質は、該第１導電性物質よりも高い光透過率を有するが、導電性は第１導電性物質より低いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 透明基材の上に形成された細線パターンの金属銀が腐食されることや、透明基材から細線パターンが剥離することがなく、導電性及び透過率が高い電磁波シールド材を提供することにある。本発明の他の目的は、導電性及び透過率が高く、しかも低コストで生産性および耐久性の高い電磁波シールド材の製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基材の片面に、写真製法により生成された現像銀層の細線パターンを配設し、前記現像銀層の上に、メッキによる金属ニッケル層を積層して、電磁波シールド材を製造する。 （もっと読む）

【課題】透明基材の上に形成された細線パターンの現像銀が腐食されることや、透明基材から細線パターンが剥離することがなく、さらには、現像銀がメッキした金属層の中に拡散しないで安定している導電性及び透過率が高い電磁波シールド材を提供する。
【解決手段】前記透明基材の片面に、写真製法により生成された現像銀層の細線パターンを配設し、前記現像銀層の上に、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）からなる金属群の中から選択された複数種類の金属メッキ層を積層して、電磁波シールド材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 透明基材の上に形成された細線パターンの現像銀が腐食されることや、透明基材から細線パターンが剥離することがなく、導電性及び透過率が高い電磁波シールド材を提供する。また、導電性及び透過率が高く、しかも低コストで生産性および耐久性の高い電磁波シールド材の製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基材の片面に細線パターンが形成された電磁波シールド材であって、前記透明基材の片面には写真製法により生成された現像銀層の細線パターンを配設し、前記現像銀層の上には、銅（Ｃｕ）メッキ層を積層して、電磁波シールド材を製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させたＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。
ＭＦ_X^(X-Y)-・・・（Ｉ）
（化学式（Ｉ）中、Ｍは任意の金属を示し、Ｘは任意の自然数を示し、ＹはＭの酸化数を示す。） （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）