圧力容器から超臨界流体を（例えば、マイクロエレクトロニクス製造プロセスにおいて）移動させる方法であって、第１の超臨界流体（前記の超臨界流体であって、好ましくは二酸化炭素を含む）を収容した密閉圧力容器を準備するステップと、第１の超臨界流体の密度より低い密度を有する第２の流体（典型的には同様に超臨界流体）を、第１の超臨界流体の圧力より大きな圧力で、容器へ添加するステップと、第１の超臨界流体と第２の流体との界面を形成するステップと、この界面を維持しながら第２の好ましくは流体の圧力を用いて第１の超臨界流体の少なくとも一部を容器から移動させるステップとを含む方法。 （もっと読む）

（ａ）高密度化二酸化炭素連続相と、（ｂ）前記二酸化炭素連続相内の極性の不連続相と、（ｃ）前記不連続相内の金属（すなわち、基板から除去される金属または基板に塗布すべき金属）と、（ｄ）前記連続相、前記不連続相、または前記連続と前記不連続相の両方の中のリガンド少なくとも１種とを含み、基板から金属を除去するためまたは基板上に金属を塗布するために有用な組成物を記載する。 （もっと読む）