【課題】高電流密度において高効率を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光デバイスを開発する。
【解決手段】ＩＩＩ族発光層は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置される。発光層はドープされた厚い層である。幾つかの実施形態において、発光層は２つのドープされたスペーサ層の間に挟まれる。 （もっと読む）

【課題】集積電子構成要素を含む半導体発光装置を提供する。
【解決手段】シリコンダイオード、抵抗体１６２、コンデンサ１６４、及び誘導子のような１つ又はそれよりも多くの回路要素が、半導体発光装置の半導体構造１１０と装置を外部構造に接続するのに使用される接続層との間に配置される。半導体構造に対するｎ接点１１４は、複数のバイアにわたって分散され、これは、１つ又はそれよりも多くの誘電体層によってｐ接点１１２から隔離されている。回路要素は、接点−誘電体層−接続層のスタックに形成される。 （もっと読む）

【課題】フォワード電圧に不利に影響を与えることなく、GaP系のＬＥＤの光抽出効率を増加させる技術が必要とされている。
【解決手段】一つの実施例において、AlInGaPのLEDは、底部ｎ型層、活性層、上部ｐ型層、及び上部ｐ型層の上に厚いｎ型GaP層を含む。この場合、厚いｎ型GaP層は、電気化学的エッチング処理を受け、これにより、ｎ型GaP層は、多孔質且つ光拡散的になるようにされる。多孔質n型GaP層の下に位置するp型GaP層への電気的接触は、多孔質層を通ずる金属充填ビアを設けることによって行われる、又は、多孔質領域間におけるGaP層の非多孔質領域を通じて電気的接触が行われる。ＬＥＤチップは、補助装着具に装着され得、多孔質ｎ型GaP層層は補助装着具の表面に面する。空孔及び金属層は、光を反射及び拡散し、このことは、LEDの光出力を大いに増加させる。ＬＥＤ構造の他の実施例も記載されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物光放出デバイスにおいて、光放出層を含有するデバイス層は、デバイス中、特に光放出層中の歪みを減少させるように設計されたテンプレートの上に成長する。光放出デバイス中の歪みを減少させることでデバイスの性能を改良する。
【解決手段】デバイスは、基板１上の第１の実質的単一結晶層２と、第２の実質的単一結晶層６と、第１の実質的単一結晶層２と第２の実質的単一結晶層６との間に配置された第３の実質的単一結晶層５と、第１の実質的単一結晶層２と第２の実質的単一結晶層６との間に配置されるインジウムを含有する非単一結晶層３とを含有するＩＩＩ族窒化物構造を含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの発生光の外部への結合効率を効率的に改善する。
【解決手段】基板１１２上に堆積した半導体材料の第１の層１３と共にｐ−ｎダイオードを形成する前記半導体材料の第２の層１４と、第１と第２の層の間にあって、光を発生する発光領域１８と、第２の層に堆積した第１の電極１５と、第１の層に電気的に接続された第２の電極１６が含まれている。基板１１２の上部表面に、光を散乱または回折するための突出部１１８及び／または陥凹部１１９が設けられる。第２の層の上部表面の粗面化も用いることができる。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスからの光抽出を向上させること。
【解決手段】発光デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光層を有する半導体構造体を含む。多孔質領域は、発光層とｎ型領域及びｐ型領域のうちの１つに電気的に接続したコンタクトとの間に配置される。多孔質領域は、吸収性のコンタクトから離れる方向に光を散乱させ、これによりデバイスからの光抽出を向上させることができる。幾つかの実施形態において、多孔質領域は、ＧａＮ又はＧａＰのようなｎ型半導体材料である。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶構造を含む半導体発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光領域を含むＩＩＩ族窒化物構造のような半導体構造内にフォトニック結晶を成長させる。フォトニック結晶は、半導体材料の複数の領域とすることができ、これらの領域は、この半導体材料とは屈折率が異なる材料によって分離されている。例えば、フォトニック結晶は、構造内に成長して空隙又はマスク材料の領域によって分離された半導体材料のポストとすることができる。フォトニック結晶を既に成長した半導体層内にエッチングするのではなくフォトニック結晶を成長させることは、効率を低下させることがあるエッチングが原因の損傷を回避し、電気接点がその上に形成される、割り込まれていない平坦な表面を提供する。 （もっと読む）

【課題】改良された光抽出効率を有する発光デバイスの提供。
【解決手段】発光デバイスは活性領域１２を備える半導体層を含む層のスタックを有する。スタックは、活性領域１２により放射される光について約１．５より大きく好ましくは約１．８より大きい屈折率を有する光学素子２に結合される。透明光学素子（例えばレンズ又は光学濃縮器）を発光デバイスに結合させる方法は、光学素子及びスタックの温度を上昇させる工程と、光学素子と発光デバイスを共に押し付けるための圧力を加える工程とを含む。光学素子材料のブロックについては、発光デバイスに結合させた後、光学素子として形成させることができる。高屈折率の光学素子を発光デバイスに結合させることができ、全内部反射に起因する損失を低減させて、発光デバイスの光抽出効率を改良できる。 （もっと読む）

【課題】１以上の発光素子ダイへ光学要素を結合する技術を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの発光素子（ＬＥＤ）ダイがサブマウント上に装着され、次に光学要素がこのＬＥＤダイに熱結合された素子。ＬＥＤダイ１０４は、光学要素１０２をＬＥＤダイ１０４に熱結合するのに用いる温度よりも高温の融点を有する接点バンプを通じてサブマウント１０６に電気的に結合される。一実施例では、サブマウントに装着された複数のＬＥＤダイに単一光学要素が結合され、サブマウント１０６と光学要素１０２は、ほぼ同じ熱膨張係数を有する。代替的に、いくつかの光学要素を使用することもできる。光学要素又はＬＥＤダイは、波長変換材料のコーティングで覆うことができる。一実施例では、素子は、発生した波長を判断するために検査され、望ましい波長が生じるまで波長変換材料の付加的な層が追加される。 （もっと読む）

【課題】効率的かつ均一な光の分布を提供する、コーナー結合型バックライトを提供すること。
【解決手段】１つ又はそれ以上のＬＥＤが矩形の固体光導波路バックライトの切頭コーナー部に光学的に結合された、コーナー結合型バックライトの様々な実施形態が説明される。一実施形態において、高出力の白色ＬＥＤが小型の反射キャビティ内に装着され、次いでこれが、光導波路の平坦化されたコーナー部に結合される。反射キャビティは、切頭コーナー面に対して様々な角度でより均一な光の分布を提供し、光導波路の全容積にわたってより良好に光を分布させる。これは液晶層内により均一な光導波路の照明を作り出す。
他の実施形態においては、ＬＥＤは光導波路のコーナー部近くの小型キャビティ内に装着され、リフレクタが光導波路のコーナー部にマウントされる。付加的な領域を加える必要なしにＬＥＤから熱を取り除くための様々な技術も開示される。 （もっと読む）