本発明は、半導体顆粒の製造方法に関し、半導体粉末が焼結及び／又は融解される工程を有している。粉末は、ナノメートル及び／又はマイクロメートルのサイズである。 （もっと読む）

本発明はシリコンウエハ（１）上に炭化ケイ素（３，４）の層を形成する方法に関する。本発明は、本質的なチェック模様を用いてウエハ上に浸炭防止マスク（２）を積層し、残存ストレスがそれぞれ膨張と圧縮の形態をとるような条件で浸炭工程を実行し、前記マスクを取り除き、残存ストレスがそれぞれ圧縮と膨張の形態をとるような条件で浸炭工程を実行する工程を含むことを特徴とする。
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本発明は、熱フィラメント化学的気相成長法による基板（１）上へのカーボンナノチューブ（５）の成長方法に関する。本発明の方法は、チタン層の厚さが０．５乃至５ｎｍであり、かつコバルト層の厚さが０．２５乃至１０ｎｍであって、コバルト層の厚さがチタン層の厚さの半分から２倍となるように、最初基板上にチタン（１２）とコバルト（１３）との二重層を積層する手順を含む。
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この開示は、読み取り装置（２）とトランスポンダ（４）との間の誘導結合によるか、または非接触による情報の非同期交換のための方法に関連し、読み取り装置が提供する伝送信号のトランスポンダによる複数の復調段階を含み、各復調段階は、伝送信号のパラメータが選択できる１組の安定状態の中における第１の状態から第２の状態への伝送信号パラメータジャンプの検出と、ジャンプの大きさ及び／またはジャンプの方向と１つ以上の所定のしきい値との比較と、ジャンプの大きさ及び／またはジャンプの方向と第１の状態から独立している値との結合と、別の復調の前の第２の状態における安定化の検出とに関連付けられる。本発明は、同様に、そのような方法が実行されることを可能にする装置に関連する。
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本発明は、粉末を焼結することによって得られる半導体材料の製造方法に関し、かつ半導体材料に関する。前記方法は、粉末の一部を融解又は粘凋にするための圧縮及び加熱処理の工程を有する。前記材料は光起電力分野で用いられる。
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本発明は、配列番号１、配列番号２、配列番号３から選択されるアミノ酸の配列からなるエピトープを含み、且つ24アミノ酸以下の長さを有するペプチドに関する。 （もっと読む）

本発明は、一般式(I)の2',2'-ジフルオロ-2'-デオキシシチジン誘導体であって、式中、R₁、R₂、およびR₃が、同一または異なっており、互いに独立に、水素原子、または少なくともC₁₈の炭化水素アシル基を表し、かつ、極性溶媒媒質中において前記一般式(I)の化合物にコンパクト化された形態をもたらすことが可能である立体配座のものであり、基R₁、R₂、およびR₃の少なくとも1つが、水素原子以外のものである誘導体に関する。
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本発明は、微孔性またはメソ細孔性マトリックスおよび金属または金属酸化物ナノ粒子からなる複合材料に関する。該材料は、マトリックス材料が、不規則的、または規則的であり、任意に配向しており、ならびに、ナノ粒子が、i)マトリックス材料が、規則的であり、任意に配向している場合、サイズにおいて単分散であり、ii)または前記マトリックス材料が、不規則的である場合、サイズにおいて単分散であるか、またはマトリックス材料の空隙率のサイズと同一のサイズであることを特徴とする。該材料を調製するための方法は、微孔性またはメソ細孔性固体材料にナノ粒子前駆体溶液を含浸させ、次いでマトリックスを形成する材料内で前駆体を還元する工程を含む。含浸は、飽和蒸気圧下および前駆体溶液の還流下で行い、還元は、放射線分解法によって行う。
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本発明は、無指向性の弾性波反射器(32)上の圧電膜(41)と、圧電膜の表面上に設けてあり、弾性波鏡の禁制帯内の波を励振すべく用いられる励振及び／又は受容手段(43, 44)とを備える弾性波装置に関する。
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本発明は、低誘電率を有する材料(60)を生成する方法に関し、ヘリウム及びネオン以外の希ガスの注入で二酸化ケイ素中に空孔(66)を形成するステップを含む。本発明は、また、１０¹⁶原子／ｃｍ² より多い注入量でのヘリウム及びネオン以外の希ガスの注入により形成された空孔(66)を有し、低誘電率を有する二酸化ケイ素を含む領域が互いを隔てるところの複数の金属トラックを備える素子に関する。
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