ノベルス・システムズ・インコーポレーテッドにより出願された特許
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吸収係数および応力を低減しつつ炭素膜のエッチング選択性を改善する方法
【課題】透明性が高く、エッチング選択性が高く、アッシング可能なハードマスク(AHM)を提供する。
【解決手段】プラズマ化学気相成長チャンバ内に基板を配置する段階を備える成膜方法を開示する。炭素系の第1のアッシング可能ハードマスク(AHM)層10を基板上に成膜する。第1のAHM層の成膜時に、シリコン、シラン、ホウ素、窒素、ゲルマニウム、炭素、アンモニア、および、二酸化炭素から成る群から選択される少なくとも1つのドーパントでドープを行う。少なくとも1つのドーパントの原子濃度は、第1のAHM層の5%以上である。
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低抵抗率およびロバストな微接着特性を有するタングステン薄膜の成膜方法
【課題】良好な均一性、および下部層に対して良好な接着性を有する低抵抗率のタングステン膜を形成する方法が提供される。
【解決手段】低温下でパルス核生成層プロセスを用いてタングステン核生成層を形成する。その後、バルクタングステン充てん物を堆積させる前に、成膜された核生成層を処理する。本処理により、堆積されるタングステン成膜の抵抗率が低減される。ある実施形態では、核生成層の成膜は、水素を利用せずに、ホウ素ベースの化学作用により行われる。またある実施形態では、処理は、核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体の交互のサイクルに曝す工程を含む。
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ダマシンインターコネクトのエレクトロマイグレーション抵抗を向上させる界面層
【課題】、ダマシンインターコネクトのエレクトロマイグレーション特性を向上させるべく銅線内に保護キャップを形成する方法を提供する。
【解決手段】a)酸化物を含まない銅または銅合金107の露呈領域と誘電体の露呈領域とを含む基板100を、アルミニウムを含む化合物に、少なくとも約摂氏350度の基板温度で曝して、前記誘電体および前記銅または銅合金の層の両方の上にアルミニウムを含む第1の層を形成する工程と、(b)前記第1の層の少なくとも一部を化学的に修正して、アルミニウムを含むパッシベーション層109を形成する工程と、(c)前記パッシベーション層の上に誘電体層111.を堆積させる工程とを備える方法。
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ハードマスク材料
【課題】集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜は、応力が約−600MPaから600MPaの範囲内であり、硬度は少なくとも約12Gpaである。ハードマスク膜は、PECVD処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。ハードマスク膜は、SixByCz、SixByNz、SixByCzNw、BxCy、およびBxNyから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約60原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いGeNxハードマスク材料を含む。
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low−k誘電体について損傷を低く抑えつつフォトレジストをストリッピングする方法
【解決手段】 誘電体材料からフォトレジストをストリッピングしてエッチング関連の残留物を除去する方法を改善する。本発明の一の側面に係る方法では、弱酸化剤およびフッ素含有化合物を利用する水素ベースのエッチングプロセスを用いて誘電体層から材料を除去することを含む。基板の温度は、約摂氏160度以下、例えば、約摂氏90度未満に維持される。 (もっと読む)
高ドーズインプラントストリップの前に行われる、シリコンを保護するためのパッシベーションプロセスの改善方法
【解決手段】 フォトレジストをストリッピングして、イオン注入処理に関連する残留物をワークピースの表面から除去する方法および装置を改善する。さまざまな実施形態によると、ワークピースは、パッシペーションプラズマに暴露され、所定期間にわたって冷却された後、酸素系または水素系のプラズマに暴露されて、フォトレジストおよびイオン注入処理に関する残留物を除去する。本発明の側面は、ストリッピング速度を許容可能なレベルに維持しつつも、シリコン損失を低減し、残留物が略または全く無い状態とすることを含む。特定の実施形態に係る方法および装置では、高ドーズイオン注入処理の後でフォトレジスト材料を除去する。 (もっと読む)
シリコン損失を非常に低く抑えた高ドーズインプラントストリップ
【解決手段】
ワークピースの表面から、フォトレジストをストリッピングし、イオン注入処理に関連する残留物を除去する方法を改善する。さまざまな実施形態によると、水素原子、フッ素含有ガスおよび保護用のガスを利用してプラズマを生成する。プラズマで活性化されたガスは、高ドーズ注入処理されたレジストと反応して、クラスト層およびバルクレジスト層の両方を除去すると同時に、ワークピース表面の露出部分を保護する。シリコン損失を低く抑えつつ、ワークピース表面の残留物を略無くすことができる。
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膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および/または、蒸気内紫外線硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内紫外線硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法
【課題】膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および/または、蒸気内UV硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内UV硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】チャンバ14内に蒸気を供給する段階と、チャンバ14内に、シリコンを含む堆積層が設けられている基板22を配置する段階と、所定の変換期間にわたって、蒸気の存在下で、堆積層にUV光を当てて、堆積層を少なくとも部分的に変換する段階とを備えるシステム10および方法を提供する。また、チャンバ14内にアンモニアを供給する段階と、チャンバ14内に、堆積層を有する基板22を配置する段階と、アンモニアの存在下で所定の変換期間にわたって堆積層にUV光を当てて、少なくとも部分的に堆積層を高密度化する段階とを備える。
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等方性銅エッチングのためのエッチング調合物
【課題】調合物及び等方性銅エッチング調合物を利用して銅を等方的にエッチングして除去する方法を提供する。
【解決手段】銅をエッチングする調合物は、水溶液を含み、水溶液は、(a)ジアミン、トリアミン、および、テトラミンからなるグループから選択される二座配位子、三座配位子、四座配位子の錯化剤、および、(b)酸化剤を含む。水溶液のpHは、5から12である。一実施形態では、エッチ液は、pH約6から10のエチレンジアミン(EDA)および過酸化水素を含む。銅層の実質的な表面を粗くせずに高速で銅をエッチングすることができる(例えば少なくとも約1,000Å/分)溶液が提供される。調合物は、半製品の半導体デバイスから銅を除去する(例えば銅積載部分をエッチングする)のに特に有益に用いられる。
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高アスペクト比のフィーチャーへのタングステン堆積方法
【課題】高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。
【解決手段】部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。ある実施形態においては、当該方法は高アスペクト比のフィーチャーにタングステン含有材料を部分的に充填する工程とフィーチャー空洞から部分的に充填された材料を選択的に除去する工程とを有する。これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。
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