【課題】半導体回路の隣接導体線間容量性クロストークを減少させる。
【解決手段】フィラー材料を蒸発させて形成された空隙を有する金属被覆体の製造方法で、フィラー材料３０は透過性の誘電層４０により覆われる。フィラー材料はＰＰＧ、ＰＢ、ＰＥＧ、非結晶フッ化炭素及びＰＣＬからなる群から選択され、スピン・オン法又はＣＶＤ法により形成される。フィラー材料を、間隔をあけた導電線２０及び半導体構造体１０上に形成し、エッチバック処理し、導電線の上面を露出させる。次に、フィラー材料上に透過性の誘電層４０を形成する。透過性の誘電層は分解したガス相フィラー材料が拡散するのを許容する性質がある。フィラー材料を蒸発させ、気相フィラー材料に変化させる。気相のフィラー材料は透過性の誘電層を通じて拡散して、間隔をあけた導電線の間に空隙を形成する。透過性の誘電層上に絶縁層が形成される。 （もっと読む）