【課題】基板表面に薄膜を形成する基板処理で、処理の進行具合をリアルタイムで把握して処理の終了時点を精度よく検出できる方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に絶縁膜２を形成する基板処理装置１０であって、絶縁膜２を波長可変単色光ｓで照射し、絶縁膜２および基板１からの各反射光を干渉させる干渉光発生手段１２と、所望膜厚での干渉光強度Ｉが極小になるように単色光ｓの基準波長λ_０を設定する基準波長設定部２８と、基準波長を挟む２波長（λ_１、λ_２）間で単色光ｓを波長変調する変調部２６と、これに応じた干渉光強度Ｉを検出する干渉光検出器１８と、絶縁膜２が所望膜厚に達する直前から所望膜厚に達するまでの干渉光強度Ｉの変化に基づいて、最大波長（λ_２）時と最小波長（λ_１）時の干渉光強度の差分ΔＩが零または所定値になる時点を基板処理の終了時点として検出する終了時点検出手段２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料の画像モニタおよびスペクトル測定を良好に行うことのできる顕微鏡接続用分光器を提供することにある。
【解決手段】顕微鏡１６からの光１４の結像位置に設けられ、スリット２０ａのサイズが二次元受光面サイズと一次元サイズとの間で変えられる入射スリット２０と、前段レンズ２２と、回折格子２６と、該前段レンズ２２よりも明るいＦ値の後段レンズ２８と、二次元受光面３０ａを含む二次元検出器３０と、画像モニタ用光路とスペクトル測定用光路とを切換える光路切換機構３２と、を備え、二次元受光面サイズの入射スリット２０を通った光である二次元像を回折格子２６を外して二次元検出器３０まで導光して撮像し、一次元サイズの入射スリット２０を通った光である一次元像を回折格子２６を通して二次元検出器３０まで導光してスペクトル測定を行うことを特徴とする顕微鏡接続用分光器１０。 （もっと読む）

【課題】波長分解能とともに空間分解能の高い分光器を提供すること。
【解決手段】入射スリット１１２と、入射スリット１１２を通った光を平行光とするコリメータ鏡１１４と、コリメータ鏡１１４からの平行光を受けて、波長に応じて異なる角度へ光を出力する回折格子１１８と、回折格子１１８からの出力光を平行光とする第一凹面鏡１２０と、第一凹面鏡１２０からの平行光を集光する第二凹面鏡１２２と、第二凹面鏡１２２で集光された光が結像される受光面１２４ａを有する受光手段１２４とを備え、受光手段１２４の受光面１２４ａ上に入射スリット１１２の分散光像を結像させることでスペクトル測定を行うことを特徴とする分光器１１０。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、波長分解能とともに空間分解能も高い分光器を提供することにある。
【解決手段】 入射スリット１２と、入射スリットを通った光を平行光とするコリメータレンズ光学系１４と、平行光を受けて波長に応じて異なる角度へ光を出力する反射型回折格子１６と、回折格子からの出力光を集光する集光レンズ光学系１４と、集光レンズ光学系で集光された光を検出する二次元受光面を有する二次元受光手段１６とを備える。コリメータレンズ光学系の光軸と前記集光レンズ光学系の光軸との成す角２γを鋭角に、集光レンズ光学系と回折格子と距離が、コリメータレンズ光学系と回折格子との距離よりも近くなるように配置され、回折格子の反射面の中央部の法線ベクトルが、コリメータレンズ光学系の光軸と集光レンズ光学系の光軸とがなす角の二等分線に対し、コリメータレンズ光学系の配置側に向くよう設定される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的はＴＯＦ法におけるドリフト時間の短い部分の雑音を低減した高移動度測定装置を提供することにある。
【解決手段】 測定対象物に設けられた電極に接触可能なプローブを有する測定対象物設置手段１２と、測定対象物に光を照射する光照射手段１４と、プローブを介して前記電極に電圧を印加する電圧印加手段１６と、測定対象物を流れる電流信号を検出する信号検出手段１８と、検出信号を処理する信号処理手段２０と、を備え、ＴＯＦ法測定を行う高移動度測定装置１０において、
光照射手段１４と他の手段（１６、１８）との間の接続を光接続とし、電気的に分離絶縁することで光照射手段１４から発生するノイズを低減する雑音低減手段、ＴＯＦ法測定の検出信号に混入する前記光照射手段からのノイズを除去する雑音除去手段（２０）を備えたことを特徴とする高移動度測定装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、有機薄膜の垂直方向と水平方向の２つの方向のキャリヤ移動度が測定可能な半導体膜異方性測定装置を提供することにある。
【解決手段】 測定対象物に設けられた電極に接触可能なプローブを有する測定対象物設置手段１２と、測定対象物に光を照射する光照射手段１４と、プローブを介して電極に電圧を印加する電圧印加手段１６と、測定対象物を流れる電流信号を検出する信号検出手段１８と、検出信号を処理するための信号処理手段２０と、を備え、測定対象物設置手段１２は独立して位置決め可能な３本のプローブを含み、電圧印加手段１６は各プローブへ印加する電圧の種類を変更可能に構成され、ＴＯＦ法測定モードと、ＦＥＴ法測定モードとの２種類の測定モードでの測定が可能であることを特徴とする半導体膜異方性測定装置１０。 （もっと読む）