この発明は、基板接触、特に半導体基板（２１）の端子面を接触させるためのコンタクト配置（４７，４８，４９，５０，５５，５６，５７）に関し、基板の底部端子面によって基板表面に形成された、コンタクト配置の少なくとも１つの内側コンタクト（２５）と、内側コンタクトの外側端縁領域と周辺部とを少なくとも被覆するパッシベーション層（３４，３５）と、内側コンタクト（２５）から横方向に離れるようにパッシベーション層（３４，３５）の上に延在する少なくとも１つの下側コンタクトストリップ（３６）と、下側コンタクトストリップの上に延在するもう１つの上側のコンタクトストリップ（３７，３８，３９）とを含み、このもう１つのコンタクトストリップは、コンタクトメタライゼーションによって形成されており、このコンタクトメタライゼーションは、ニッケル（Ｎｉ）層からまたはニッケルとパラジウム（Ｐｄ）とを含有する層構造（３８，３９）から実質的に構成される。
（もっと読む）

本発明は、テストコンタクト（２０）をコンタクト支持体上に位置決めおよび接触させてテストコンタクト配列を作製するための装置であって、熱エネルギを伝達するための少なくとも１つの伝達チャネル（２４）を有し、かつテストコンタクト保持装置が設けられた、少なくとも１つのコンタクトヘッドを含み、コンタクトヘッドは、自身のコンタクト端部およびチャネル開口部の領域にテストコンタクト容器が設けられており、テストコンタクト容器は、テストコンタクトに対する位置決めされた当接のため、および熱エネルギを吸収するための吸収領域を有するテストコンタクトをチャネル開口部に位置決めするための少なくとも２つの位置決め面を有する位置決め装置を含む装置に関する。
（もっと読む）

【課題】非常に薄く形成された部品のみならず、フリップチップ技術を全ての電子部品に適用可能とする方法および装置を提供する。
【解決手段】端子面３４、３５を備える電子部品２４を端子面３１、３２を備える基板３３に取り付ける方法であって、取付け装置２７により部品を供給装置から移動し、その後、部品の接点側３７から部品裏側３８まで延びる部品端子面と基板端子面とが重なり合う位置になるように、取付け装置により部品を基板上に位置決めし、その後、部品端子面へレーザーエネルギーを直接的に与える。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、半導体部品の検査用接触子装置（１５）であって、検査用接触子支持体（１３）に配設され、片持梁状に形成された少なくとも１つの検査用接触子（１０）を備え、当該検査用接触子は、固定基部（１２）、及び当該固定基部に接続され且つ接触端部（１１）の形成された接触アーム（３０）を有し、前記固定基部は、当該固定基部の固定凸部（１６）の下端部（１７）が前記検査用接触子支持体の下面（１８）と実質的に面一となるように、前記固定凸部が前記検査用接触子支持体の開口部（１４）内に挿入されている。
（もっと読む）

【課題】
【解決手段】 本発明は、マイクロ電子部品（１１）と支持基板（１２）との間で接点構造（１０）を形成する方法、および、当該方法によって形成される部品ユニット（２４）に関する。本発明によれば、部品とレーザエネルギとの後方衝突により接続領域で熱エネルギが生み出され、部品および支持基板の対向する接続面（１７，１８）間に機械的な接続接点（２３）が形成され、ハンダ材料を少なくとも部分的に溶解させることにより支持基板および部品の接続面（１３，１５）間に少なくとも１つの導電接続接点（２２）が形成され、当該接続面が互いに対して角度を成して配置される。前記方法によって形成される部品は少なくとも１つの接点構造を有する。 （もっと読む）

本発明は、移送基板（２６）上に配置されるチップ（１８）を接触基板（５０）に移送し、チップを接触基板に接触するための方法及び装置に関する。この間、チップは移送基板の保持表面にチップの裏面（１９）を介して接着され、前記保持表面は接触基板に面している。チップの裏面は、移送基板を通過するレーザーエネルギの作用を受け、押圧手段（４５、４６）が移送基板を介しチップの裏面上に作用し、接触基板の接触表面（５８）に対向して配置されるチップのチップ接触部（５９、６０）を介してチップを接触表面上に配置される基板接触部（５６、５７）と接触させ、チップ接触部と基板接触部との間に熱結合が確立される。
（もっと読む）

【課題】電子部品に対して実質的に無害で、低いコストのハウジング製造方法を提供すること。
【解決手段】カバー層(12)及び対向カバー層(13)を有し、チップ(11)などの少なくとも１つの電子部品をカバー層及び対向カバー層の間に収容するハウジング、及び、そのようなハウジングの製造方法において、カバー層(12)及び対向カバー層(13)の内面に導体通路(15,16又は24,25)を設けて、カバー層(12)の導体通路(15,16)が電子部品(11)の端子面(21,22)を対向カバー層(13)の導体通路(24,25)に接続するようにし、対向カバー層(13)の導体通路(24,25)がハウジング(10)の外部端子(32,33)に到達し、カバー層(12)及び／又は対向カバー層(13)は可撓性のキャリア層(14)を有し、かつ、電子部品(11)を包囲するカバー層接続領域内で相互に接続される。 （もっと読む）

本発明は、テンプレート状に設けられ、はんだ物リザーバ（２５）の上に位置する分離ユニット（１２）を介して、はんだ物収容ユニット（１１）の中に収容されたはんだ物リザーバ（２５）から複数のはんだ物（２６）を取り出して、所定形状の端子表面に従って形成された所定形状のはんだ物を形成し、続いて前記所定形状のはんだ物を基板の前記所定形状の端子表面に移動し、前記はんだ物リザーバは、分離ユニットのテンプレート開口部（１５）を通じて部分減圧による衝撃付与を受け、はんだ物をはんだ物リザーバから分離ユニットの中に転送する、複数のはんだ物（２６）を有する所定形状のはんだ物を基板（３６）の接触表面の所定形状の端子表面の上に移動するための方法および装置であって、前記はんだ物リザーバ（２５）が、分離ユニット（１２）による部分減圧による衝撃付与（２７）中に、前記分離ユニットに向かい合って位置する床壁（２０）を介して通気されることを特徴とする方法および装置を提供する。
（もっと読む）

コヒーレンスを生ずるように実装される複数の同一部品から得られる２つのウエハ型部品複合コンフィギュレーション、特に半導体ウエハ（１２）と機能部品ウエハ（１４）とを相互接触させて、ウエハレベルの電子組立体を製造するための方法および装置であって、部品複合コンフィギュレーションは各々レセプタクルユニット（１１；１３）に接して位置し、互いに接続しようとする部品複合コンフィギュレーションの接触メタライゼーション間の接触に必要な接触圧力は、部品複合コンフィギュレーションを支え、かつレセプタクルユニットによって特定されている接触室内で真空が生成されるようにして生成され、接触メタライゼーションの接触は部品複合コンフィギュレーションに背面エネルギー衝撃を与えることによって実行される方法および装置。
（もっと読む）

本発明は、回路基板（１３）、特に半導体基板の乾燥方法および装置に関する。本発明によれば、回路表面（３０）を、洗浄段階中に洗浄液（１０）を用いて洗浄し、後続の乾燥段階で乾燥させる。洗浄段階において、回路面と液面との間でそれらの相対移動に応じて変わる移行領域内に液体メニスカスが形成されるように、回路基板がその平面の延長方向に、洗浄液鏡面の液面（２８）を横断しかつそれに対して相対的に移動され、乾燥段階において、液体メニスカスで濡れた移行領域に熱輻射（３６）を与える。
（もっと読む）