【課題】層状材料、電子構成要素および半導体構成要素の製造を改善する組成物、これらの製造方法オヨビ使用を提供する。
【解決手段】少なくとも１種の無機化合物、および少なくとも１種の緻密化剤を含有し、前記緻密化剤は、少なくとも１種の無機化合物の密度と比較して、被覆材料の密度を増大させる被覆材料が、ここに記載されている。少なくとも１種の無機化合物を準備するステップと、少なくとも１種の緻密化剤を準備するステップと、少なくとも１種の無機化合物を少なくとも１種の緻密化剤と一緒にして被覆材料を形成するステップとを含み、前記緻密化剤は、少なくとも１種の無機化合物の密度と比較して、被覆材料の密度を増大させる被覆材料を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】ａ）紫外線スペクトル領域において強力かつ均一に吸収でき、ｂ）レジスト材料を、「倒れ込み」および意図したレジストラインの外側への広がりまたは内側への接触から守ることができ、およびｃ）フォトレジスト現像剤に対して不浸透性であることのできる反射防止コーティングならびにスピンオンガラス反射防止コーティングの製造方法を提供。
【解決手段】吸収組成物は、少なくとも１つの無機ベース化合物、少なくとも１つの吸収化合物および少なくとも１つの材料変性剤を含む。更に、吸収組成物の製造方法は、ａ）少なくとも１つの無機ベース化合物、少なくとも１つの吸収化合物、少なくとも１つの材料変性剤、および１つまたは複数の溶媒を組み合わせて反応混合物を形成する工程であって、少なくとも１つの材料変性剤が、少なくとも１つの酸および水を含む工程、およびｂ）反応混合物を、吸収材料、コーティングまたはフィルムに形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】向上した冷却能を有し、且つスパッタ材料の撓みを減少させることのできるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ａ）ターゲット表面要素と、ｂ）連結面がターゲット表面要素に連結されている芯裏打要素と、ｃ）芯裏打要素の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を備える。付加的なスパッタリングターゲットは、ａ）ターゲット表面要素および芯裏打要素が同じターゲット材料を備えるかあるいは材料勾配を備える、一体型のターゲット表面要素および芯裏打要素と、ｂ）少なくとも１つの表面積形状を備える。スパッタリングターゲットの形成方法は、ａ）ターゲット表面要素を提供することと、ｂ）芯裏打要素を提供することと、ｃ）芯裏打板の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を提供することと、ｄ）表面ターゲット材料を芯裏打材料の連結面に連結することを備えている。 （もっと読む）

【課題】ハンダ、特に鉛フリーハンダ用の改良された組成物およびその製造方法、さらに該組成物を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】ハンダ用組成物は、ＡｇとＢｉの全重量に基づいて２ｗｔ％から１８ｗｔ％の量のＡｇおよび９８ｗｔ％から８２ｗｔ％の量のＢｉからなる合金と、ＡｇとＢｉの全重量に対して１０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの量の１以上の化学元素を含み、該化学元素は当該合金のＡｇとＢｉ部分の酸素親和力より大きな酸素親和力を有し、合金が２６２．５℃以上の固相線と４００℃以下の液相線を有し、前記化学元素が、Ａｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｓ、Ｈｆ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｎｄ、Ｐ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｙ、およびＺｒからなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の熱管理のために構成された熱スプレッダと他の部品をめっきする方法を提供する。
【解決手段】細長い上方チャネル１２２と細長い下方チャネル１２１とを形成する複数の非導電性シールド１３０と、入口を通って下方チャネルに入り、上方チャネルに向かって流れるように、あらゆるめっき溶液を向けるように配向された一連の入口を備えるめっき溶液スパージャと、上方チャネルおよび下方チャネルの外部に、その全長に沿って配置された複数のアノードとを備える、改良方法およびめっきシステム１００。方法は、加工物９００をめっき溶液に浸漬させることと、加工物を少なくとも部分的にチャネルの内部に配置することと、アノードと加工物との間に電流を流し、加工物をチャネルの全長に沿って移動させることとを含む。 （もっと読む）

【課題】低誘電ポリマーと、その低誘電率ポリマー、誘電材料および層、および電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】コア構造および複数のアームを有する熱硬化性モノマーの異性体混合物であり、モノマーの少なくとも１つのアームに位置するエチニル基の反応を含む、熱硬化性モノマーのその異性体混合物の重合を行う。他の態様では、芳香族部分および第１反応基を有する第１主鎖、ならびに芳香族部分および第２反応基を有する第２主鎖を有するスピンオン低誘電率材料を形成させる。第１および第２の主鎖は、第１および第２反応基を介する架橋反応で、好ましくは追加の架橋剤なしで架橋され、かつ少なくとも８個の原子を有するかご状構造が、第１および第２主鎖の少なくとも１つと共有結合で結合している。 （もっと読む）

少なくとも１つのフッ素ベース構成要素、少なくとも１つのキレート化成分、界面活性剤成分、酸化成分又はこれらの組み合わせ、及びおよび少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素と少なくとも１つの溶媒又は溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液およびその製造方法も本明細書で説明する。
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熱拡散器リッドは、下にある基板に結合するためのリップを有する外側周辺領域、中心領域および１つ以上のひずみ遮断領域を含む。ひずみ遮断領域は、中心領域と外側周辺領域との間に配置されており、リッドを介して、中心領域を囲むかまたは部分的に囲むパターンで部分的または完全に切除される、多数のスロットを備えることができる。ひずみ遮断領域は、接着されたリップによりリッドの周辺部に限定されるとしても、リッドの熱膨張に起因するひずみの遮断および応力の低減を実現することにより、熱により発生する中心領域の湾曲、熱により発生するリップおよび基板の間の接着部の応力、および／または熱により発生する基板のゆがみを減少させる。発生する湾曲、応力および／またはゆがみを減少させることは、リッドとダイとの間の境界面における層間剥離または分離の傾向を低減し、および／またはリッドと基板との間の接着部における構造的故障の機会を低減することにより、システムの信頼性を向上させる。
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本明細書には、式Ｉ[式中、Ｅは、かご型化合物であり；各Ｑは、同じであるか、または異なっていて、アリール、分枝状アリール、および置換アリールから選択され（置換基としては、水素、ハロゲン、アルキル、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、アリールエーテル、アルケニル、アルキニル、アルコキシル、ヒドロキシアルキル、ヒドロキシアリール、ヒドロキシアルケニル、ヒドロキシアルキニル、ヒドロキシルまたはカルボキシルが挙げられ；Ａは、置換または非置換アリールアルキニル基を有する置換または非置換アリール（置換基としては、水素、ハロゲン、アルキル、フェニルまたは置換アリールが挙げられる。）；アリールとしては、フェニル、ビフェニル、ナフチル、テルフェニル、アントラセニル、ポリフェニレン、ポリフェニレンエーテルまたは置換アリールが挙げられる。）であり；ｈは、０から１０であり；ｉは、０から１０であり；ｊは、０から１０であり；ｗは、０または１である。]
の少なくとも１種のオリゴマーまたはポリマーを含む組成物およびこのような組成物の形成法および使用法が提供される。
【化４１】

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本明細書には、ルテニウムおよび元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはこれらの組合せが含まれる、蒸着法または原子層堆積法において用いるための合金が記載される。また、本明細書には、ルテニウム系材料またはルテニウム系合金を含む少なくとも１つの層、および元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはそれらの組合せを含む少なくとも１つの層が含まれる積層材料が記載される。
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