【課題】本発明は電解質成分と同様に、基板上にクロム・ベアリング電解質から機能的なクロム層を堆積するための方法に関するものである。
【解決手段】本発明による電解質成分はスルホ酢酸から構成される。本発明による方法は、電流密度が約２０から約１５０Ａ／ｄｍ^２の間で、電流効率が３０％より高い状態で行う事ができ、８００ＨＶ０．１より高い硬度と、２００時間を超えて耐食を示す層が堆積される。 （もっと読む）

【課題】基板上に金属付着させるための電解質中に存在する付着金属のイオン濃度を、対応する陰イオン濃度に影響されずに設定、維持する方法、及びその装置を提供する。
【解決手段】電解質流１と交換液流２は、陽イオン交換膜又は微多孔膜３を介して互いに接触するので、交換液流中に存在する付着金属のイオン（Ｎｉ２＋）は、陽イオン交換膜又は微多孔膜３を介して、ドナン透析法によって電解質流２に移動する。これにより、電解質の陰イオン濃度又は陰イオン構成を変えることなく、電解質流１中にある、付着する金属のイオン濃度を設定することができる。 （もっと読む）