【課題】 被処理基板や絶縁膜に損傷が与えられるのを抑制しつつ、被処理基板に良好に絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 電磁波入射面Ｆを有する真空容器２の内部に被処理基板１００を配設する。希ガス及び酸素ガスのうちの少なくとも一方を含む第１のガスは、電磁波入射面Ｆからの距離が１０ｍｍ未満となる位置から真空容器２の内部に導入し、有機シリコン化合物を含む第２のガスは、電磁波入射面からの距離が１０ｍｍ以上となる位置から真空容器２の内部に導入する。真空容器２の内部に、電磁波入射面Ｆから電磁波を入射させることにより真空容器の内部で表面波プラズマを生じさせ、被処理基板１００に酸化シリコンを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板や絶縁膜に損傷が与えられるのを抑制しつつ、被処理基板に良好に絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 電磁波入射面Ｆを有する真空容器２の内部に被処理基板１００を配設する。希ガス及び酸素ガスのうちの少なくとも一方を含む第１のガスは、電磁波入射面Ｆからの距離が１０ｍｍ未満となる位置から真空容器２の内部に導入し、有機シリコン化合物を含む第２のガスは、電磁波入射面からの距離が１０ｍｍ以上となる位置から真空容器２の内部に導入する。真空容器２の内部に、電磁波入射面Ｆから電磁波を入射させることにより真空容器の内部で表面波プラズマを生じさせ、被処理基板１００に酸化シリコンを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】２ショット法においても位相シフタの位置合せのためのアライメント作業効率が高く、処理のスループットを向上させることができ、また、材質や厚みの異なる位相シフタを使用する処理においても後工程に使用する位置合せマークの寸法と形状の変化のない結晶化装置用位相シフタ、結晶化装置及び結晶化方法を提供する。
【解決手段】結晶化装置用位相シフタ５は光学部材５１，６１の固有の光学特性に応じて光学部材の各々を基準位置に対してそれぞれ位置合せするために、光学部材の各々に１対１に対応して設けられた第１のアライメントマーク8と、結晶化領域の各々に１対１に対応するようにレーザ光の照射により被処理基板上に転写され、該転写マークを用いて結晶化後の被処理基板を次工程以降の装置に対して位置合せするために、ホルダ５０Ａに設けられた第２のアライメントマーク51x,51yとを有する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入によりアモルファス化された領域に光照射による活性化を行った場合に、表面に凹凸が発生するのを防止した薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にそれぞれ形成されたｎチャネル島状半導体層４ａ及びｐチャネル島状半導体層４ｂ、前記島状半導体層４ａ，４ｂ上に形成されたゲート絶縁膜５、及び前記ゲート絶縁膜５上にそれぞれ形成されたゲート電極６ａ，６ｂを具備し、前記ｎチャネル島状半導体層４ａへのｎ型不純物のイオン注入によりアモルファス化された領域の深さｔ１，ｔ３と、前記ｐチャネル島状半導体層４ｂへのｐ型不純物のイオン注入によりアモルファス化された領域の深さｔ１，ｔ２とは、それぞれほぼ同じであるようにイオン注入を行なう。 （もっと読む）

【課題】大粒径の結晶粒をち密に形成することができ、かつ低温処理の要求を満たすことができる結晶化方法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体膜のレーザ光入射面上にキャップ膜を設け、単調増加と単調減少を繰り返す断面逆三角形状ピークパターンを有する光強度分布のレーザ光を非単結晶半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】トラップ準位を取り込んだ物理モデルに基づき、比較的短時間で高精度な回路解析を行うことができるシミュレーション装置を提供する。
【解決手段】シミュレーション装置は、入力装置１１、記憶装置１２、演算装置１６、制御装置１５及び出力装置１７を備える。入力装置から入力されたＴＦＴにおけるゲート電極端に対応する多結晶シリコン薄膜のゲート電極側表面のソース領域端とドレイン領域端における第１、第２イオン化トラップ密度Ｎ_ｔＳ０，Ｎ_ｔＳＬ、上記ソース領域端の第１電位φ_Ｓ０、上記ゲート電極が形成された表面に対向する裏面側のソース領域端の第２電位φ_ｂ０、上記ゲート電極側表面のドレイン領域端の第３電位φ_ＳＬ、及び上記裏面側の前記ドレイン領域端の第４電位φ_ｂＬに基づいて演算を行ってドレイン電流Ｉ_ｄｓを算出する。 （もっと読む）

【課題】 高移動度及び閾値電圧のばらつきの少ない大粒径多結晶半導体を用いた薄膜半導体装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁基板上に成膜された多結晶半導体薄膜に形成された薄膜半導体素子を具備する薄膜半導体装置であって、前記薄膜半導体素子は、ソース領域、ドレイン領域、及びこれらの間に介在するチャネル領域を具備し、前記チャネル領域に存在する多結晶半導体の結晶粒の主要な面方位は、半導体結晶の逆極点図において、｛１００｝、｛３１０｝、及び｛３１１｝により囲まれた領域内の面方位であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光照射による極短時間の高温熱処理を樹脂基板上でのＴＦＴ製造プロセスに用いることを可能とする製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】樹脂基板２上に、１００μｍ以上の厚さを有する第１の酸化ケイ素膜を塗布法により形成する工程、第１の酸化ケイ素膜上に第２の酸化ケイ素膜を堆積法により形成する工程、第２の酸化ケイ素膜上に半導体層５を形成する工程、半導体層５上にゲート絶縁膜６を形成する工程、ゲート絶縁膜６上にゲート電極８を形成する工程、ゲート電極８をマスクとして半導体層５に不純物を注入する工程、ゲート電極８を覆うように層間絶縁膜９を形成する工程、層間絶縁膜９上に半導体層５より高い融点を有する金属からなる光吸収膜１０を形成する工程、光吸収膜１０にパルス状の光を照射し、光吸収膜１０が光を吸収することで生じた熱により半導体層５中の不純物を活性化する工程を具備すること。 （もっと読む）

【課題】活性化のための光照射による急速加熱を行っても、ゲート電極と層間絶縁膜の界面剥離や、被照射物に損傷を与えることのない半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板２上に半導体層５を形成する工程、半導体層５上にゲート絶縁膜６を形成する工程、ゲート絶縁膜６上に高融点金属膜を成膜する工程、高融点金属膜上にチタン膜を成膜する工程、高融点金属膜及びチタン膜をパターン状に加工し、ゲート電極８を形成する工程、ゲート電極８をマスクとして半導体層５に不純物を注入する工程、ゲート電極８を覆うように層間絶縁膜９を形成する工程、層間絶縁膜９上に半導体層５より高い融点を有する金属からなる光吸収膜１０を形成する工程、光吸収膜１０に光を照射し、光吸収膜１０が光を吸収することで生じた熱により半導体層５中の不純物を活性化する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の膜厚を厚くすることなく半導体層の変形、凹凸の発生を効果的に防止した半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有する島状半導体層、前記島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、及び、前記第１の不純物領域及び第２の不純物領域の間の領域に対応する前記ゲート絶縁膜上の領域に形成されたゲート電極を具備し、前記島状半導体層は、前記島状半導体層を構成する半導体膜の外周部に低濃度不純物領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）