【課題】異なる光感度をもつフォトダイオードを有する画像化アレイおよび関連する画像復元方法を提供する。
【解決手段】画素センサアレイは、第1の利得を有する複数の画素センサと、第1の利得よりも少ない第2の利得を有する複数の画素センサとを含み、第１の利得を有する画素の画素値が飽和するハイライト画素において、その近傍で利用可能な不飽和通常光感度画素の平均値または加重平均値とハイライト画素値との比として算出した補正値で補正する。 （もっと読む）

【課題】ディジタルカメラ画像の輝度を調整する方法を提供する。
【解決手段】ディジタルカメラからの捕獲画像の輝度を調整するための方法には、捕獲パラメータを使用して基準露出値を計算するステップと、周囲照明パラメータの関数として実際の露出値を計算するステップが含まれている。実際の画像飽和値を決定するために基準露出値と実際の露出値が比較される。輝度調整係数を決定するために実際の画像飽和値と画像センサの飽和値が比較され、かつ、輝度調整係数に応答して露出過剰または露出不足を補償するために捕獲画像が調整される。実際の画像飽和値の方が、画像を捕獲するために使用される画像センサの飽和値より小さい場合、あるいは大きい場合、輝度調整係数を使用して画像がスケールアップまたはスケールダウンされる。 （もっと読む）

【課題】ディジタル画像中のハイライト領域および飽和領域を処理するための方法を提供すること。
【解決手段】ディジタル画像上でハイライトの復元を実施するための方法には、飽和したピクセルを識別するために画像中のピクセルと飽和レベル値とを比較するステップが含まれている。飽和したピクセルの飽和マップが作成される。ピクセルの少なくとも1つの色チャネルが非飽和である場合のみ、選択された個々の飽和ピクセルが復元可能ピクセルとして識別される。復元可能ピクセル毎に、選択された飽和ピクセルの上、下、左および右側の最も近い非飽和ピクセルのグループが識別される。復元可能ピクセルの非飽和色チャネルのピクセル値と、近傍の非飽和ピクセルの対応する色チャネルのピクセル値の組合せを使用して、復元可能ピクセルの飽和した色チャネル毎に置換ピクセル値が生成される。 （もっと読む）

【課題】デジタルカラー画像内の欠陥ピクセルを置き換えるための方法を提供すること。
【解決手段】デジタルカラー画像内の欠陥ピクセルを置き換えるための方法は、それぞれのピクセルが選択されたカラーチャネルにおいて欠陥データを有しているかどうかを判別し、そのピクセルに対して、第1基準カラーチャネルが存在しているかどうかを判定し、もしそうであれば、隣接するピクセルのグループを定義し、選択されたカラーチャネルと基準カラーチャネルにおいて非欠陥データを有するm個の隣接ピクセルのそれぞれについて、選択されたカラーチャネルにおける非欠陥データと第1基準カラーチャネルにおける非欠陥データとの間の差の総和を計算し、mで除算した差の総和を第1基準カラーチャネルからの非欠陥データ値に加算して結果を求め、この結果を2で除算して代替データ値を求め、代替データ値を欠陥データの代わりに使用し欠陥データを補正する。 （もっと読む）

【課題】傾きを段階的に増加したランプ波発生する新しいユニット素子のアプローチを提案する。
【解決手段】ランプ波発生のための方法は、基準電源を提供する段階と、加算増幅器を提供する段階と、前記基準電源と加算増幅器との間に並列に接続されたn個のスイッチトキャパシタ素子を提供する段階と、まず動作状態となった各スイッチトキャパシタ素子に電荷を充電し、次に繰り返し処理におけるタイムスロットの固定整数回の各回ごとに前記動作状態となったスイッチトキャパシタ素子の電荷総量を測定するため所定の数のスイッチトキャパシタ素子を選択的に動作させる段階とを具備しており、前記所定の数は、0からｎの範囲となっている。 （もっと読む）

【課題】単一勾配のアナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）を動作させるための方法が提供される。
【解決手段】該方法は、少なくとも１つの電圧ランプ・セグメントを提供するためにランプ発生器を提供する段階と、デルタ・シグマ変調された電圧ランプを発生するよう電圧ランプ発生器にデルタ・シグマ変調を適用する段階と、電圧ランプ発生器と同期してディジタル・カウンタを動作させる段階と、デルタ・シグマ変調された電圧ランプを入力電圧と比較する段階と、比較器の出力に応答してディジタル・カウンタからのカウントをラッチする段階と、を含む。 （もっと読む）

ｐ型半導体領域内に形成された多色ＣＭＯＳ画素センサは、ｐ型領域の表面付近に位置するｎ型半導体材料領域から形成された第１の検出器を含む。このｐ型領域の表面に、第１の検出器を覆って、第１のピン止めｐ型領域が形成され、その表面部分は、ピン止めｐ型領域の縁部を越えて延びる。ｐ型半導体領域内で第１の検出器より下に位置するｎ型領域から、第２の検出器が形成される。第２の検出器には、第２の検出器用のｎ型の深い接触プラグが接触し、ｐ型半導体領域の表面まで延びる。ｐ型半導体領域の表面には、第２の検出器用のｎ型の深い接触プラグの上部を覆って、第２のピン止めｐ型領域が形成される。第２の検出器用の深い接触プラグの表面部分は、第２のピン止めｐ型領域の縁部を越えて延びる。
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簡易化された配線及び低減されたトランジスタカウントを有する垂直色フィルタピクセルセンサ（４２、２８、３６）が開示される。実施形態において、単一の線は、ＶＣＦピクセルセンサ（３０）で、参照電圧、ピクセルリセット電圧、及び列出力信号に対して使用される。もう１つの実施形態において、行リセット信号及び行有効信号は、ＶＣＦピクセルセンサ（３０）のアレーにおいて近傍の行との間で共有される線に亘って送信される。本発明はまた、ＶＣＦピクセルセンサのために最適化されたレイアウトを提供する。ＶＣＦピクセルセンサだけでなく、共有された行リセット、行有効、参照電圧、及び列出力線で、ソースフォロア電圧、ソースフォロア増幅器電圧、及び行有効信号は全て、共通線を共有する。これら結合された線の実施形態は、２つの行有効線だけでなく単一の列出力線で使用されることができる。
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本発明は、画素の表面に配置される吸収フィルタを有することなく衝突光子の色を検出するＣＭＯＳイメージセンサ画素の構造体を詳細に記述する。色検出は、シリコンバルクに配置される３つの電荷検出ノードの垂直な積層物を有することによって達成される。その小さな電荷検出ノードの静電容量と、それによる、低いノイズを有する高感度は、空乏にされない接合電極の代わりに埋め込まれた層を形成する、完全に空乏にされたポテンシャル井戸を用いて達成される。ノードの静電容量を実質的に増加することなく埋め込まれた層に接触する２つの形態が提供される。
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