本発明は、ウエハー洗浄装備に使われるカセットに関するものである。本発明は、第１ウエハーが投入可能な内部空間が形成されたジグ本体と、上記ジグ本体内に装着され、上記第１ウエハーに比べて相対的に直径が小さい第２ウエハーが投入可能な内部空間が形成されたカセットの挿入をガイドするガイド部材とを含むことを特徴とするウエハー洗浄装備用カセットジグを開示する。 （もっと読む）

本発明による両面研磨装置は、ウェハーを対象に両面研磨工程を行う上定盤と下定盤；ウェハーが装着される装着孔が形成された中心プレートと、前記中心プレートが嵌合する嵌合孔が形成され、外周面に歯車部が形成された外周プレートと、を含み、前記装着孔の中心は前記中心プレートの中心から偏心し、前記嵌合孔の中心は前記外周プレートの中心から偏心する複数のキャリア；及び前記外周プレートの歯車部と噛合して前記複数のキャリアに回転力を伝達する太陽歯車及び内歯車；を含み、前記複数キャリアのうち少なくとも２つのキャリアはその中心プレートが嵌合孔に嵌合する方向が調整できるように構成される。 （もっと読む）

半導体ウエハーや基板のような処理対象物を洗浄、食刻など湿式処理する湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレルを開示する。本発明による対象物の湿式処理装置は、処理対象物が収容されて処理される処理槽と、前記処理槽の内部に回転可能に設けられ、表面には対象物を前記処理槽の底面と垂直方向に立てて支持する複数のスロットが形成された棒状の対象物支持棒と、前記対象物支持棒に連結されて前記対象物支持棒を回転させることで前記対象物を回転させる回転手段と、を備え、前記対象物支持棒には、前記対象物に処理流体を噴射する処理流体噴射口、及び前記処理流体噴射口に処理流体を供給する処理流体流路が形成されている。本発明によれば、処理槽内のデッドゾーンを除去して処理流体の均一且つ円滑な流れが可能になり、処理効率及び処理均一度が向上する。 （もっと読む）

【課題】高品質の半導体単結晶インゴットの製造装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体単結晶インゴットの製造装置は、石英るつぼ、上記石英るつぼの側壁周りに設けられたヒーター、上記石英るつぼに収容された半導体融液から単結晶を引き上げる単結晶引上げ手段、及び上記半導体融液に水平磁場を印加し、上記半導体融液の表面（ＭＬ：Ｍｅｌｔ Ｌｅｖｅｌ）を基準にしてＭＬ−１００〜ＭＬ−３５０ｍｍの位置にＭＧＰ（Ｍａｘｉｍｕｍ Ｇａｕｓｓ Ｐｌａｎｅ）を形成し、上記ＭＧＰと石英るつぼ側壁との交差地点に３０００〜５５００ガウスの強磁場を、固液界面の下部には１５００〜３０００ガウスの弱磁場を印加する磁場印加手段を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材基板と窒化ガリウム単結晶層との分離が容易であって大面積化が可能な窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板の製造方法は、（ａ）窒化ガリウムより熱膨張係数の小さい物質からなる偏平な基材基板１０上に窒化ガリウム膜１２を成長させて冷却させることで、基材基板１０と窒化ガリウム膜１２を上方へ凸状に反らせると同時に窒化ガリウム膜１２にクラックを発生させるステップと、（ｂ）上方へ凸状に反った基材基板１０上のクラックが発生した窒化ガリウム膜１２上に窒化ガリウム単結晶層１４を成長させるステップと、（ｃ）窒化ガリウム単結晶層１４が成長した結果物を冷却させることで、上方へ凸状に反った結果物を再び偏平に又は下方へ凸状に反らせると同時に、クラックが発生した窒化ガリウム膜１２を境界に基材基板１０と窒化ガリウム単結晶層１４とを自己分離させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】研削ホイールの寿命を向上させ、ウェハーエッジを品質規格に適合するように加工できる研削ホイールのツルーイング工具及びその製作方法、これを用いたツルーイング装置、研削ホイールの製作方法、並びにウェハーエッジ研削装置を提供する。
【解決手段】本発明によるツルーイング工具（truing tool）は、ウェハーエッジを精削するための精削ホイールのグルーブを補正するためのツルーイング工具であって、前記精削ホイールのグルーブの傾斜面と同じ傾斜を持ち、前記グルーブの断面形状と対応する形状で形成されたツルーア（truer）からなる。前記ツルーイング工具を用いることでウェハーエッジを精削する研削ホイールのグルーブを容易に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】１２インチ単結晶のような大口径単結晶の成長時にプライム（ｐｒｉｍｅ）区間での酸素濃度の偏差を減らせるように酸素濃度の制御ができるるつぼの回転条件を提示する半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼに収容された半導体メルト（ｍｅｌｔ）にシード（ｓｅｅｄ）を浸した後、前記石英るつぼを回転させるとともに水平強磁場を印加しながら引き上げ、固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー（Ｃｚ）法を用いた半導体単結晶の製造方法であって、前記石英るつぼを０.６〜１.５ｒｐｍの速度で回転させながら引き上げる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の長さに応じて単結晶の冷却効率を制御して工程の全区間に亘って均一に無欠陷マージンを維持または増加させ、引上げ速度を向上させることができる極低欠陥半導体単結晶製造方法及びその製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、石英るつぼに収容された半導体メルト（Ｍｅｌｔ）にシード（Ｓｅｅｄ）を浸した後、前記シードを回転させながら上部に徐々に引き上げ固液界面を通じて半導体単結晶を成長させるチョクラルスキー（Ｃｚ）法を用いた半導体単結晶製造方法において、単結晶の成長による単結晶の長さ変化に対応して半導体メルト表面上部の熱空間を増加あるいは減少させ無欠陷マージンを制御することを特徴とする極低欠陥半導体単結晶製造方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンウエハーの洗浄方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、（Ｓ１１）シリコンウエハーの表面を標準洗浄１に従うＳＣ‐１洗浄液で洗浄する段階；（Ｓ１２）上記（Ｓ１１）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；（Ｓ１３）上記（Ｓ１２）段階でリンスされたシリコンウエハーの表面を塩酸、オゾン水及び脱イオン水を含んでなる洗浄液を用いて洗浄する段階；（Ｓ１４）上記（Ｓ１３）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；及び（Ｓ１５）上記（Ｓ１４）段階でリンスされたシリコンウエハーを乾燥させる段階；を含んで行うことを特徴とする。本発明によれば、洗浄工程とともにシリコンウエハーの表面に強い酸化力を持つ物質を用いて安定した表面酸化膜を形成することで、時間が経過しても外部の不純物がシリコンウエハーの表面に吸着されるなどの問題を解決することができ、かつ工程が簡単で安全に行える長所がある。 （もっと読む）

【課題】ウェハーシッピングボックスの洗浄工程が終了した後、トレーを上昇するときに発生する負荷を減らし、乾燥工程を行うときの２次汚染の発生を防止する構造を持つボックスクリーナーを提供すること。
【解決手段】本発明によるボックスクリーナーは、純水が満たされる収容空間が設けられて下部には超音波発生機が配置された超音波洗浄槽と、ウェハーシッピングボックスが積載されるトレーと、前記トレーを前記超音波洗浄槽の内部に投入または搬出させるための駆動力を提供する昇降機構と、洗浄工程が完了した後、前記シッピングボックスを乾燥する乾燥装置を含むボックスクリーナーにおいて、前記超音波洗浄槽の一側には、洗浄工程が完了したときに前記シッピングボックスの内部に気体を噴射して前記シッピングボックス内部の純水を押し出すことで排水する気体噴射部が備えられたことを特徴とする。 （もっと読む）