本発明は、原則的に石英ピースから成るエピタキシャル反応器の反応室に関する；石英ピースは、壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）によって規定される内部空洞（２）を持つ石英ピースの部分（１）を備える；空洞（２）は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーン（３）を備える；ゾーン（３）は、そこで熱せられるサセプター（４）を収容するように適合している；反応室は、対抗壁を形成し前記ゾーン（３）の壁となるように、前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）に隣接して配置される石英の部品（５）も備える。
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本発明が関連するのは、原則的に、中空の石英ピースからなる、エピタキシャル反応器の反応室であって、前記中空の石英ピースは、円柱型、角柱型、錐体型、あるいはピラミッド型の石英ピースの部分（１）と、前記石英ピースの部分（１）の中の軸が通る穴（２）とを備え、前記石英ピースの部分（１）は、三方向のうち二方向に準じて、反応沈着ゾーン（３）を定め、前記軸が通る穴（２）の中に、熱せられる、少なくとも一つのサセプター（４）を収容する。反応室は、石英に基づく物質で作られ、前記サセプター（４）によって放射される赤外線放射を反射し返すように適合された反射層（５）を備え、前記反射層（５）は、前記石英ピースの部分（１）、及び／または、前記反応室の石英の構成要素に塗布される。
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本発明は、ウェーハ処理装置の処理室の中でサセプタを支持し、回転させるためシステムであって、処理室の中に配置され、サセプタ（３）を支持することができる支持部材（２）と、持上げガスの流れによって支持部材（２）を持ち上げることができる手段（４）と、回転ガスの流れによって支持部材（２）を回転させることができる手段（５）とを備えるシステムに関する。
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本発明は、エピタキシャル反応炉の反応チャンバの中に反応ガスを導入するデバイス（１）に関する。本デバイス（１）は、ガス供給パイプ（２）と、この供給パイプ（２）の一方の端部に配置され、供給パイプ（２）を冷却し、それによって、その中を流れるガスを冷却することができる冷却部材（３）と、を備える。
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本発明は、処理装置(１)内でウェーハ(Ｗ)を操作するためのシステムに関し、この処理装置は、吸入口を設けた吸引システム(１０)と、この吸引システム(１０)の吸入口に接続する第１の端部および第２の端部を有する吸引管(７)と、この吸引管(７)の第２の端に接続し、ウェーハ(Ｗ)を操作してこれを吸引により保持するのに適した器具(６)と、吸引管内の圧力の調整機器とを具えている。調整機器は、吸引管(７)に接続して吸引管(７)内の圧力が予め設定した値以下に下がった場合に開くことができる弁(８)を具えている。
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本発明は、エピタキシャル反応装置用サセプタ（３）に関する。サセプタ（３）は、典型的には、その上でエピタキシャル成長が実行される基板を収容する少なくとも１つの凹部（３１１）が設けられている本体（３１）を備えている。サセプタ（３）は、エピタキシャル反応装置の反応室（１２）内に挿入され、該反応室（１２）から取り出されるように、工具（９）により把持され得る突出部分（３２）を備えている。
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本発明は、化学気相成長用のリアクターの反応チャンバー（２）の壁を冷却する方法に関する。この方法は、反応チャンバー（２）の実質的に均一な温度分布を達成するように、チャンバー（２）の壁の少なくとも１つの所定の区域を水で選択的に冷却して、隣接する区域と比べて異なる熱流束を取り除くことにある。好ましい実施形態において、選択的に冷却される区域は、サセプタ（５）の上の区域であり、２つのリブ（８、９）によって範囲を定められる。本発明は、また、この冷却方法を実行するため、リアクターおよび反応チャンバー（２）を含む。
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本発明は、ＣＶＤ反応炉の反応チャンバ（１２）を洗浄するためのプロセスに関し、適切な温度までチャンバ壁を加熱するステップと、チャンバ中にガス流を流入させるステップとを含む。この洗浄プロセスは、チャンバ内の基板上に半導体材料を堆積するためのＣＶＤ反応炉の操作プロセス中で、有利に使用することができる。この操作プロセスでは、チャンバ（１２）中に基板を順次的、循環的に取り付けるステップと、基板上に半導体材料を堆積するステップと、チャンバ（１２）から基板を取り外すステップとを含んだ成長プロセスが設けられる。取り外しステップの後に、チャンバ（１２）を洗浄するためのプロセスが実施される。本発明は、ＣＶＤ反応炉全体を洗浄するためのプロセスにも関し、それには、加熱するステップとともに、ガス流中に化学エッチングする構成要素が設けられる。
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本発明は、エピタキシャルリアクターの反応槽（３）内で回転するサセプタ（２）の位置制御するためのシステムに関する。その制御は、レーザー光線がサセプタ（２）に配されるピン（８）により反射されるとき、光源（１５）により伝播されるレーザービームの経路差に基づいて実行される。
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