【課題】本発明は、窒化物半導体基板の亜鉛イオン注入方法に関する。
【解決手段】上面に窒化ガリウム層を成長させた同種基板を提供するステップと、同種基板を窒化ガリウム粉末が塗布されたるつぼの内部に載置させるステップと、るつぼを加熱炉に装入させるステップと、加熱炉がアンモニアの雰囲気下で亜鉛注入工程を実施するための熱処理工程を進行させるステップと、を含む。このため、本発明に係る製造方法によって高温の熱処理で窒化ガリウム層の分解を最小化し、ｐ型タイプの作製が容易であり、半導体と金属電極との間の接触抵抗を低める効果がある。 （もっと読む）

【課題】コントラスト比および輝度を向上させ、電磁波放射遮蔽効果が高いディスプレイフィルタおよびこれを含んだディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ディスプレイフィルタは、フィルタベースと、フィルタベースの一面に形成された外部光遮蔽層２３０として、透明樹脂材質の基材２３４と、基材２３４の一面に一定周期に離隔して形成されて導電性物質で成されたくさび形ブラックストライプ状の遮光パターン２３６を含む外部光遮蔽層２３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光学層を通じた光学的共振を利用してバックライトの光効率及び色純度を向上させることができるバックライトユニットを提供する。
【解決手段】本発明のバックライトユニット１００は、液晶パネルを有するＬＣＤで用いるバックライトユニットであって、基板３０と、前記基板３０上で互いから離隔して配列している複数の光源４０と、前記光源４０が放出した光を前記光源４０の上側方向に反射する全反射層５０と、前記光源４０の上側に形成され、前記放出した光の一部を透過し、前記放出した光の他の一部を前記基板３０の下側方向に反射するように酸化物層が積層されている光学層６０とを含み、前記光源４０が放出した光の光学的共振を誘起することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の発光ダイオードが放出した光が所定の方向に指向するようにそれぞれの発光ダイオードの放射角度を調節することで、均一な白色光を生成できるバックライトユニット及びその光源を提供する。
【解決手段】本発明のバックライトユニット１００は、基板３０と、前記基板３０上で互いから離隔して配置されている複数の発光ダイオード４２、４４、４６と、前記複数の発光ダイオード４２、４４、４６とそれぞれ結合されて前記発光ダイオード４２、４４、４６から放出される光を所定の方向に指向させる複数のレンズ５２、５４、５６とを含み、前記複数のレンズ５２、５４、５６のそれぞれは前記複数の発光ダイオード４２、４４、４６が放出した光を均一に混合して白色光を生じさせる非対称放射特性を有している。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて、欠陥及びクラック（ｃｒａｃｋ）が最小化され、結晶性に優れた窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶厚膜を製造する方法に関する。
【解決手段】ＨＶＰＥ反応槽内に基板を装着し、ガリウム（Ｇａ）、塩化水素（ＨＣｌ）ガス及びアンモニア（ＮＨ_３）ガスを供給して、基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶厚膜を成長させることにおいて、１）膜表面の反応速度によって成長速度が決定される温度領域（ｓｕｒｆａｃｅ ｋｉｎｅｔｉｃｓ ｒｅｇｉｍｅ）で第１の窒化ガリウム膜を成長させる段階と、２）段階１）で成長された第１の窒化ガリウム膜上に、気相における物質拡散によって成長速度が決定される温度領域（ｍａｓｓ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｒｅｇｉｍｅ）で第２の窒化ガリウム膜を成長させる段階と、を含み、この時、段階２）の成長温度が、段階１）の成長温度より高いことを特徴とする窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】面方位の判別が容易にできるように、面方位の印として、結晶方向において扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有するａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】主面がａ面（｛１１−２０｝面）とされ、結晶方向で１個ないし３個の扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有することを特徴とするａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来の製品よりも、反りが顕著に減少したサファイア基板／窒化ガリウム積層体を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムの膜厚を「Ｘ」とし、積層体の反りの程度を示す曲率半径値を「Ｙ」と記すとき、膜厚に対する曲率半径を表す関数グラフが下式を満たし、この式において、Ｙ_０値が６．２３±１．１５、Ａ値が７０．０４±１．９２、Ｔ値が１．５９±０．１２である時に描かれる関数グラフと一致するか、又は膜厚Ｘに対する曲率半径値Ｙのグラフ図上で該関数グラフの右側に位置するように、サファイア基板上に蝕刻トレンチ（Ｔｒｅｎｃｈ）構造を形成した。


上式中のＹは曲率半径値（単位：ｍ）であり、Ｘは窒化ガリウムの膜厚（単位：μｍ）であり、常数Ｙ_０、Ａ及びＴは、正の数である。 （もっと読む）

【課題】高輝度発光素子等の高電力印加素子用基板として、素子内部に蓄積される熱を減らし素子の寿命を増加させることができる高熱伝導の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相成長法により、ファイア基板上に窒化ガリウム単結晶膜を成長させる際に、ケイ素（Si）、酸素（O₂）、ゲルマニウム（Ge）および炭素（C）で成される群から選択された一つ以上の物質をドーピングし、n−ドーピング濃度を0．7×10¹⁸ないし3×10¹⁸／cm³とすることにより、常温（300K）で少なくとも1．5W／cmKの均一かつ優れた熱伝導度を有する窒化ガリウム単結晶膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】圧力の作用によって測定される研磨量がある臨界点圧力を超えると急増する非プレストリアンスラリーを得るために多様な添加剤が試みられてきたが、スラリーの分散安定性を改善することはできなかった。本発明は分散安定性及び非プレストニアン研磨特性を示して多様な精密電子装置の化学的機械的研磨に有用に用いられ得る研磨スラリーを提供する。
【解決手段】水中に研磨粒子及びアニオン性ポリマー酸分散剤を分散させた後、生成した分散液にアルカリ性物質を研磨粒子１００重量部を基準に０．１〜８重量部の量で添加する段階を含む方法で研磨スラリーを製造する。 （もっと読む）

【課題】数ｍｍの厚さに成長しても反りがほとんどない、独立した窒化ガリウム単結晶厚膜およびその成長方法を提供する。
【解決手段】サファイヤ基板上に、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いてシリコン（Ｓｉ）が過剰にドープされた窒化ガリウム膜を２０〜５０μｍ範囲の厚さに成長させてクラックを誘導し、該積層体を冷却して基板の下部までクラックを伝播させたあと、該窒化ガリウム積層体上にＨＶＰＥによって窒化ガリウム厚膜を成長させる。こうして得られた基板／Ｓｉ過剰ドープされた窒化ガリウム／窒化ガリウム積層体から、誘導されたクラックを有する基板とＳｉ過剰ドープされた窒化ガリウム膜とを除去することにより、表面距離当り＜０００１＞方向に対するｃ軸方向の結晶チルト角の値が０．００２２（°／ｍｍ）以下の、独立した窒化ガリウム厚膜が得られる。 （もっと読む）