説明

エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.により出願された特許

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【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスを提供する。
【解決手段】アンチモン反応物質は、ハロゲン化アンチモン、例えばSbCl、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばSb(OEt)を含んでもよい。酸素ソースは、例えばオゾンであってもよい。いくつかの実施形態では、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。 (もっと読む)


【課題】多孔性低誘電率絶縁膜のトレンチおよびビア内にカバレージ良くライニング層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1パルス期間に供給される第1反応物と、第2パルス期間に供給される第2反応物とを利用する原子層堆積(ALD)プロセスにより成膜する。まずシーリング層を低コンフォマリティーを有する条件で成膜し、ポアをブロックする。この後、接着層を高いコンフォマリティーを有する条件で成膜する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高い反応性をもつガス(ラジカル)を利用できるようにラジカル発生装置を用いて、いかなる元素の薄膜の成長をも容易に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのAl薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム(TMA)にパーツを接触させること、ガス状のTMAの供給を停止すること、チャンバからガス状のTMAを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 (もっと読む)


【課題】部分的なシリコンの選択酸化を行う際、集積回路の露出した金属含有材料が酸化されることを防ぐ製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンおよび金属含有材料は、部分的に製造された集積回路の露出された部分であり、例えばトランジスタの一部を形成してもよい。このシリコンおよび金属含有材料は、酸化剤および還元剤を含む雰囲気中で酸化される。いくつかの実施形態では、この還元剤は約10体積%以下の濃度で存在する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板に対する光学的および/または機械的な接触を必要としない、処理中の基板温度の精度の高い決定方法を提供する。
【解決手段】特定の壁温度を有する少なくとも1つの壁によって囲まれるガス流路を提供するステップと、基板の表面と少なくとも1つの壁との間に隙間ができるように、少なくとも1つの壁に隣接する前記ガス流路に基板を提供するステップと、前記隙間を少なくとも部分的に通って延在するガス流に、前記ガス流路を介して特定の質量流量を提供するステップと、ガス流路に沿ったガス流の圧力低下を判断するステップと、前記質量流量における、ガス流路に沿った圧力低下と壁温度と基板の温度との間の所定の関係を利用して、前記圧力低下から前記基板の温度を得るステップと、を含む基板温度の決定方法が開示される。さらに、開示される方法を実施する装置が開示される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、改善された熱特性を有する半導体処理装置を提供すること、およびその提供方法を提供する。
【解決手段】加熱されたガス状の雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバを含む半導体処理装置であって、多くの機械部品を含み、その部品のうちの少なくとも1つに加熱反射アモルファスSiO粒子コーティングが少なくとも部分的に設けられる装置が開示される。さらに、半導体処理装置の構成要素を処理する方法であって、構成要素の表面にアモルファスSiO粒子コーティングを少なくとも部分的に設けるステップと、任意で、前記塗布されたコーティングの表面を密封するステップと、を含む方法が開示される。 (もっと読む)


Sb−Te、Ge−Te、Ge−Sb−Te、Bi−Te、およびZn−Te薄膜などのTe含有薄膜を形成するための原子層堆積(ALD)プロセスが提供される。Sb−Se、Ge−Se、Ge−Sb−Se、Bi−Se、およびZn−Se薄膜などのSe含有薄膜を形成するためのALDプロセスも、提供される。式(Te、Se)(SiRのTeおよびSe前駆体が使用されることが好ましい(式中、R、R、およびRはアルキル基である)。これらのTeおよびSe前駆体を合成するための方法も提供される。相変化メモリ素子において当該TeおよびSe薄膜を使用するための方法も提供される。 (もっと読む)


【課題】処理中に垂直方向に間隔を空けて配列されている状態でウェハを保持するためのウェハボートを提供する。
【解決手段】処理中に垂直方向に間隔を空けて配列されている状態でウェハを保持するためのウェハボートであって、前記ウェハボートが、実質的に水平状態で前記ウェハを受け入れおよび保持するための、垂直方向に離間している複数の保持位置を含み、保持位置が、ウェハボートの前面からアクセスされることができることで、ウェハの挿入および抜き取りを可能にし、少なくとも1つの保持位置が、ウェハの後方部分を係合するための後方支持体と、ウェハの互いに反対にある側方部分を係合するための2つの側方支持体とを含み、後方支持体が、ウェハボートの前面付近で挿入されているウェハの前方部分が重力によって垂れ下がる状態が少なくとも部分的に補正されるように、前記2つの側方支持体よりも低い位置に配置されているウェハボートが提供される。 (もっと読む)


【課題】堆積チャンバの内部で、異なる物質の複数の膜を連続的なプロセスで堆積する方法を提供する。
【解決手段】堆積チャンバ内に基板を提供する。第1の原子層堆積(ALD)プロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記基板上に、第1の物質の膜を堆積する。これら第1のサイクルは、シクロペンタジエニル金属前駆物質をパルス的に導入することを含む。第2のALDプロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記第1の物質の膜上に、第2の物質の膜を堆積する。前記第2の物質は、前記シクロペンタジエニル金属前駆物質中の金属とは異なる金属を含む。 (もっと読む)


【課題】保護材料でコーティングされた開口を有する半導体処理装置部品及びその形成方法を提供する。
【解決手段】半導体処理反応器部品200のホール210は、大気圧化学気相成長のような方法による保護コーティングの成膜を促進するようなサイズを有する。いくつかの実施の形態では、ホール210は各々、該ホール210を部分的に狭くし、且つ、該ホールを1つ以上の他の部分に分割するフロー狭窄212を有する。いくつかの実施の形態では、1つ以上の他の部分のアスペクト比は約15:1以下であり、あるいは約7:1以下であり、円筒か円錐の横断面形状を有する。ホール210は、大気圧化学気相成長法を含む化学気相成長法によって、炭化けい素コーティングのような保護コーティングでコートされる。 (もっと読む)


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