説明

株式会社日立ハイテクノロジーズにより出願された特許

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【課題】シャワープレート上部に設置された誘電体窓の温度を制御することにより、シャワープレートの温度変動を抑制し、固定時間でのプラズマ加熱によるシーズニングを行うことがを可能にする。
【解決手段】シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを制御範囲の中央Tbから上限Tdまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱する。 (もっと読む)


【課題】半導体製造装置において、被処理基板W1の処理のスループットを落とすことなく、異物が被処理基板W1に付着しない状態を長時間保ちたい。
【解決手段】被処理基板W1に処理を施す複数の処理室1a、1bと、複数の処理室の各室に該被処理基板W1を搬送するための搬送機構と、搬送機構をその内部に有する搬送室9からなる半導体製造装置において、搬送室9内の搬送機構は、接地された導電性ハンド13と、絶縁性ハンド10を備えており、異物付着専用基板W2、および異物付着専用基板W2の搬入搬出室7を設ける。異物付着専用基板W2に異物を付着させ、さらに異物が付着した異物付着専用基板W2を交換できるようにした。 (もっと読む)


【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。
【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。 (もっと読む)


【課題】微動アクチュエータを内蔵した磁気ヘッドの検査において、熱ドリフトや熱膨張の影響を回避して、安定したサーボ制御を実現すること。
【解決手段】磁気ヘッド検査装置10は、磁気ヘッド4を磁気ディスク1上の所望の位置に位置決めする微動ステージ7と、微動アクチュエータの移動特性を測定するデータ処理回路15と、データ処理回路15の測定結果に基づいて磁気ヘッド4を磁気ディスク1上のサーボトラックに追従させるサーボ制御回路11を備える。サーボ制御回路11は、微動アクチュエータの移動量が許容範囲を超えるとき、微動ステージ7を駆動して磁気ヘッド4を移動させ、微動アクチュエータの移動量が許容範囲内に収まるように制御する。 (もっと読む)


【課題】ガス管路118からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部113、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部115と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓111を備えた。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置で用いるシャワープレートの穴部の残渣を効果的に除去することのできるシャワープレートの洗浄方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室にガスを導入するシャワープレートとを備えたプラズマ処理装置で用いるシャワープレートの洗浄方法において、プラズマ処理室にガスを導入するための複数の穴を有し、研磨材で研磨処理されたシャワープレートを準備する準備工程と、濃硝酸と過酸化水素水とを含む硝酸過水を用いて研磨処理されたシャワープレートを洗浄する洗浄工程14とを有する。 (もっと読む)


【課題】走査電子顕微鏡にて凹凸を多く含む試料の観察において所望の箇所で精度よく焦点合わせを行うことができる走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡は、観察倍率以下の倍率で焦点合わせを行い、視野範囲の中で部分的に焦点の合う焦点距離を求め、その前後の焦点距離における像を記憶する。これをとり得る全ての焦点距離に対して行った後で、記憶した画像をもとに、観察範囲の中で焦点距離ごとに焦点の合う領域を求める。この後、焦点の合う位置が複数存在することを表示装置上に観察視野内に焦点の合う候補を囲むような枠や、印を表示させることで示す。使用者が該枠や印を選択するようにすることで、その部位における焦点の合う焦点距離を中心にして再度、焦点合わせを行い、最適な焦点距離を与えるレンズの励磁条件を求め、設定する。 (もっと読む)


【課題】レーザ照射によって生じる脆性基板内の熱拡散による基板の変形を防止する。
【解決手段】脆性基板加工装置は、レーザ光を脆性基板表面上の加工予定ラインに従って所定速度で移動させながら照射し、レーザ光移動後の加熱位置に冷却媒体を吹き付ける。このレーザ加工中に脆性基板の加工予定ラインの両側を押圧手段で押圧することによって、加工時のレーザ照射による発熱を割断ライン付近で吸収すると共に拡散する熱による脆性基板の変形を防止する。ヘッド位置調整手段によって移動時における加工ヘッドの基板に対する間隔をほぼ同一高さに制御する。脆性基板をエアの吹き出しと吸引によりバランスさせて浮上させるエア浮上ステージ手段にて保持する。冷却手段は、液体である冷却媒体とキャリアガスを混合したものを脆性基板表面に適量吹き付ける。 (もっと読む)


【課題】フォトマスク6の変形を高精度かつ短時間に測定できるプロキシミティ露光装置を提供する。
【解決手段】透明基板6bの一方の表面6cに転写パターン6aが形成されたフォトマスク6と、ガラス基板5とのギャップGを狭めるギャップ狭小手段と、透明基板6bの第1端面6eから、転写パターン6aが形成されていない側の透明基板6bの表面6dで全反射し、第1端面6eとは異なる透明基板6bの第2端面6fへ達する光路を含むレーザ光線28の光路の光路長を測定する測長手段24とを有する。レーザ光線28は、第1端面6eから透明基板6b内に入射し、透明基板6b内を、転写パターン6aが形成されていない側の透明基板6bの表面6dに向かって進行する。レーザ光線28は、透明基板6bの内部から、表面6dに、臨界角より大きな入射角で入射し、全反射する。 (もっと読む)


【課題】
半導体等の製造工程で用いられる欠陥検査において、微弱な欠陥散乱光をもとに高速に検査するためにはゲインの高い検出器が必要であるが、一般的な検出器、典型的には光電子増倍管ではゲインを高くするに従い、暗電流ノイズが大きくなり、欠陥検出感度が低下する。
【解決手段】
試料からの反射散乱光を検出する検出光学系に複数の検出器を備え、弱い背景散乱光量を検出する検出器で画素数の少ない光子計数型検出器を適用するとともに、強い背景散乱光量検出する検出器で画素数の多い光子計数型検出器か、あるいはアナログ型の検出器を適用し、更に光子計数型検出器の適用によって発生する散乱光検出強度の非線形性を補正して欠陥散乱光検出信号を補正する。 (もっと読む)


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