【課題】フォトマスク６の変形を高精度かつ短時間に測定できるプロキシミティ露光装置を提供する。
【解決手段】透明基板６ｂの一方の表面６ｃに転写パターン６ａが形成されたフォトマスク６と、ガラス基板５とのギャップＧを狭めるギャップ狭小手段と、透明基板６ｂの第１端面６ｅから、転写パターン６ａが形成されていない側の透明基板６ｂの表面６ｄで全反射し、第１端面６ｅとは異なる透明基板６ｂの第２端面６ｆへ達する光路を含むレーザ光線２８の光路の光路長を測定する測長手段２４とを有する。レーザ光線２８は、第１端面６ｅから透明基板６ｂ内に入射し、透明基板６ｂ内を、転写パターン６ａが形成されていない側の透明基板６ｂの表面６ｄに向かって進行する。レーザ光線２８は、透明基板６ｂの内部から、表面６ｄに、臨界角より大きな入射角で入射し、全反射する。 （もっと読む）

【課題】
半導体等の製造工程で用いられる欠陥検査において、微弱な欠陥散乱光をもとに高速に検査するためにはゲインの高い検出器が必要であるが、一般的な検出器、典型的には光電子増倍管ではゲインを高くするに従い、暗電流ノイズが大きくなり、欠陥検出感度が低下する。
【解決手段】
試料からの反射散乱光を検出する検出光学系に複数の検出器を備え、弱い背景散乱光量を検出する検出器で画素数の少ない光子計数型検出器を適用するとともに、強い背景散乱光量検出する検出器で画素数の多い光子計数型検出器か、あるいはアナログ型の検出器を適用し、更に光子計数型検出器の適用によって発生する散乱光検出強度の非線形性を補正して欠陥散乱光検出信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる、或いは、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、蒸着源内の坩堝に存在する蒸着材料を加熱して蒸発し基板に蒸着し、真空蒸着チャンバ内を開く際には前記坩堝冷却する蒸着装置又は蒸着装置の運転方法において、前記冷却は、単位時間当たりに、前記蒸着物出口から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、クラスタ構造を有し、ライン長を短くできる、あるいは、スペース効率のよい有機ＥＬデバイス製造装置または基板の姿勢を補正する角度補正機構を提供することである。
【解決手段】
本発明は、第１の櫛歯状ハンドによって基板を搬入する搬入口と、第２の櫛歯状ハンドによって前記基板を搬出する搬出口と、前記基板を支持する複数の支持ピンと、複数の前記支持ピンを固定し、前記基板を支持し回転させる支持ピン回転台と、前記支持ピン回転台を前記基板と平行な平面内で回転させる回転駆動手段と、複数の前記支持ピンと、前記第１の櫛歯状ハンドと前記第２の櫛歯状ハンドの少なくとも一方との干渉を回避する回避手段と、有する。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡によるつなぎ写真の作成スループットを向上させる。
【解決手段】試料ステージの移動と同期して試料を動画像撮影し、その後、撮像された動画像を連続視野の静止画像に変換し、それらをつなぎ合わせてつなぎ写真を作成する。 （もっと読む）

【課題】オペレータのスキルによらず、荷電粒子線装置で取得された画像の回転を自動的に補正する。
【解決手段】測長対象であるパターン形状の特徴やパターン配列上の特徴に着目して試料の回転量を検出し、当該検出量に基づいて作業画面上で表示される取得画像の回転角を画像処理により自動的に補正する。または、測長対象であるパターン形状の特徴やパターン配列上の特徴に着目して試料の回転量を検出し、当該検出量に基づいて試料回転機構の回転角を自動的に補正し、その後、測長対象のパターンを再取得する。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査エリア内に損傷ディスクが持ち込まれないようにすること。
【解決手段】検査対象であるディスク３０は搬送カゴ３１に収納して搬送される。センシング部１１は、事前にディスクのキズや割れ欠けといった損傷の有無を検査する。光学式欠陥検査部１０は、ディスク表面の微細な欠陥の有無を検査する。ディスク取出部１７は、センシング部１１の検査結果に応じて、損傷なしとされたディスクのみを搬送カゴから取り出して光学式欠陥検査部１０に供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】上記従来技術では、酸性物質をポストカラム法により誘導体化せずに高速液体クロマトグラフィーによって検出する際にＢＴＢ指示薬法よりも高感度に検出するという課題が知られていなかった。本発明は物質をポストカラム法による高速液体クロマトグラフィーによって検出する際に誘導体化せずにＢＴＢ指示薬法の検出感度よりも高感度に検出することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は蛍光検出可能な蛍光ｐＨ指示薬を利用し、蛍光検出器を有する液体クロマトグラフを提供する。 （もっと読む）

【課題】エッチング終点付近の微小な発光強度変化を確実にかつ早い段階で検出して、エッチングの終点を迅速且つ確実に判定する方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置におけるエッチング処理の終点を判定するエッチング終点判定方法において、前記真空処理室内に生成されたプラズマの発光のうち予め設定された波長の光を抽出し、抽出された前記特定波長の光の発光強度を時系列データとして取得し、取得した時系列データをもとに回帰直線を演算するステップＳ２０４と、該ステップにより求めた回帰直線と前記時系列データとの時間軸方向の距離を演算するステップＳ２０６とを備え、該ステップにより求めた時間軸方向の距離をもとにエッチング処理の終点を判定するＳ２１１。 （もっと読む）