説明

株式会社日立ハイテクノロジーズにより出願された特許

41 - 50 / 4,325


【課題】本発明の目的は、電子顕微鏡を用いた厚膜試料のSEM観察において、原子レベルの像分解能で、かつ高い倍率精度で行うための電子顕微鏡装置、試料作製方法および観察方法にある。
【解決手段】走査透過電子顕微鏡において、前記電子線経路上に前記電子線の収差を補正する収差補正器と、前記試料の電子線回折像及びロンチグラムを観察するカメラを備え、前記カメラにより取得されたロンチグラムを用いて、前記収差補正器を調整し、前記カメラにより取得された電子線回折像を用いて前記電子線の試料に対する照射方向を調整し、当該調整された電子ビームを試料に照射して当該電子線の照射位置から発生する二次電子を検出し、当該二次電子の信号に基づき試料像を形成する走査透過電子顕微鏡。 (もっと読む)


【課題】暗視野方式の検査装置などにおいて、信号を実測しながら検査条件を決める方法では時間がかかることと、設定した感度条件が適切か否かの判断が作業者の裁量に左右されることが課題である。
【解決手段】検査装置において、試料を保持するステージと、前記ステージ上に保持された試料の表面に照明光を照射する照明光学系と、前記試料に照射された照射光によって発生した散乱光を検出する暗視野光学系と、前記暗視野光学系にて検出された散乱光を電気信号に変換する光電変換部と、前記光電変換部によって変換された電気信号をデジタル信号に変化するAD変換部と、前記試料表面上の異物からの散乱光の大きさから異物の大きさを判定する判定部と、前記試料面からの散乱光情報を用いて、検査条件を決定する信号処理部とを有する。 (もっと読む)


【課題】熱アシスト磁気ヘッドが発生する近接場光と磁界との両方を測定して、熱アシスト磁気ヘッドの検査を行えるようにする。
【解決手段】走査プローブ顕微鏡のカンチレバーを、板状の部材の先端部に探針が形成されたレバーと、レバーの探針の表面に薄膜状に形成された磁性体膜と、磁性体膜の表面に形成された貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜とを備えて構成した。また、熱アシスト磁気ヘッド素子を検査する検査装置に、探針の表面に磁性膜が形成されていてこの磁性膜の表面に貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜が形成されているカンチレバーと、カンチレバーの振動を検出する変位検出手段と、近接場光発光部から発生しカンチレバーの探針の貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜で増強された近接場光による散乱光を検出する近接場光検出手段と、変位検出手段と近接場光検出手段とで検出して得た信号を処理する処理手段とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 半導体検査装置で大きさの異なる試料を検査する場合に、試料外縁付近を検査するときに試料近傍の等電位面の分布が乱れるため一次電子線が曲がってしまい、いわゆる位置ずれが発生する。
【解決手段】 試料の外側で且つ試料下面よりも低い位置に電位補正電極を設け、そこに試料よりも低い電位を印加する。また、検査位置と試料外縁との距離、試料の厚さ、および一次電子線の照射条件に応じて電位補正電極に印加する電圧を制御する。 (もっと読む)


【課題】成膜対象となる基板の劣化を防止ないしは抑制する。
【解決手段】原料ガスに光を照射することで種を生成し、種を基板2に堆積させることにより膜を成長させる光CVD装置(成膜装置)1であって、光源13と基板2を保持する試料台(基板保持部)14の間に遮光板(遮光部材)20を配置する。遮光板20は、基板2の成膜面2aと対向する裏面20a、裏面20aの反対側に位置する表面20b、裏面20aおよび表面20bのうちの一方から他方までを貫通する複数の貫通孔21を有している。また、遮光板20の裏面20aと基板2の成膜面2aの距離C1は、原料ガスの気体分子の平均自由行程以下である。 (もっと読む)


【課題】スキャン歪や荷電粒子線のランディング角度のばらつきに起因する測長値器差を低減し、荷電粒子線の絶対的な傾斜角度を高精度に測定する。
【解決手段】試料面上に形成されたピラミッドパターン90のSEM画像の撮像する際に、スキャン方向及び/又は試料5の搭載向きを、正および逆向きに変えた像を取得し、それぞれの結果を画像間で平均化することにより荷電粒子線の傾斜角度を高精度に測定する。これによりスキャン歪の影響や荷電粒子線のランディング角度のばらつきに起因する測長値器差を低減する。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクの変形を補正することによって転写精度を向上させる液晶露光装置を提供する。
【解決手段】ステージ機構42,43と、フォトマスク71を支持するフォトマスク支持フレームと、フォトマスク支持フレームの歪みを検出する歪み検出手段と、フォトマスク71の変形を補正する補正手段と、フォトマスク71の変形パターンと歪みの分布とが対応して記憶されている変形パターン記憶手段と、歪み検出手段によって検出された歪み分布と、変形パターン記憶手段から読み出した変形パターンの歪み分布とを比較して、フォトマスク71の変形パターンを推定し、推定した変形パターン、及び、歪み検出手段によって検出された歪み量に基づいて、フォトマスク71の変形を打ち消す補正量を算出し、当該補正量に対応する電圧を補正手段に対して出力する制御手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】上記従来技術では、酸性物質をポストカラム法により誘導体化せずに高速液体クロマトグラフィーによって検出する際にBTB指示薬法よりも高感度に検出するという課題が知られていなかった。本発明は物質をポストカラム法による高速液体クロマトグラフィーによって検出する際に誘導体化せずにBTB指示薬法の検出感度よりも高感度に検出することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は蛍光検出可能な蛍光pH指示薬を利用し、蛍光検出器を有する液体クロマトグラフを提供する。 (もっと読む)


【課題】エッチング終点付近の微小な発光強度変化を確実にかつ早い段階で検出して、エッチングの終点を迅速且つ確実に判定する方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置におけるエッチング処理の終点を判定するエッチング終点判定方法において、前記真空処理室内に生成されたプラズマの発光のうち予め設定された波長の光を抽出し、抽出された前記特定波長の光の発光強度を時系列データとして取得し、取得した時系列データをもとに回帰直線を演算するステップS204と、該ステップにより求めた回帰直線と前記時系列データとの時間軸方向の距離を演算するステップS206とを備え、該ステップにより求めた時間軸方向の距離をもとにエッチング処理の終点を判定するS211。 (もっと読む)


【課題】メタルマスクを直接冷却することが可能なメタルマスク冷却機構と、そして、当該機構を備えた有機EL成膜装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着チャンバ中で、基板とメタルマスク83とのアライメントを行って蒸着材料を当該基板に蒸着する有機EL成膜装置におけるメタルマスクの冷却機構は、メタルマスクを間に挟み込んで、外形「ロ」の字状に形成され、一方の表面上に前記マスクを取り付ける固定フレーム82の外枠に沿って設けられる、複数の固定板84を備えており、固定板は、各々、熱伝導性に優れた部材により細長い板状に形成されると共に、その内部には冷媒を流すための流体流路を形成すると共に、更に、固定板の各々には、前記固定板の流路に冷媒を供給するための配管と排出するための配管とを設けた。 (もっと読む)


41 - 50 / 4,325