【課題】層をマスクする必要がない、および／または、窒化ガリウムの成長プロセスを中断する必要がない窒化ガリウム半導体構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】非窒化ガリウム柱１００ａを含み、それらの間に溝１００ｂを規定する基板１００であって、その非窒化ガリウム柱１００ａは非窒化ガリウム側壁１００ｃおよび非窒化ガリウム頂部１００ｄを含み、溝１００ｂは非窒化ガリウム底１００ｅを含むものを用いる。この基板１００上に第１の温度で窒化ガリウムを成長させる。次に、第１の温度より高い第２の温度で基板１００上に窒化ガリウムの成長を続ける。 （もっと読む）