説明

エンソン インコーポレイテッドにより出願された特許

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銅又は銅合金基材の表面の耐腐食性を向上させるための方法を開示する。該方法は、浸漬置換めっきによって銅又は銅合金基材の表面上に貴金属を含む金属表面層をデポジットする工程、並びに貴金属表面と相互作用し保護する少なくとも1つの官能基を含む第一有機分子と、銅表面と相互作用し保護する少なくとも1つの官能基を含む第二有機分子とを含む水性組成物に電子デバイスを暴露する工程を含む。 (もっと読む)


【解決手段】はんだ性銅基材上に蒸着した銀コーティングを含む物品の耐腐食性を向上させるための方法を提供する。該方法は、その上に浸漬めっき銀コーティングを有する銅基材を、a)銅表面と相互作用し、かつ保護する少なくとも1つの有機官能基、及び銀表面と相互作用し、かつ保護する少なくとも1つの有機官能基を含む多官能性分子、b)アルコール、並びにc)界面活性剤からなる耐腐食性組成物に暴露する工程を含む。 (もっと読む)


金属被覆するための準備においてプラスチック表面の表面前処理のための酸洗溶液であって、溶液はMn(VII)イオン源;および無機酸を含み;ここで、酸洗溶液はクロム(VI)イオン、アルカリ金属イオンおよびアルカリ土類金属イオンを実質的に含まない。 (もっと読む)


半導体集積回路デバイス基板のシリコン貫通ビアフィーチャー(through silicon via feature)を金属被膜する方法であって、ここで前記半導体集積回路デバイス基板を銅イオン源、有機スルホン酸あるいは無機酸、あるいは分極剤および/あるいは減極剤から選ばれる1つあるいはそれ以上の有機化合物、および塩素イオンからなる電解銅堆積組成物に浸漬することからなる。 (もっと読む)


銅および銅合金からなる基板の腐食抵抗、摩滅抵抗、そして接触抵抗を強化するための方法および組成物。組成物はホスホン酸、ホスホン酸塩、ホスホン酸エステル、リン酸、リン酸塩、リン酸エステルおよびこれらの混合物からなる群から選ばれる酸化リン化合物;第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンそして窒素を含有する複素環芳香族からなる群から選ばれる窒素含有有機化合物;およびアルコールからなる。 (もっと読む)


銅または銅合金基板および基板の表面上に少なくとも1つの金属ベースの層を含むデバイスの耐腐食性、耐摩耗性および耐接触性を強化する方法および組成物。該組成物は、ホスホン酸、ホスホン酸塩、ホスホン酸エステル、リン酸、リン酸塩、リン酸塩、リン酸エステル、およびこれらの混合物から成る群から選択される酸化リン化合物と、窒素含有官能基を含む有機化合物と、25℃での測定で50dyne/cm未満の表面張力を有する溶媒と、を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は基板に銀あるいは銀合金層を堆積するためのシアン化物を使用しない電解質組成と前記シアン化物を使用しない電解質組成の助けでこのような層を堆積する方法に関する。本発明に従う電解質組成は少なくとも1つの銀イオン源、スルホン酸および/あるいはスルホン酸の誘導体、湿潤剤およびヒダントインからなる。このような電解質組成から本発明に従う方法の手段によって堆積される銀あるいは銀合金層は曇っていてそして延性がある。 (もっと読む)


工程は電解めっき銅金属配線で基板の表面を金属配線するために提供され、工程は電解組成物に基板を浸漬することによって電気導電性ポリマー上に銅を電解的に堆積しそして電子の外部源を供給することからなり、ここで電解組成物は銅イオンからなりそして約0.5と約3.5の間のpHをもつ。他の観点で、工程は電解めっき銅金属配線で誘電性基板の表面を金属配線するために提供され、工程は誘電性基板の表面に電気導電性ポリマーを形成するために誘電性基板の表面に電気導電性ポリマーを形成するための前駆体そして少なくとも約0.1g/LのMn(II)イオンの初期濃度を提供するに十分な量のMn(II)イオン源からなる触媒組成物中に基板を浸漬し、そして前記電気導電性ポリマー上に銅を電解堆積することからなる。 (もっと読む)


サブミクロンサイズの配線フィチャーをともなう半導体集積回路基板上に銅を電解的にメッキするための電解メッキ方法と組成。組成は銅イオン源およびポリエーテルグループからなる抑制剤から構成される。方法はフィチャーの底面からフィチャーの頂部開口への縦方向の銅堆積が側壁への銅堆積より大きい超埋め込み速度で急速な底上げ堆積を含んでいる。 (もっと読む)


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