【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴ、このＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板およびそれらの製造方法を得る。
【解決手段】ガラス基板１１上に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に、ゲート電極１２と重ならないように形成されたソース電極１４およびドレイン電極１５と、ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７と、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により形成された島状絶縁膜１８とを備え、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７の島状絶縁膜１８と重ならない領域の抵抗値は、島状絶縁膜１８と重なる領域の抵抗値よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴを、大掛かりな設備投資や成膜装置の設置場所の確保を要することなく量産することができる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に形成された第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７に窒素プラズマを照射するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を窒素雰囲気中でアニールするステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により樹脂絶縁膜である島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】ボトムコンタクト構造で、かつセルフアラインのＴＡＯＳ ＴＦＴにおいて、ＴＡＯＳ層のソース領域およびドレイン領域に相当する領域を十分に低抵抗化できる製造方法、およびこのＴＡＯＳ ＴＦＴを用いた表示装置用電極基板の製造方法を得る。
【解決手段】ゲート電極１２、ソース電極１４およびドレイン電極１５上に、ゲート電極１２を跨いでソース電極１４とドレイン電極１５とを繋ぐように第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７を形成するステップと、第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７上に、ゲート電極１２をマスクとしたガラス基板１１側からの露光により島状絶縁膜１８を形成するステップと、ガラス基板１１の全面に、島状絶縁膜１８をマスクとして、島状絶縁膜１８側からプラズマを照射するステップと、島状絶縁膜１８の周囲に露出した第１、第２ＴＡＯＳ層１６、１７をアルカリ溶液に浸すステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】歩留まりと耐衝撃性を向上することができる高分子強誘電性液晶を用いた液晶表示素子及びその製造方法を得る。
【解決手段】互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板および第２基板の各対向面にそれぞれ形成され、ラビング法によって配向処理された第１配向膜および第２配向膜と、前記第１基板と前記第２基板との間を一定に保つためのスペーサーと、前記第１配向膜が形成された前記第１基板と前記第２配向膜が形成された前記第２基板との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料が封入されて形成された液晶層とを備え、ラビング方向として、前記スペーサーの配列方向に対し角度を持たせた。 （もっと読む）

【課題】高コントラストの高分子強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子を得る。
【解決手段】互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板および第２基板の各対向面にそれぞれ形成され、ラビング法によって配向処理された第１配向膜および第２配向膜と、前記第１配向膜が形成された前記第１基板と前記第２配向膜が形成された前記第２基板との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料が封入されて形成された液晶層とを備え、前記第１及び第２配向膜は、前記第１及び第２配向膜のいずれか一方の配向膜のポリイミド間スペーサー長＝他方の配向膜のポリイミド間スペーサー×２．５×ｎ（ｎは０以上の正の整数）の関係式になる異なる種類の組み合わせでなる。 （もっと読む）

【課題】高コントラストの高分子強誘電性液晶を用いた液晶表示素子及びその製造方法を得る。
【解決手段】互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板および第２基板の各対向面にそれぞれ形成され、ラビング法によって配向処理された第１配向膜および第２配向膜と、前記第１配向膜が形成された前記第１基板と前記第２配向膜が形成された前記第２基板との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料が封入されて形成された液晶層とを備え、第１基板と第２基板のラビング方向は平行でない。第１基板と第２基板に対し、それぞれのラビング軸は液晶の捩れの逆方向に持たせ、線対称である。 （もっと読む）

【課題】高コントラストの高分子強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の製造方法を得る。
【解決手段】互いに対向する第１基板および第２基板の各対向面に、ラビング法によって配向処理された第１配向膜および第２配向膜をそれぞれ形成する配向膜形成ステップと、
前記第１配向膜が形成された前記第１基板と前記第２配向膜が形成された前記第２基板との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料を封入して液晶層を形成する液晶層形成ステップと、 液晶層の形成後、ＩＳＯ温度より急冷により電界印加処理を行う電界印加処理ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】高コントラストの高分子強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子を得る。
【解決手段】互いに対向する第１基板および第２基板と、前記第１基板および第２基板の各対向面にそれぞれ形成され、ラビング法によって配向処理された第１配向膜および第２配向膜と、前記第１配向膜が形成された前記第１基板と前記第２配向膜が形成された前記第２基板との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料が封入されて形成された液晶層とを備え、前記第１配向膜および第２配向膜は、窒素雰囲気中または大気雰囲気中で焼成温度を２３０℃〜３５０℃の範囲で焼成された。 （もっと読む）

【課題】ブラック階調の映像データの残像問題を改善する液晶表示装置及びその駆動方法を具現すること。
【解決手段】液晶パネルと；Ｔ−Ｖカーブの特性によって各階調に対応するガンマ電圧が設定されたガンマ電圧供給部と；前記ガンマ電圧を用いて、入力されたデジタル映像データをアナログ映像データに変換し、前記液晶パネルに出力するデータ駆動部を備え、前記各階調のうち、ブラック階調に対応する前記ガンマ電圧値が０Ｖ〜０．００５Ｖになるように設定された液晶表示装置及びその駆動方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】順次発光と同時発光を選択的に実現するゲートドライバを提供する。
【解決手段】ゲートドライバは第１〜第３クロックに応答してスキャンパルスを出力するシフトレジスタブロックと、スキャンパルスと第３クロックを受け、ターンオンレベルの選択信号に応答してスキャンパルスをそれぞれの第１出力ノードに印加し第１出力ノードを順次ターンオンレベルでセットさせると共に第３クロックをそれぞれの第２出力ノードに印加して第２出力ノードを順次ターンオンレベルでセットさせる一方、ターンオフレベルの選択信号に応答し第１共通信号によって第１出力ノードを共にターンオンレベルでセットさせると共に第２共通信号によって第２出力ノードを共にターンオンレベルでセットさせる選択ブロックと、エミッションパルスを第２出力ノードのセット直前までターンオフレベルで発生し、セット直後からターンオンレベルで発生するバッファーブロックを備える。 （もっと読む）