【課題】表面が平坦化されたＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１１は、研磨された表面が、少なくともＮＨ₃ガスを含む混合ガス雰囲気中、基板温度１０２０℃以上で１０分以上熱処理されることにより、研磨により微細な欠陥が多数形成された基板１１表面において、原子再配列がおこなわれ、基板１１表面が平坦化される。その結果、ＧａＮ単結晶基板１１の表面の平均自乗平方根粗さが０．２ｎｍ以下となり、表面が１原子層に対応したステップとテラスを有するので、この基板１１上に形成するＧａＮエピタキシャル層１２の表面を平坦にすることができる。 （もっと読む）