基板を取り扱う特にコーティングする装置において、プロセスチャンバ1と、その中で処理される基板12を格納するべく搭載開口6,7を介してプロセスチャンバ1に接続された、又は、処理プロセスで用いるマスク10,10'、10"、10'"を格納する少なくとも１つの格納チャンバ2,3と、搭載開口6,7を通して基板又はマスクをプロセスチャンバ1に搭載し又は取り出す搬送装置13と、開始物質をキャリアガスとともにプロセスチャンバ1に導入するべく温度制御可能なガス入口要素4と、処理される基板12を受容するべくガス入口要素4に対向して位置するサセプタ5と、遮蔽位置にあるときガス入口要素4とサセプタ5又はマスク10の間に位置して基板12又はマスク10をガス入口要素4からの熱の影響から遮蔽する遮蔽プレート11と、遮蔽プレート11を基板12の処理前にガス入口要素4に相対する遮蔽位置から格納位置へ移動させ基板12の処理後に格納位置から遮蔽位置に戻す遮蔽プレート移動装置15,16と、を有する。格納位置では遮蔽プレート11が格納チャンバの内部にある。
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【課題】凸状または凹状の温度プロファイルを基板ホルダの表面に生じさせる。
【解決手段】基板ホルダキャリア（１）は支持面（４‘）を備え、複数のガス供給ライン（７、８）が支持面（４‘）に開く。基板ホルダキャリア（１）の上には基板ホルダ（２）が配置されており、その裏面は支持面（４‘）に面し、支持面（４‘）と基板ホルダ（２）の裏面との間の空間にガス供給ライン（７、８）を通って供給されるガスが、基板ホルダ（２）を支持するガスクッション（１９）を形成する。ガスクッション（１９）は、ガス供給ライン（７、８）を通ってガスを供給される複数のゾーン（Ａ、Ｃ）を備える。ゾーン（Ａ、Ｃ）は、それらの間でガスの交換を防ぐ手段によってお互いから分離されている。ゾーン（Ａ、Ｃ）はガス排出ライン（１３、１４）を通ってガスを排出することができる。異なる熱伝導特性を持つガスがそれらのゾーン（Ａ、Ｃ）に供給される。 （もっと読む）

【課題】加熱されるプロセスチャンバーの壁の表面温度に局所的に再現可能な方法で影響を及ぼす。
【解決手段】本発明は、反応炉ハウジングの中に配置された加熱可能なボディ（２）と、ボディ（２）から間隔を空けて配置されており、ボディ（２）を加熱するための加熱デバイス（４）と、ボディ（２）から間隔を空けて配置された冷却デバイス（５）とを備えるＣＶＤ反応炉に関する。加熱可能なボディと加熱デバイスと冷却デバイスとは、加熱デバイス（４）とボディ（２）の間の空間を横切って加熱デバイス（４）からボディ（２）に熱を移動させ、ボディ（２）と冷却デバイス（５）の間の空間を横切ってボディ（２）から冷却デバイス（５）に熱を移動させるように配置される。熱処理中または連続する処理ステップの間に、冷却および／または加熱デバイス（４、５）とボディ（２）との間の空間に制御ボディ（６）を挿入することができる。 （もっと読む）

プロセスチャンバ（１）の床（３）は基板（４）を受容するサセプタ（２）により形成され天井（６）は多数のガス入口開口（１３，１４）を具備するガス入口部品（５）の下面により形成され、ガス入口開口は帯状の第１及び第２のガス入口区域（１１，１２）に分割されており、第１のガス入口開口（１３）は第１のプロセスガスを導入するために第１のプロセスガス供給ライン（９）に接続され、第２のガス入口開口（１４）は第２のプロセスガスを導入するために第２のプロセスガス供給ライン（１０）に接続され、かつ、第１及び第２のガス入口区域は互いに沿って交互に並んでおり、各々は延在方向に対して垂直な方向に一列に並んだガス入口開口を有し、隣り合うガス入口開口の間隔（Ｄ）はプロセスチャンバの高さ（Ｈ）のほぼ１／４であり、ガス入口区域の各々の幅（Ｗ）はほぼ高さ（Ｈ）に相当するＣＶＤ反応炉である。 （もっと読む）

【課題】途中でガス排出エレメントを交換またはクリーニングすることなしに、連続するプロセスステップにおいてサセプタに支持される１つ以上の基板の上に汚染のない半導体層を堆積させる。
【解決手段】プロセスガスは、ガス注入エレメント（８）の流路を通ってプロセスチャンバー（１）の中にキャリアガスとともに導入される。キャリアガスは、実質的にサセプタ（２）に並行にプロセスチャンバー（１）を通って流れて、ガス排出エレメント（７）を通って排出される。分解生成物が、少なくとも基板（２１）の表面上と、サセプタ（２）の下流の端（２’）から間隔（Ｄ）でサセプタ（２）の下流に配置されたガス排出エレメント（７）の表面上との領域において被膜を形成するために成長する。間隔（Ｄ）は、ガス排出エレメント（７）の被膜から第２のプロセス温度で蒸発する分解生成物が対向流拡散によって基板（２１）に到達することを防ぐために十分に大きい。 （もっと読む）

【課題】連続するプロセスステップにおいて、厚い層や多層構造を再現可能な方法で堆積させる。
【解決手段】本発明は、プロセスチャンバーの中でサセプタによって保持される基板上に少なくとも１つの層を堆積させるための装置においてプロセスチャンバーを構成する方法に関する。プロセスガスは、ガス注入エレメントを通ってキャリアガスを用いてプロセスチャンバーに導入される。プロセスガスは、プロセスチャンバーの中で分解生成物に分解する。分解生成物は層を形成する成分を含む。厚い層や多層構造を再現可能な方法で堆積させるために、少なくともサセプタと向かい合うプロセスチャンバーの壁のプロセスチャンバーに面する表面に対して、層成長の間に堆積される層の光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率にそれぞれ相当する光学的反射率、光学的吸収率、および光学的透過率を持つ材料を選択することが提案される。 （もっと読む）

【課題】サセプタの支持面の温度よりわずかに高い基板温度で基板上に１以上の薄い層を堆積させる。
【解決手段】支持面（４’）の温度（ＴＳ）がガス注入部（３）の温度（ＴＧ）より低くなるようにガス注入部（３）および／または支持面（４’）の温度を制御する。プロセスガスが堆積チャンバー（８）に入る前には堆積チャンバー（８）の圧力は第１の圧力（Ｐ１）である。そのとき、サセプタ（４）への熱の流れによって、基板（７）は支持面（４’）の温度よりわずかに高い基板温度（ＴＤ）で一定に保たれる。その後に、堆積チャンバー（８）の第１の圧力（Ｐ１）をプロセス圧力（Ｐ２）まで減少させる。プロセス圧力（Ｐ２）が達成されるとき、支持面（４’）に支持される基板（７）の表面（７’）上にポリマーの形で薄い層を堆積させるために、ポリマーを形成するプロセスガスがガス注入部（３）を通って搬送ガスと一緒に堆積チャンバー（８）の中に流れる。 （もっと読む）

【課題】大きな表面積を覆い、薄く、一様な厚さの重合パラキシリレンの膜を堆積させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、固体または液体の出発原料を蒸発させるための蒸発器（１）を備える。搬送ガスのためのガスライン（１１）が蒸発器（１）に延びる。搬送ガスは、蒸発した出発原料を分解チャンバー（２）に運び、その中で出発原料が分解される。この堆積装置は、更に、プロセスチャンバー（８）を備える。プロセスチャンバー（８）は、搬送ガスによって運ばれる分解生成物が入るガス注入部（３）と、重合させられる分解生成物で覆われることになる基板（７）を支持するためにガス注入部（３）に対向して支持面（４’）を持つサセプタ（４）と、ガス排出口（５）とを有する。ガス注入部（３）は、支持面（４’）と平行に広がるガス放出面（３’）を有する平面ガス分配器を形成し、ガス放出面（３’）全体に渡って複数のガス放出ポート（６）が分布する。 （もっと読む）

【課題】サセプタの支持面の横の温度勾配を小さくして支持面の端の領域を望ましい蒸着温度にする。また、サセプタを反応装置ハウジングの外で容易に清掃可能にする。
【解決手段】カップ状のサセプタは、カップの底によって形成されるサセプタ上部（２）と、カップの側壁によって形成されるサセプタ下部（３）を備える。サセプタ上部（２）は、少なくとも１つの基板のための支持面（４）を形成する平らなベースプレート（２’）を有する。サセプタ上部（２）は、その端がサセプタ下部（３）の末端部（３”）の上に置かれる。サセプタ上部（２）を加熱するための加熱ゾーン（Ａ，Ｂ，Ｃ）が、ベースプレート（２’）の真下に配置される。サセプタ上部（２）をサセプタ下部（３）から分離してプロセスチャンバー（１）から取り外すことが可能であり、サセプタ上部（２）の端とサセプタ下部（３）の末端部（３”）の間の結合部が熱の伝導に対する障壁を形成する。 （もっと読む）

本発明は、ＣＶＤ反応装置用のガス分配器に関し、供給ラインが終端する２又はそれ以上のチャンバ8,9,14を有し、少なくとも１つのチャンバ8,9はガス容器を形成し、かつガス分配器の下面2'に設けたガス出口開口23に、別の少なくとも１つのチャンバ9,14と交差する小管11,12,13を介して連通する。簡易製造及び技術強化のために、ガス分配器1,2は、少なくとも小管11,12,13の領域において互いに上下に配置された複数の加工されたディスクから作製され、それらは圧力及び温度により互いに拡散溶接されている。 （もっと読む）