説明

セメクイップ, インコーポレイテッドにより出願された特許

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【課題】新規なソース材料(特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料)を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源(1)は、プロセスガスを生成する蒸発器(2)と、電子ビーム(32)を指向してイオン化封入物(16)内のプロセスガスをイオン化する電子源(12)と、ビームダンプ(11)と、イオン化チャンバ(5)と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ(37)とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。 (もっと読む)


【課題】固体から昇華した蒸気流れを制御する新規システムを提供する。
【解決手段】昇華された蒸気50の定常流れを真空チャンバ130へ送達する蒸気送達システムは、固体物質29の気化器28、機械式スロットルバルブ100および圧力ゲージ60、真空チャンバへの蒸気導管32を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。気化器の温度は閉ループ制御35により設定点温度に決定される。機械式スロットルバルブは電気制御され、バルブの位置は圧力ゲージの出力に対する閉ループ120で制御される。蒸気の流量は圧力ゲージの出力に比例し得る。気化器から真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面37は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上記スロットルバルブとして作用し得る。 (もっと読む)


【課題】固体から昇華した蒸気流れを制御する新規システムを提供する。
【解決手段】昇華された蒸気50の定常流れを真空チャンバ130へ送達する蒸気送達システムは、固体物質29の気化器28、機械式スロットルバルブ100および圧力ゲージ60、真空チャンバへの蒸気導管32を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。気化器の温度は閉ループ制御35により設定点温度に決定される。機械式スロットルバルブは電気制御され、バルブの位置は圧力ゲージの出力に対する閉ループで制御120される。蒸気の流量は圧力ゲージの出力に比例し得る。気化器から真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面37は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上記スロットルバルブとして作用し得る。 (もっと読む)


【課題】耐用年数を増加し、機器の停止時間を減少させるイオンビームを生成する方法および装置を提供すること。
【解決手段】イオン源(400)の耐用年数は、反応性ハロゲンガス(FまたはCl)を使用して、イオン源(400)および引出し電極(405)のインサイチュでのエッチング洗浄の備えを有する供給源によって、ならびに洗浄間のサービス期間を延長する特徴を有することによって強化または延長される。後者は、正確な蒸気流制御、イオンビーム光学素子の正確な集束、および沈着物の形成を防止するか、または電極の破壊を防止する引出し電極の熱制御を含む。半導体ウェハ処理用のドーパントイオンを生成するためのイオン源から成る装置は、遠隔プラズマ源に結合され、このプラズマ源は、第1イオン源および引出し電極内の沈着物を洗浄することを目的として、第1イオン源にFイオンまたはClイオンを供給する。 (もっと読む)


【課題】新規なソース材料(特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボラン(B1014)、ならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料)を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供すること。
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源(1)は、プロセスガスを生成する蒸発器(2)と、電子ビーム(32)を指向してイオン化封入物(16)内のプロセスガスをイオン化する電子源(12)と、ビームダンプ(11)と、イオン化チャンバ(5)と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ(37)とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。 (もっと読む)


本発明はクラスターボロン(B1822)を合成するための新規方法を提供する。好ましい本発明の方法は、B1822を高収率かつ高純度で生成するための、B20182−の共役酸の生成および溶液中の酸の変性を含む。本発明はさらに、同位体が濃縮されたボラン、特に同位体が濃縮された101822および111822を提供する。
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本発明はクラスターボロン(B1822)を合成するための新規方法を提供する。好ましい本発明の方法は、B1822を高収率かつ高純度で生産するための、B20182−の共役酸の生成および溶液中の酸の変性を含む。本発明はさらに、同位体が濃縮されたボラン、特に同位体が濃縮された101822および111822を提供する。
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本発明はクラスターボロン(B1822)を合成するための新規方法を提供する。好ましい本発明の方法は、B1822を高収率かつ高純度でその場で生成するための、B20182−の共役酸の生成および溶液中の酸の変性を含む。本発明はさらに、同位体が濃縮されたボラン、特に同位体が濃縮された101822および111822を提供する。
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【課題】新規なソース材料(特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料)を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源(1)は、プロセスガスを生成する蒸発器(2)と、電子ビーム(32)を指向してイオン化封入物(16)内のプロセスガスをイオン化する電子源(12)と、ビームダンプ(11)と、イオン化チャンバ(5)と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ(37)とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。 (もっと読む)


【課題】新規なソース材料(特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料)を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源(1)は、プロセスガスを生成する蒸発器(2)と、電子ビーム(32)を指向してイオン化封入物(16)内のプロセスガスをイオン化する電子源(12)と、ビームダンプ(11)と、イオン化チャンバ(5)と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ(37)とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。 (もっと読む)


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