説明

ノースロップ グラマン コーポレイションにより出願された特許

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【課題】水量に関するレーダー画像内にある対象物を検知するデータ処理アルゴリズムを改善する自動目標識別システムの提供。
【解決手段】水中で目標物を検知する方法は、対象領域の複数の画像を捉える工程と、画像からボクセルデータを抽出する工程と、ボクセルデータを処理して対象領域の対象項目を検知する工程とからなる。 (もっと読む)


【課題】侵入検知システムのためのシステムおよび方法を提供。
【解決手段】この侵入検知システムは、監視領域の第1視覚画像を取得するように構成された第1カメラと、監視領域の第2視覚画像を取得するように構成された第2カメラとを備える。この侵入検知システムは、第1画像を監視領域の背景画像と比較するように構成された検出装置も備える。この検出装置は、第1画像と背景画像との間の差分を、潜在的侵入物としてマーキングすることができる。この侵入検知システムはさらに、第1画像の各々を第2画像の各々と比較して評価して、潜在的侵入物に関連付けられた3次元特徴を判定するように構成されたトラッキング装置を備える。 (もっと読む)


エンサークルド遠距離場エネルギーが、放出するアレイの各ファイバからの放射の近接場エネルギー分布を修正することにより、著しく増加される。ファイバからの各ビームレット出力は、ほぼ均一な断面エネルギー分布を有するように修正され、この際その目的のために選択された非球面光学素子の対を用いる。光学素子は、屈折性または反射性のものとすることができる。修正されたビームレットは、組み合わさってほぼ均一なエネルギー分布を有する複合出力ビームを形成する。好ましくは、複合ビームは、ガウシアンに近い分布へのアレイ幅の逆変換を受けて、エンサークルド遠距離場エネルギーがさらに増加され、より効率的な高出力レーザ源を提供する。効率のさらなる獲得は、高いフィル・ファクタをもたらすファイババンドルパターン、レンズアレイパターン、及びレンズ形状を選択することにより、達成される。
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ゲート金属スタックが、HEMT構造内のゲート金属スタックとショットキー障壁層との間の接合部に、モリブデン(Mo)または白金(Pt)など耐火金属の追加の薄層を含むInP高電子移動度トランジスタ(HEMT)構造。耐火金属層は、ゲート金属と障壁層との間のショットキー接合の長期劣化を減少し、またはなくし、それにより、ディスクリートデバイスとして使用されるにせよ、集積回路内で使用されるにせよ、InP HEMTの長期信頼性を劇的に改善し、しかしHEMT性能を犠牲にしない。
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【課題】信頼があり、適用した場合に物体あるいは人物に対して隠蔽するに十分に小さくすることができ、かつ、敵対する人物あるいは軍隊の妨害を困難にする簡単で高価でない変換器を提供すること。
【解決手段】一つの位置で受信されたGPS信号を別の位置への地上波伝送のために異なる周波数に変換するための装置は、地上波送信器の局部発振器(56)を地上波受信器の局部発振器に位相ロックするためにスペクトラムパイロットトーンを使用する。これにより、安全性が増加し、他の方法では使用できない周波数スペクトラムの使用が可能となり、小さいコヒーレンス帯域幅でパイロットトーンとGPS信号のコヒーレンスが許容され、同じ中央周波数で変換後のGPS信号とパイロットトーンの干渉のない伝送を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】収集した情報を広めるのに必要な時間を短縮できるデータ処理システムを提供する。
【解決手段】信号を処理する方法は、画素データワードの列を複数含む画像フレームを受信する工程であって、各列は開始画素データワード及び次の複数の画素データワードを含む工程と、列内の開始画素データワードから、列内の次の各画素データワードを抜き出す工程と、該差分画素データワードを格納及び/又は送信する工程を有する。該方法を実行する装置も本発明に含まれる。 (もっと読む)


3次元(3D)マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)マルチプッシュ電圧制御発振器(VCO)およびその製作方法が提供される。3D MMICマルチプッシュ発振器は、整相リングに、実質的に等距離に離隔された位置で結合された、複数の整合周波数発振器を含む。組み合わされたVCO出力信号が、整相リングの中央出力接続点にもたらされる。中央出力接続点は、第1の平面上にある。出力導体渡り部が、中央出力接続点に結合された第1の端部と、カッドプッシュVCOに対する出力端として設けられた第2の端部とを有する。出力導体渡り部は、第1の平面に対して横向きに延びて、第1の平面から分離された第2の平面で終端する。マルチプッシュ発振器は、特定の実装に基づいて、プッシュプッシュ、カッドプッシュ、またはNプッシュタイプのVCOとすることができる。
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3次元(3D)モノリシック集積回路(MMIC)バラン、及びその製造方法が提供される。螺旋状の一次巻線は、ギャップによって第2の一次巻線と間隔をおいて、実質的に整列された積層構成として配置され、バランを形成する。ギャップの媒体は、複数金属の処理を使用する場合には低誘電率材料、或いはウェハレベルパッケージング処理を使用する場合には空気とすることができる。
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供給コンベヤ(10)を有する郵便物処理システムであって、供給コンベヤはキャリヤ(60)を補助プラットホーム(40)に供給し、補助プラットホームはキャリヤをフィーダ(100)に供給する、システム。
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基板上に回路層を形成することにより、渦巻状に巻かれた回路が生成される。この回路層の上および下に、任意の絶縁体層を配置することができる。この回路層は、メモリ、制御、または他の回路素子であることが考えられ、この回路層は、渦巻状に巻いて、高密度の渦巻状に巻かれたデバイスとなるように基板から解放される。回路層が解放される際に渦巻状に巻く動作を行なう、応力をかけた、渦巻状に巻く層が含まれ得る。
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