【課題】半導体ウェハなど撮像対象物の表面状態をより正確に認識可能な微細領域撮像装置提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１０に電子ビームＸを断続的に照射する電子ビーム照射部１０２と、電子ビームＸの照射によって半導体ウェハ１０に流れる基板電流ｉを、電子ビームＸの照射タイミングと連動して検出する電流検出部１１０と、電流検出部１１０の出力ｏｕｔに基づいて、半導体ウェハ１０の表面状態を示すデータを生成する画像データ生成部１２０とを備える。これにより、基板電流ｉに含まれる複数の成分が時間的に分離されることから、半導体ウェハ１０の現在の照射位置における表面状態を正しく表す情報のみを選択的に取り出すことができ、その結果、半導体ウェハ１０の表面状態をより正確に認識することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】各プロセス毎にプロセスの処理の良否だけでなく、プロセス毎にユーザが発注した半導体装置の最終的に取得できる良品数を推定することが可能な半導体装置製造管理システムを提供する。
【解決手段】半導体装置製造管理システムは、半導体製造センタCに設けられ、チップを製造する製造装置11a〜11cと、ロットの測定データを出力するインライン測定装置と12a〜12cと、ロット毎の生産方法データ，測定データ,測定データに対応した工程のスペック,推定イールド,ロット投入日時タ,工程予定日,各工程毎の実際の完了日,チップの完成予定日データをチップのロット番号に対応して工程毎に記憶するデータベース2と、スペックと測定データに基づいて、推定イールドを演算する推定イールド演算部1aと，ユーザの入力した各データ及び推定イールドで、チップの製造管理を行う製造管理部１bとを有するサーバ１とからなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板などの測定サンプルに対して照射する電子ビームのエネルギーレベルを容易に設定できる電流測定装置及び電流測定方法を提供する。
【解決手段】 電子ビーム３が照射された測定サンプル４に生じる電流を測定する電流測定装置であって、電子ビーム３の放出が可能なように雰囲気制御されたチャンバー１と、電子ビーム３を設定されたエネルギーで放出する電子ビーム源２と、電子ビーム源２から放出された電子ビーム３を測定サンプル４の特定場所に照射する手段と、測定サンプル４に流れる電流について少なくとも増幅する電流測定回路（電流計５）と、前記電流測定回路と接地電位との間にバイアス電圧Ｖｍを印加する電圧印加手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム等のプローブ照射により半導体基板等の測定サンプルに流れる微小電流を、低ノイズでかつ広周波数帯域で測定できる電流測定装置及び電流測定方法を提供する。
【解決手段】 電子ビーム１２等のプローブを測定サンプル４に照射したときに、その測定サンプル４に生じる電流を測定する手段を有する電流測定装置であって、測定サンプル４に流れる電流について増幅する増幅回路として、スイッチトキャパシタ電流増幅回路８を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの照射により生じる基板電流を検出する技術をさらに改善し、コンタクトホールの詳細な形状や半導体デバイスの内部状態を非破壊で検査する。
【解決手段】 平行電子ビーム２を試料５に照射して試料５に流れる電流を電流計９により測定する。電子ビーム２の加速電圧を変えて測定を繰り返し、データ処理装置１０において、加速電圧の違いによる試料５への電子ビーム２の透過率の違いに基づく電流値の違いから、試料５の深さ方向の構造に関する情報を求める。 （もっと読む）

【課題】 人体に蓄積された電荷を放電させる共に、人体の表面電位の測定でき、人体の電荷を放電させるグランドラインが切断又は接触不良となった場合に警報を発することができる人体電位モニター装置および人体電位モニター方法を提供する。
【解決手段】 リストストラップ１０上に配置され、人体に蓄積された電荷をグランドラインを通して放電させるグランドプレート１１と、リストストラップ１０上に配置されたモニタープレート１２と、モニタープレート１２に接続された静電界センサーにより人体電位を計測する人体電位測定回路部２０と、人体電位測定回路部２０の出力信号を所定の基準値と比較して、グランドプレート１１のグランドラインへの導通ルートが失われたことを検出して警報を発生するアラーム発生回路３１とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子機器を静電破壊から効果的に回避する物の構成材料となり得るか否かを、正確に判断できる静電破壊防止用材料の評価方法および静電破壊防止用材料の評価装置を提供する。
【解決手段】 静電気による半導体デバイス又は電子機器の破壊を回避するために用いられる物の構成材料である被評価材料について、複数値の電圧を該被評価材料に印加して該複数値の電圧毎に該被評価材料に流れる電流を測定する電圧対電流特性の測定処理（ステップＳ１０）と、ステップＳ１０での測定処理の結果に、非直線性を示す箇所があるか否かを判断する処理（ステップＳ２０）と、被評価材料の帯電量を測定する処理（ステップＳ３０）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微小な半導体デバイスであっても、短時間で製造工程途中のプロセス評価を実現するデバイス評価用素子等を提供する。
【解決手段】 電子ビームあるいは光によって位置合わせを行うアライメントマークを備え、該アライメントマークから特定距離離れた位置に電子ビーム受容領域を備えた半導体デバイス評価素子を配置する。 （もっと読む）

【課題】 外部からの雑音を減らして精度の高い非破壊検査を可能とする。
【解決手段】 電子ビームを半導体デバイスに照射してそのときに半導体デバイスに生じる電流を測定する半導体デバイス検査装置において、前記測定された電流の波形をあらかじめ設定された標準波形と比較する手段と、前記比較する手段の比較結果から半導体デバイス検査装置の異常か半導体デバイスの検査領域の異常かを識別する手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）