熱処理中の基板への粒子暴露を低減するための装置及び方法が開示されている。半導体ウェハは、２つの部分チャンバに分割されたプロセスチャンバ内の装置において回転させられ、第１の部分チャンバが熱処理される基板を含み、第２の部分チャンバが回転装置の少なくとも部分を含む。部分チャンバの間に、ガスの流れが生ぜしめられ、ガスが第２の部分チャンバから第１の部分チャンバへ流入することが実質的に阻止される。この場合、第２の部分チャンバにおける回転摩耗によって生ぜしめられた粒子が、熱処理される基板に到達することが十分に阻止される。この装置及びこの方法は、回転がガス駆動装置によって実現されるならば特に有利であり、この場合、回転のために使用されるガスが第２の部分チャンバに直接に導入されることができる。
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