【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したコルソン合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ及びＣｏのうち一種以上を０．８〜５．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．５質量％含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなる圧延材であり、板厚に対し４５〜５５％の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞に配向する結晶の面積率が５％以上であり、さらに＜１ １ １＞方向が圧延材の幅方向（ＴＤ）に配向する結晶の面積率が５０％以下であるコルソン合金。 （もっと読む）

【課題】良好な曲げ加工性及び応力緩和特性を兼ね備えたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、圧延平行断面における単位面積当たりの結晶粒個数に対して、結晶粒径が１０μｍ以下の結晶粒個数の割合が１５％以上、２０μｍ以上の結晶粒個数の割合が１５％以上である曲げ加工性及び応力緩和特性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の配線として用いられたときに、長期の使用によっても配線にクラックが発生しない圧延銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供する。
【解決手段】結晶の金属組織の測定点に電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点の周囲に０．５μｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差が２°以上の部位を結晶粒界として前記結晶粒界のΣ値を決定したとき、４００℃で１時間の焼鈍後に測定したΣ１９以上の結晶粒界の長さの合計が８ｃｍ／ｍｍ²以下である圧延銅箔。 （もっと読む）

【課題】銅箔表面近傍のせん断帯を抑制し、屈曲性が向上した圧延銅箔を提供する。
【解決手段】再結晶組織の面積率が50%未満（0%を含む）であり、かつ圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に銅箔厚みの1/10の深さの線を横切って該表面に到達するせん断帯が表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】表面が黒色であり、エッチング性も良好である粗化処理銅箔を提供を提供する。
【解決手段】銅箔の少なくとも一方の表面に、黒色ではない粗化処理層と、ニッケル−タングステン合金めっき層とがこの順に形成されており、当該ニッケル−タングステン合金めっき層のニッケル量が２０００μｇ／ｄｍ²以上である印刷回路用銅箔。 （もっと読む）

【課題】 コネクタ、端子、リレー、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、優れた強度、曲げ加工性を備えたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ０．５〜３．０質量％のＣｏ及び０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ−Ｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：電子後方散乱回折）測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞の面積率が５％以上、Ｂｒａｓｓ方位｛１ １ ０｝＜１ １ ２＞の面積率が２０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１ １ ２｝＜１ １ １＞の面積率が２０％以下であり、加工硬化指数が０．２以下であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】圧延平行断面から見て、好ましくは、３５０℃で３０分焼鈍前の圧延平行断面から見て、或いは最終冷間圧延後において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μｍの深さの線Ｃを横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。３５０℃で３０分間焼鈍前、或いは焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50%未満（0%を含む）である。最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40%を超え、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となり、鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が98.5%以下である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】 ３５０℃で３０分間焼鈍前後の寸法変化率が、圧延平行方向と圧延直角方向でいずれも0〜0.01%である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】低挿抜性、低ウィスカ性及び高耐久性を有する電子部品用金属材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１の最表層を構成し、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層１４と、基材１１とＡ層１４との間に設けられて中層を構成し、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれらの合金で形成されたＢ層１３と、を備え、最表層（Ａ層）１４の厚みが０．２μｍよりも厚く、中層（Ｂ層）１３の厚みが０．００１μｍ以上である電子部品用金属材料１０。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕロスを抑制しつつ銅精鉱からＦｅ濃縮尾鉱を効率良くかつ経済的に除去することができる銅精鉱の処理方法を提供する。
【解決手段】 銅精鉱の処理方法は、黄銅鉱（ＣｕＦｅＳ_２）を含む銅精鉱を硫化する硫化変換工程と、前記硫化変換工程によって得られる硫化変換粒子を、５０％粒子径が１５μｍ〜５０μｍになるように摩鉱する摩鉱工程と、前記摩鉱工程によって得られる摩鉱粒子に対して浮遊選鉱処理することによって、Ｃｕ品位の高い浮選精鉱とＣｕ品位の低い浮選尾鉱とに分離する分離工程とを含む。 （もっと読む）