高松帝酸株式会社により出願された特許

1 - 4 / 4


【課題】確実に片面処理することが可能な表面処理装置を得る。
【解決手段】被処理物であるフィルム1を内部で表面処理するためのハウジング2と、フッ素ガスを含んだ混合ガスのガス源である混合ガス供給部3と、ハウジング2の所定箇所に接続されており、混合ガス供給部3から混合ガスを供給する混合ガス供給管4と、ロール部5と、フィルム1が巻き付けられ、フィルム1をロール部5に送り出すことが可能な送り出しロール6と、ロール部5を介して送られてきたフィルム1を巻き取ることが可能な巻き取りロール7と、ガス排出管8を介してハウジング2内から混合ガスを回収し、フッ素ガスを除去して除害化する除害部9と、を備えているものである。 (もっと読む)


【課題】単量体単位の一部に芳香族環及び/または脂環式炭化水素基を含む高分子化合物の表面を改質する方法であって、印刷性、接着性、塗装密着性を短時間でかつ効果的に改善する。
【解決手段】単量体単位の一部に芳香族環及び/または脂環式炭化水素基を含む高分子化合物の表面に、フッ素ガスまたはフッ素ガスを含む混合ガスを接触させて高分子化合物の表面を改質処理する方法であって、フッ素ガスの分圧(Pa)と処理時間(s)を積算した処理ファクター(Pa・s)が、8〜108000(Pa・s)の範囲内であり、かつ処理時間(s)が180秒以内であり、表面改質処理後の純水についての接触角が40°より大きくなるように処理することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】装置を構成している部材等の損傷及び被処理物の処理ムラを抑止することができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置100は、希釈ガスを供給する希釈ガス供給装置1と、フッ素ガスを供給するフッ素ガス供給装置2と、前記希釈ガスと、前記フッ素ガスとを混合して混合ガスを生成させる混合器5と、前記混合ガスに被処理物を接触させる反応器6とを備えた表面処理装置100であって、前記希釈ガスを加熱する加熱手段8をさらに備えている。 (もっと読む)


【課題】表面処理、改質に使用されたガスにより装置が損傷することを抑止できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置100は、希釈ガスを供給する希釈ガス供給装置1と、フッ素ガスを供給するフッ素ガス供給装置2と、前記希釈ガスと、前記フッ素ガスとを混合し、混合ガスを発生させる混合器5と、前記混合ガスを被処理物に接触させる反応器6とを備えた表面処理装置100であって、前記反応器内から排気ガスを排出する排気装置7と、前記反応器6と前記排気装置7との間に設けられており、前記排気ガスを流通させる複数の流路19、20、21、22と、前記複数の流路の各々に設けられている複数の弁23、24、25、26とをさらに備えている。 (もっと読む)


1 - 4 / 4