説明

ウルトラテック インクにより出願された特許

1 - 10 / 32



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_applicant_list.php on line 189

【課題】光学システムの振動を引き起こす事のない、フォトリソグラフシステムの平均故障間隔(MTBF)に悪影響を与えるおそれのない、光路を通じて、レチクル野を有するレチクルを照射するフォトリソグラフシステムに用いられるプログラム可能な発光体を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフシステム200に用いられるプログラム可能な発光体10は、光源310と、光均一化要素を含む第1光学システム340と、プログラム可能なマイクロミラー装置350と、レチクル210を照射する照射野を形成する第2光学システム360とを備えている。このプログラム可能なマイクロミラー装置350は、従前より、比較的大きな機械装置に求められていた、シャッター機能および縁部露光ブロック機能を実現することができる。このプログラム可能な発光体10を用いた、照射野の均一性の向上に関する方法も開示されている。 (もっと読む)


【課題】時間平均化ライン像を形成するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】強度不均一性の第1量を有するライン像を形成する工程を有している。また、第1量よりも小さい、強度不均一性の第2量を有する時間平均化修正ライン像を形成するために、ライン像に少なくとも部分的に重なる二次像を形成、走査する工程を有している。ウエハの放射率は、二次像の強度を制御するために、リアルタイムで測定される。温度もまた、ウエハの放射率及び二次像の反射性に基づいて、リアルタイムで測定されるとともに、二次像の強度の制御に使用することができる。 (もっと読む)


【課題】出力の増大、起動電圧の低下、直列抵抗の低減を実現するGaN発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】活性層60を挟むn型GaN層40とp型GaN層50とを有するGaN多層構造30を形成する工程を備える。また、レーザーあるいはフラッシュランプを用いてp型GaN層50への10秒あるいはそれよりも短い時間の高速熱アニールを実行する工程を備える。さらに、GaN多層構造30上に透明導電層70を形成する工程と、透明導電層70にp型コンタクト90pを追加するとともにn型GaN層40にn型コンタクト90nを追加する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】出力の増大、起動電圧の低下、直列抵抗の低減を実現するGaN発光ダイオードの形成方法を提供する。
【解決手段】GaN発光ダイオードの形成方法は、活性層60を挟むn型GaN層40とp型GaN層50とを有するGaN多層構造を形成する工程を備える。また、レーザーあるいはフラッシュランプを用いてp型GaN層50への高速アニールを実行する工程を備える。さらに、GaN多層構造上に透明導電層70を形成する工程と、透明導電層70にp型コンタクト90pを追加するとともにn型GaN層40にn型コンタクト90nを追加する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】ポリゲートのレーザーアニーリングでパターン密度効果を低減する。
【解決手段】少なくとも一つの第1レーザービーム168で基板のパターン付き表面12を走査する工程を有している。この少なくとも一つの第1レーザービームは、溶融温度Tmeltから400℃以内にある非溶融温度Tnonmeltまでパターン付き表面を加熱する。また、この方法は、さらに、第1レーザービームとの関連において、少なくとも一つの第2レーザービーム268でパターン付き表面を走査する工程を有している。少なくとも一つの第2レーザービームは、パルス状であり、かつ、少なくとも一つの第1レーザービームによって準備された非溶融温度から溶融温度までパターン付き表面を加熱する。 (もっと読む)


【課題】室温で基板に実質的に吸収されないアニール放射線ビームを使用して基板のレーザー熱アニール(LTA)を行うための装置及び方法を提供する。
【解決手段】方法は、ドープされていないシリコン基板10等における長波長放射線20(1μm以上)の吸収が温度に大きく依存するという事実を利用する。この方法は、長波長アニール放射線が実質的に吸収される臨界温度に基板を加熱した後、基板にアニール放射線を照射して基板をアニールすることができる温度を生成することを含む。 (もっと読む)


【課題】露光領域の縁における形状の歪みを改善する。
【解決手段】チェッカーボードアレイ及びこれを囲むサブレゾリューション・アシスト位相パターンを備える位相シフトマスクである。このチェッカーボードアレイは、180度の位相差を有する交互位相シフト領域Rを有している。このサブレゾリューション・アシスト位相領域R’は、対応する位相シフト領域Rの隣に配設されているとともに、当該位相シフト領域Rとの間で180度の位相差を有している。このサブレゾリューション・アシスト位相領域R‘は、フォトリソグラフによるフォトレジスト加工の際の、不所望なエッジ効果を軽減するために形成される。 (もっと読む)


【課題】LEDに粗面を形成してLEDの発光効率を改善するフォトリソグラフィ法を提供する。
【解決手段】基板のフォトレジスト層に位相シフトマスクパターンをフォトリソグラフィによりイメージングして、フォトレジスト造形物の周期的配列を形成することを備える。基板粗面は、露光されるフォトレジスト層を加工することにより形成され、その結果、基板面に基板ポストの周期的配列が形成される。そして、pn接合多層構造が基板粗面上に形成されて、LEDが形成される。基板ポストの周期的な配列は、基板粗面を有していないLEDに比して、LED発光効率を改善する散乱地点として機能する。位相シフトマスクを使用することで、非平坦なLED基板に適した焦点深度で利用可能なフォトリソグラフィックイメージングを使用することが可能となり、基板ポストの形成に必要な分解能が提供される。 (もっと読む)


1 - 10 / 32