基材上の蒸着アルミニウム層を不動態化するための方法であって、その表面上に蒸着アルミニウムを含む基材を提供する工程；上記基材の上記表面を、ヘキサフルオロジルコネートを含む水性の実質的にクロムフリーの組成物で処理する工程；および上記処理された表面を水でリンスする工程を含む。基材上の蒸着アルミニウム層を不動態化するための方法であって、基材上にアルミニウムの層を蒸着する工程；上記蒸着アルミニウムを有する上記基材を、ヘキサフルオロジルコネートを含む水性の実質的にクロムフリーの組成物で処理する工程；および上記処理された基材を水でリンスする工程を含む。 （もっと読む）

処理される材料（１０）、特に、処理される平坦な材料（１０）の湿式化学処理のためのデバイス（１）は、処理される材料（１０）を処理液（９）で処理するための処理容器（２）と、処理される材料（１０）を処理容器（２）を通して輸送するための輸送デバイス（２４）と、不活性気体（１６）を処理容器（２）に供給するための供給デバイス（１１）とを備える。
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マグネシウムおよびマグネシウム合金基材をジンケート処理するための改良された組成物および方法。約８から約１１のｐＨを有し、かつ亜鉛イオン、錯形成剤、フッ化物イオン、および還元剤を含む、水性ジンケート処理組成物。マグネシウムまたはマグネシウム合金基材をジンケート処理するための非電解方法であって、非電解水性ジンケート処理組成物を、基材上に亜鉛酸塩を析出させるに充分な時間浸漬する工程、を含む、方法。マグネシウムまたはマグネシウム合金基材をジンケート処理するための非電解方法であって、亜鉛イオン、錯形成剤、フッ化物イオンを含み、そして約８から約１１の範囲のｐＨを有する水性非電解組成物を調製する工程；該組成物に、該マグネシウムまたはマグネシウム合金基材上への亜鉛酸塩の析出を向上させるに充分な量の還元剤を添加する工程；および該基材を該組成物中に、該亜鉛酸塩を該基材上に析出させるに充分な時間浸漬する工程；を包含する、方法。 （もっと読む）

亜鉛または亜鉛合金層の電着のための電解質浴のための添加物が記載されている。この添加物は末端にアミノ基を持つポリマーである。これらのポリマーは少なくとも１種のジアミノ化合物（２つの３級アミノ基を持つ）を、少なくとも１種の（疑似）ハロゲン化合物と反応させることによって得ることができる。その際、ジアミノ化合物は化学量論的に過剰で用いられる。この添加物は、特に亜鉛または亜鉛合金層の電着において層厚の均一な分布のみならず気泡形成能が殆どなく且つ燃焼もまれである、作用を示す。 （もっと読む）

被処理材料（１０）の湿式化学処理のためのアセンブリ内を輸送される平面的な被処理材料（１０）から処理液（２１）を除去するために、処理液（２１）を保持するための保持面（４、１４）が提供される。保持面（４、１４）は、被処理材料（１０）が保持面（４、１４）を通過する時に保持面（４、１４）と該保持面（４、１４）に向かい合う被処理材料（１０）の表面との間にギャップ（８、１８）が残るように、被処理材料（１０）の輸送路に関して配置構成される。保持面（４、１４）は、例えば、ロール（２、３）の周囲表面のオフセット部分として提供されてもよい。
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被処理材料（１０）の湿式化学処理のためのアセンブリ内を輸送される平面的な被処理材料（１０）から処理液（２１）を除去するために、処理液（２１）を保持するための保持面（４、１４）が提供される。保持面（４、１４）は、被処理材料（１０）が保持面（４、１４）を通過する時に保持面（４、１４）と該保持面（４、１４）に向かい合う被処理材料（１０）の表面との間にギャップ（８、１８）が残るように、被処理材料（１０）の輸送路に関して配置構成される。保持面（４、１４）は、例えば、ロール（２、３）の周囲表面のオフセット部分として提供されてもよい。
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その内部で、処理に供する材料（２１）が移送面において移送方向（５）に向かって移送される、処理に供する平坦な材料（２１）の化学的処理用および電気化学的処理用の設備中で該材料を移送するために、保持手段（２２、２５）を処理に供する該材料（２１）に取り付ける。保持手段（２２、２５）は、処理に供する材料（２１）を、該材料の端部部分の少なくとも２つの点において保持し、その端部領域は、処理に供する該材料（２１）が移送されている場合に、移送方向（５）に沿って配向される。保持手段（２２、２５）は、該保持手段（２２、２５）を移送方向に移動させて、処理に供する材料（２１）を移送する移送装置（４１）に脱着可能に結合される。処理に供する材料（２１）の移送の少なくとも一部分において、移送面において存在し、かつ移送方向（５）に対して横方向に配向された成分を有する力（６、７）が、処理に供する材料（２１）の領域に、例えば、長手方向端部領域に加えられる。
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【課題】通常の環境及び特異的な環境における耐食性を有し、さらにクロムめっき後の追加処理が不要なクロムめっき部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】クロムめっき部品１は、素地２と、前記素地２上に形成された光沢ニッケルめっき層５ｂと、前記光沢ニッケルめっき層５ｂ上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層５ｂとの電位差が４０ｍＶ以上１５０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層５ａと、前記貴電位ニッケルめっき層５ａ上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している３価クロムめっき層６と、を備える。 （もっと読む）

基板の上側に２００μｍ未満の層厚を有したプラスチック層を製造する方法であって、
粉末散布装置によって基板上側にプラスチック粉末を塗布する工程と、
次に、基板下側を清掃する工程と、
提供したプラスチック粉末を炉内で溶解させ、その結果として、プラスチック層を基板上に形成する工程と、
この基板を冷却する工程と、を含み、
基板は、上記工程を順次連続的に運搬される。
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本発明は、リジッドメモリーディスクの製造を対象とする。本発明は、めっき過程における非金属粒子の析出を回避する金属めっき組成物を包含する。前記めっき組成物は、下記式の脂肪酸エステル硫酸塩添加剤、その混合物またはその塩を含む：
【化１】


（式中、
Ｒ^１は、ＯＨ、ＯＣＨ_２、ＯＣＨ_２ＣＨ_３、および直鎖または分岐鎖のＣ１−Ｃ７アルキルからなる群から選ばれ、
Ｒ^２は、Ｈおよび直鎖または分岐鎖のＣ１−Ｃ７アルキルからなる群から選ばれ、
ｍは、１〜５の整数、
ｎは、２〜３０の整数、
ｏは、０〜１０の整数、
Ｍ^＋は、金属イオン、疑似金属イオン、またはＨ^＋を表す）。
前記添加剤は、非金属粒子の析出を妨げるゼータ電位を有する。さらに、本発明は、少なくとも安定剤、錯化剤、還元剤および金属イオン源を含むめっき浴中の前記添加剤組成物を利用した無電解めっきのための方法を対象とする。

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