【課題】本発明は、デザインと製作プロセスの決定の影響に関する集積回路(ＩＣ)シミュレーション情報の生成法と生成システムを含む。
【解決手段】集積回路用プロファイルベースのシミュレーションデータストアの作成方法であって、構造のプロファイル形状と限界寸法を備えるプロファイルデータを含む入力パラメータの選択されたセットを使用して１つまたは２つ以上のデバイスのシミュレーションを行って、デバイスのデバイス属性を生成し350、光学的計測シミュレータを使用してプロファイルデータに基づいてシミュレーションによる回折信号を生成し、プロファイルデータ及び対応するシミュレーションによる回折信号、１つまたは２つ以上の実行されたシミュレーションを示すシミュレーションタイプ、及びデバイス属性を、対応付けて含むシミュレーションデータストアインスタンスを作成する360。 （もっと読む）

光学計測における2次元構造についてのシミュレーションによる回折信号を生成するのに用いられる回折次数が、第1回折次数と2次元構造の仮説プロファイルを用いて第1のシミュレーションによる回折信号を生成することによって選択される。第2のシミュレーションによる回折信号は、第1のシミュレーションによる回折信号の生成に用いられた仮説プロファイルと同一のものを用いた第2回折次数を用いて生成される。ここで第1回折次数と第2回折次数とは異なる。第1のシミュレーションによる回折信号と第2のシミュレーションによる回折信号とは比較される。第1のシミュレーションによる回折信号と第2のシミュレーションによる回折信号との比較に基づいて、第1回折次数と第2回折次数のいずれを選ぶのかが決定される。
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半導体ウエハ上に形成された構造のプロファイルの決定に使用する１つ又は複数のシミュレート回折信号を生成可能であり、そのプロファイルが複数の次元において変化する。中間計算値が、第１次元及び第２次元における構造の仮想プロファイルのバリエーションに対して生成され、ここで各中間計算値は構造の仮想プロファイルの一部に対応する。そして、生成された中間計算値は保存され、構造の１又は複数の仮想プロファイルについての１又は複数のシミュレート回折信号の生成に使用される。 （もっと読む）

半導体ウェハ上に形成された構造を、一つの入射角及び一つの方位角でその構造に入射光線を向けることによって検査する。入射光線は、方位角の走査を得るために方位角の範囲全体にわたって走査される。方位角の走査中、回折光線の交差偏光成分が測定される。
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半導体ウェハ上に形成された構造を、測定装置を用いて測定された第１の回折信号を取得することにより検査する。第２の回折信号は、機械学習システムを用いて生成される。機械学習システムは、第２の回折信号を生成するために、構造のプロファイルを特徴付ける１以上のパラメータを入力として受け取る。第１の回折信号と第２の回折信号は比較される。第１の回折信号と第２の回折信号が一致基準の範囲内で一致する場合、構造の形状は、第２の回折信号を生成するために機械学習システムで使用されたプロファイル又は１以上のパラメータに基づいて求められる。
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