説明

学校法人関西学院により出願された特許

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【課題】大気中の物質に対する耐食性に優れ、かつ高精度なナノメーター標準原器を提供する。
【解決手段】ナノメーター標準原器としての標準試料は、比較の基準となる標準長さを有している。また、この標準試料は、ステップ/テラス構造が形成されたSiC層を有している。そして、ステップの高さが、SiC分子の積層方向の1周期分であるフルユニットの高さ、又はSiC分子の積層方向の半周期分であるハーフユニットの高さと同一である。また、このステップの高さが前記標準長さとして用いられる。 (もっと読む)


【課題】 更なる添加物との反応を必要とせず、インラインで分光学的な測定が正確に行えるヒドロキシルラジカル濃度の測定方法及び測定装置を提供する。
【解決手段】 本発明のヒドロキシルラジカル濃度の測定装置は、ヒドロキシルラジカルを含む測定対象液1に、ヒドロキシルラジカルと瞬時に反応する反応物を添加する手段2と、添加された測定対象液を導入して、添加時から遅れて前記反応物を分光学的に測定する手段3と、その測定時における前記反応物の副反応による前記添加時からの減量分に関するデータから、前記添加時における前記反応物の反応による減量分を算出する手段4とを含む。 (もっと読む)


【課題】少なくとも表面がSiC層で構成される基板を用いた半導体素子の製造方法において、平坦度及び十分な電気的活性を有する半導体素子を実現する効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、イオン注入工程と、カーボン層形成工程と、イオン活性化工程と、カーボン層除去工程と、を含む。前記イオン注入工程では、前記基板にイオンを注入する。前記カーボン層形成工程では、前記イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。前記イオン活性化工程では、前記カーボン層が形成された基板を加熱してイオンを活性化させる。前記カーボン層除去工程では、前記イオン活性化工程が行われた前記基板を1500℃以上2300℃以下のSi蒸気圧下で加熱して前記カーボン層を除去する。 (もっと読む)


【課題】ペプチドを用いたバイオシリカの製造方法として、従来よりも効率的にシリカを製造できる方法を提供する。
【解決手段】塩基性アミノ酸が3アミノ酸残基毎に配置されてなり、かつαへリックス形成能を有するアミノ酸配列を含むバイオシリカ製造用ペプチド。塩基性アミノ酸が、同一又は異なってアルギニン、リジン、又はヒスチジンであり、さらに疎水性アミノ酸が3アミノ酸残基毎に配置されてなる配列を有する。またケイ酸原が、ケイ酸、ケイ酸のアルカリ金属塩、ケイ酸のアルカリ土類金属塩、及びアルコキシシランからなる群より選択される少なくとも1種のケイ素含有化合物であるバイオシリカの製造方法。 (もっと読む)


【課題】従来のビスフェノールAよりもHIF阻害活性に優れ、好ましくはさらに安全性の高いHIF阻害剤を提供する。
【解決手段】以下の式(3)で表されるビスフェノールA誘導体、その薬理上許容される塩又はその薬理上許容されるエステルを含有するHIF阻害剤。
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【課題】ユーザの視線を精度よく計測できる視線計測装置、方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】この視線計測装置1は、光源7,7からユーザの眼球に向けて照射された光の反射光をカメラ2,2で撮像する撮像手段と、この撮像データを眼球モデルに適用することにより、前記ユーザの注視対象に対する視線を計測する視線計測手段とを備え、眼球モデルは、眼球の光軸を中心として自由曲線を回転することによって構成される回転面からなる非球面回転体モデルであることを特徴としている。 (もっと読む)


【構成】 演奏表情付け支援装置(10)は、表示装置(18)を含み、フレージングに基づく演奏の表情付けを支援する。ユーザが指定したフレーズに対して演奏の表情付けを行う際、表示装置(18)には、テンポ、ダイナミクスおよびアーティキュレーションの3つの演奏表現の表情カーブ50が、同じ画面42上に、同じ時間軸で多重表示される。表情カーブ50は、マウス等の操作によって形状を変化させることが可能であり、ユーザは、この表情カーブ50の修正によって、指定したフレーズに対する演奏の表情付けを行う。
【効果】 テンポ、ダイナミクスおよびアーティキュレーションの関係性を把握し易いので、演奏の表情付けを容易かつ効率的に実行できる。 (もっと読む)


【課題】マイクロパイプ等の欠陥の少ない単結晶炭化ケイ素基板を実現する。
【解決手段】単結晶基板27は、C原子供給基板17と、C原子供給基板17よりも面積の小さい単結晶炭化ケイ素からなるシード面5bを有する基板5´とを対向させると共に、シード面5bとC原子供給基板17との間、及び、シード面5bの面方向外側の領域とC原子供給基板17との間に金属シリコン融液18を存在させて、密閉容器16内で均一に熱処理することにより、シード面5b上及びシード面5bの面方向外側に単結晶炭化ケイ素が液相エピタキシャル成長して製造されるものである。シード面5bの面方向外側に成長する結晶は、シード面5b上に成長する結晶よりも速い速度で成長する。単結晶基板27は、その面積が、シード面5bの面積より大きく、且つ、C原子供給基板17側の表面が、液相エピタキシャル成長によって、シード面5bと平行な平坦状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に4H−SiC単結晶層を効率的にエピタキシャル成長させることができる半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、Si層形成工程と、Si層密閉工程と、加熱工程と、成長工程とを含む。Si層形成工程では、単結晶SiC基板70の表面にSi層71を形成する。Si層密閉工程では、Si層71が形成された単結晶SiC基板70に3C−SiC多結晶層72を形成することで、Si層71を密閉する。加熱工程では、単結晶SiC基板70を加熱することで、3C−SiC多結晶層72の内側でSi層71を溶融させてSi融液層71aを形成する。成長工程では、加熱制御を行うことで、Si融液層71aが、3C−SiC多結晶層72からCとSiとを取り込むとともに、取り込んだCとSi融液層中のSiとを結合させることで、当該単結晶SiC基板70に4H−SiC単結晶をエピタキシャル成長させる。 (もっと読む)


【課題】D−グルコースから短工程且つ高収率でダビジインを工業的に有利に製造するための合成中間体として使用できるグルコース化合物を提供する。
【解決手段】本発明のグルコース化合物は、ダビジインを構成するグルコースの水酸基にエステル結合している5個の3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸の4位の水酸基が全て保護基で保護されているダビジイン誘導体である。該グルコース化合物の水酸基を保護し、次いで脱保護することにより、容易にダビジインを製造できる。 (もっと読む)


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