【課題】容易に組み立てることができると共に、配位多面体と多面体空隙の形状、幾何学的配置を直感的に理解できる多面体結晶構造模型を提供する。
【解決手段】最密充填構造となるように配置された４つの陰イオンの各中心位置を頂点とする正四面体形状の配位多面体を表す配位多面体部品５と、４つの陰イオンの各中心位置を頂点とする正四面体形状の空隙を表す空隙多面体部品６と、６つの陰イオンの各中心位置を頂点とする正八面体形状の空隙を表す空隙多面体部品８等を立方体形状の透明筐体内に装填すること等で、セン亜鉛鉱型構造や逆ホタル石型構造等の結晶構造模型を組み立てる。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】簡便で高精度にプラスチック材質を判別する。
【解決手段】プラスチック材質判別において、プラスチック材からなる物品の遠紫外スペクトルを測定し、次に、遠紫外スペクトルの吸収バンドの吸収端近傍のスペクトル特性より上記物品の材質を分別する。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法において、大面積のエピタキシャル成長を可能とし、かつ低コスト化を図る。
【解決手段】シード基板としての単結晶ＳｉＣ基板１５に対向して、当該単結晶ＳｉＣ基板１５より自由エネルギーの高い炭素フィード基板としての多結晶ＳｉＣ基板２０を配置する。また、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にシリコンプレート２３を配置する。これを真空高温環境で加熱処理し、シリコンプレート２３を融解させ、単結晶ＳｉＣ基板１５と多結晶ＳｉＣ基板２０との間にＳｉの極薄溶融層を溶媒として介在させる。そして、基板１５，２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶ＳｉＣ基板の表面平坦化方法を提供する。
【解決手段】結晶欠陥を含む不安定サイトや、基板表面の研磨時に発生したダメージ層１５ａが存在する単結晶ＳｉＣ基板１５を高真空環境において加熱処理することにより、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面及びその近傍を炭化して炭化層１５ｂを形成する（第１工程）。次に、前記単結晶ＳｉＣ基板１５をシリコンの飽和蒸気圧下で加熱処理することにより、前記炭化層１５ｂの部分にアモルファスＳｉＣからなる犠牲成長層（アモルファスＳｉＣ層１５ｃ）を形成するとともに、このアモルファスＳｉＣ層１５ｃを昇華させて熱エッチングする（第２工程）。この結果、不安定サイトが自己修復された平坦な単結晶ＳｉＣ表面を露出させることができる（ｄ）。このあと更に若干量熱エッチングすることで、非常に平坦化（安定化）された単結晶ＳｉＣ基板１５を得ることができる（ｅ）。 （もっと読む）

【課題】１８０ｎｍ以下の遠紫外域で水などの分光測定を容易に行えるようにする。
【解決手段】全反射減衰型光学プローブは、遠紫外域で光透過特性を有する光学材料からなり、サンプルと接する接触面と、サンプルと接触しない入射面および出射面とを備えるプリズムと、開口部を備える支持部材であって、開口部の近傍で前記プリズムの接触面と気密に接合される支持部材とからなる。接触面、入射面および出射面は、入射面を透過した光が臨界角より大きい入射角で接触面に入射し、接触面で全反射する光が出射面を出ていくように配置される。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ₂Ｏ₅を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】多結晶炭化ケイ素基板を使って単結晶炭化ケイ素種結晶を自己成長させ、単結晶炭化ケイ素種結晶小片を生成する。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素基板５の表面を炭化処理した炭化処理面１１に対向して多結晶炭化ケイ素基板５を近接設置して両者の基板の隙間に金属シリコン融液１２を介在させて液相エピタキシャル成長させることにより炭化処理した多結晶炭化ケイ素基板５の表面に単結晶炭化ケイ素種結晶が自己成長して複数の単結晶炭化ケイ素種結晶小片１３ａが生成される。 （もっと読む）

【課題】単結晶ＳｉＣ基板の炭素面のみならずケイ素面の平坦化を行うことが可能で、かつ環境への負荷も低い表面改質方法を熱エッチングで提供する。
【解決手段】タンタル金属からなるとともに炭化タンタル層を内部空間に露出させるように上下が勘合した収納容器１６に単結晶ＳｉＣ基板１５を収納する。それとともに、加熱室を予め減圧下で１５００℃以上２３００℃以下の温度に調整しておく。そして、収納容器１６を加熱室へ移動することにより、収納容器１６の内部をシリコンの飽和蒸気圧下の真空に保った状態で１５００℃以上２３００℃以下の温度で加熱処理し、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面を分子レベルに平坦化熱エッチングする。 （もっと読む）

【課題】水に溶解した極微量の溶質成分などの遠紫外域での分光測定を可能にする。
【解決手段】光学プローブは、遠紫外域で光透過特性を有する第１の光学材料の第１部分と、上記の面に接して配置される第２の光学材料の第２部分とからなる。たとえば、第２の光学材料は、遠紫外域において第１部分より高い屈折率を有する。第２部分は、サンプルと接する側に、臨界角以上の入射角の光を全反射する面を備える。または、光学プローブは、遠紫外域で光透過特性を有する光学材料からなり、試料と接する側に、臨界角以上の入射角の光を全反射する面を有し、この面の近傍での屈折率が、遠紫外域において他の部分の屈折率より高い。 （もっと読む）