【課題】酵素スフィンゴミエリナーゼの拮抗的阻害剤を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）


（式中、Ｒ^１は水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基であり、Ｑ^１は水素原子、アミノ基の保護基またはアシル基であり、Ｑ^２は水素原子または水酸基の保護基であり、Ｑ^３はＱ^１とは互いに異なり水素原子、アミノ基の保護基、または下記一般式（II）


（式中、Ｒ^２は水酸基または置換基を有してもよい低級アルコキシ基であり、Ｒ^３は水酸基、置換基を有してもよい低級アルコキシ基または酸素アニオンであり、Ｒ^３が酸素アニオンの場合にはＲ^２と一体となってイオン対を形成していてもよい。）で表されるリン酸基である。）で表されることを特徴とするスフィンゴシン１−リン酸窒素置換体、またはその許容される塩。 （もっと読む）

【課題】光学活性スフィンゴシン１−リン酸誘導体を合成するために有用な原料を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は置換基を有していてもよい低級アルコキシ基であり、Ｑ^１は水素原子、アミノ基の保護基、または置換基を有していてもよい炭素数２−２０のアシル基であり、Ｑ^２は水素原子または水酸基の保護基である。）で表される光学活性リン酸誘導体。 （もっと読む）

【課題】本発明は近赤外分光法における検量線補正方法に関し、サンプルが１つで精度よく校正ができる近赤外分光法における検量線補正方法を提供することを目的としている。
【解決手段】校正後の測定スペクトルに対して校正前に作成した検量線を適用するための検量線補正方法において、測定スペクトルに対して、その波数をシフトさせる波数シフト補正を施すとともに、波数シフトされた測定スペクトルに対して、吸光度を変化させるスケール補正を施し、補正後のスペクトルに検量線を適用して検量線出力を得るように構成する。 （もっと読む）

【課題】種々の状態別にサッケードを分類して眼球停留関連電位を算出することにより、精度良く注意集中度を評価することができる眼球停留関連電位解析装置を提供する。
【解決手段】眼球運動及び脳波信号を計測し、計測された眼球運動に基づいてサッケードの発生を判断し、サッケードサイズ及びサッケード終了時点を検出し、サッケード終了時点をトリガとした脳波信号を抽出する。サッケードサイズをサッケードサイズの大きさに応じた状態に分類し、分類された状態の各々に対応する抽出された脳波信号の相加平均を算出することにより分類された状態毎の眼球停留関連電位を算出すると共に、分類された状態の各々に対応するサッケードサイズに基づいて状態毎の平均サッケードサイズを算出する。 （もっと読む）

【課題】スフィンゴ脂質の細胞内での挙動を解明するために有用なスフィンゴシン類縁体を合成するために有用な原料を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）


（式中、Ｑ^１は水素原子またはアミノ基の保護基、Ｑ²は水素原子または水酸基の保護基であり、Ｑ^３は水素原子またはチオール基の保護基または一般式（II）


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は置換基を有してもよいアルコキシ基である。）である。Ｑ^１およびＱ^２は一体となって環を形成していてもよい。）で表されるチオアミノアルコール類。 （もっと読む）

【課題】生体内情報伝達に関与しているスフィンゴ脂質の細胞内での挙動を解明するために有用な蛍光標識基部位を有し、かつリン酸エステル部分が加水分解されにくいスフィンゴシン類縁体を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）


（式中、Ｑ^１は水素原子またはアミノ基の保護基またはアシル基であり、Ｑ²は水素原子または水酸基の保護基であり、Ｗは蛍光標識基であり、Ｘは炭素数１〜１５のアルキレン基であり、Ｙは 水酸基または置換基を有してもよい低級アルコキシ基であり、Ｚは水酸基、置換基を有してもよい低級アルコキシ基または酸素アニオンであり、Ｚが酸素アニオンの場合にはＹと一体となってイオン対を形成していてもよい。Ｑ^１およびＱ^２は一体となって環を形成していてもよい。）で表される蛍光標識化スフィンゴシン１−リン酸Ｓアナログ体。 （もっと読む）

【課題】 単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）のマイクロパイプ欠陥を短時間で修復することに加えて、不純物原子をイオン注入した多結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板をソースとして半導体単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜を気相エピタキシャル成長することを可能とし、ＳｉＣ高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産可能となる方法を提供する。
【解決手段】 表面にドーパントをイオン注入した前記多結晶ＳｉＣ基板１９に対し、単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板５を近接又は密接させて密閉容器に収納して、１，６００℃〜２，１００℃（好ましくは１，７００℃〜１，９００℃）の高温に短時間で加熱して熱処理する。単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板５と多結晶ＳｉＣ基板１９との距離（隙間ｇの大きさ）は、密接から０．６ｍｍ以下が好ましく、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下が更に好ましい。 （もっと読む）

【課題】 単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）に対するイオン注入アニール方法において、イオンドープの電気的活性度が良好であると同時にアニール処理による表面粗れを低減でき、且つスループットが良好な方法を提供する。
【解決手段】 表面にドーパントをイオン注入した前記単結晶ＳｉＣ基板５のイオン注入面に対し、他の単結晶ＳｉＣ基板５のイオン注入面を近接又は密接させて配置するか（選択図（ａ））、多結晶ＳｉＣ基板１９を近接又は密接させて配置し（選択図（ｂ））、１，６００℃〜２，１００℃（好ましくは１，７００℃〜１，９００℃）の高温に短時間で加熱して熱処理する。単結晶ＳｉＣ基板５同士の距離、又は単結晶ＳｉＣ基板５と多結晶ＳｉＣ基板１９との距離（隙間ｇの大きさ）は、ゼロ（密接）又は０．６ｍｍ以下とするのが好ましく、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下が更に好ましい。 （もっと読む）

【課題】 マスト細胞の脱顆粒を生理的条件下で有意に抑制する化合物を見出すこと。
【解決手段】 セラミドキナーゼの活性を生理的条件下で有意に阻害し得る新規化合物およびその製造方法を提供すること。 （もっと読む）

【課題】 安価で、かつ種結晶の欠陥に起因する品質の低下を低減した単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 種結晶となるＳｉＣ単結晶２８をＣ原子供給基板１７に対向させ密閉容器１６内で高温熱処理を行い、前記ＳｉＣ単結晶２８と前記Ｃ原子供給基板１７との間に金属Ｓｉ融液１８を介在させ液相エピタキシャル成長させる。種結晶となるＳｉＣ単結晶２８は、Ｃ原子供給基板１７よりも面積を小さくして、複数設置する。この種結晶２８の上面部分に単結晶ＳｉＣ２０が生成されたときに、その単結晶ＳｉＣ２０の、前記Ｃ原子供給基板１７に対向する方向と垂直な方向における周囲に金属Ｓｉ融液１８を存在させるようにする。こうして、単結晶炭化ケイ素２０を、前記Ｃ原子供給基板１７に対向する方向と垂直な方向（面積が広がる方向）に液相エピタキシャル成長させ、種結晶２８よりも広面積の基板２７を得る。 （もっと読む）