説明

学校法人関西学院により出願された特許

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【課題】反応槽内で生じ得る気体又は固体の不純物を光学プローブから良好に除去することができる不純物除去装置、及び当該装置を備える分光分析装置を提供する。
【解決手段】不純物除去装置20は、反応槽Cに収容される溶液Sに浸漬される光学プローブ11から気体又は固体の不純物を除去する装置であり、一端21aが反応槽C内の溶液Sに浸漬した状態で光学プローブ11に向けて配されたチューブ21と、チューブ21の他端21bに接続されて、一端21aを介した反応槽C内の溶液Sの吸入及び排出を行うポンプ22と、光学プローブ11を介した検出光から求められるスペクトルの特定波数成分が予め設定された閾値よりも小さくなった場合にポンプ22を動作させる制御部23とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に単結晶SiCのエピタキシャル層を形成する構成の半導体ウエハの製造方法であって、製造コストの低減及び半導体ウエハの大口径化を実現する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、カーボン層形成工程と、貫通孔形成工程と、フィード層形成工程と、エピタキシャル層形成工程と、を含む。カーボン層形成工程では、多結晶SiCで構成される基板70の表面にカーボン層71を形成する。貫通孔形成工程では、基板70に形成されたカーボン層71に貫通孔を形成する。フィード層形成工程では、カーボン層71の表面にSi層72a及び3C−SiC多結晶層73を形成する。エピタキシャル層形成工程では、基板70を加熱することで、貫通孔を通じて露出した基板70の表面に4H−SiC単結晶で構成される種結晶74を形成し、前記種結晶74を近接液相エピタキシャル成長させて4H−SiC単結晶層74aを形成する。 (もっと読む)


【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造の加工を可能にする。
【解決手段】基板上の三次元微細構造は、以下の方法で作製される。第1工程では、真空中でIII−V族化合物半導体基板1の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板1の表面の自然酸化膜2をIII族酸化物3に置換させ、改質マスク部3を周期的に形成する。第2工程では、真空中で前記基板1を昇温させることにより、前記改質マスク部3以外の部分の前記自然酸化膜2を脱離させて基板表面を露出させる。第3工程では、真空にV族原料を供給した環境下で前記基板1を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部3上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み4を形成する。第4工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み4の部分にIII−V族化合物半導体結晶5を選択成長させる。 (もっと読む)


【課題】所定数・所定配置のカメラと光源を用いて視線計測可能範囲を拡大し、大画面などの広い領域に対応できる視線計測装置および方法を提供する。
【解決手段】眼球を中心とし、異なる位置同士の光源の位置とカメラの位置とから決定される第1視線計測可能範囲候補が少なくとも3つ重なる第1の視線計測可能領域、カメラレンズ中心と同一位置に光源が配置されるものがある場合、同一位置にあるカメラと光源から決定される第2視線計測可能範囲候補が第1視線計測可能範囲候補と重なる第2の視線計測可能領域、第2視線計測可能範囲候補同士が重なる第3の視線計測可能領域、これらの第1,第2,第3の視線計測可能領域を含む範囲内に、計測対象の大画面ディスプレイなどの計測対象領域が収まるように、個々のカメラおよび光源が配置される。 (もっと読む)


【課題】単結晶炭化ケイ素種結晶小片を水平方向に液相エピタキシャル成長させた面積の大きい単結晶炭化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板13bは、表面を局部的に炭化処理した多結晶炭化ケイ素基板5と多結晶炭化ケイ素基板5とを金属シリコン融液12を介して近接対向配置させた多結晶炭化ケイ素基板の複合体を収納容器に収納して加熱処理を行い、多結晶炭化ケイ素基板15の炭化処理面11に単結晶炭化ケイ素を液相成長により自己成長させて単結晶炭化ケイ素種結晶小片13aを生成し、更に液相成長を継続することで、単結晶炭化ケイ素種結晶小片13aを前記対向方向と直交する方向に液相エピタキシャル成長させて生成されており、その外周部に面方向に結晶成長した部分を有する。 (もっと読む)


【課題】少なくとも表面がSiC層で構成されるとともにオフ角を有する基板を用いた半導体素子の製造方法において、イオンを活性化する際に発生するステップバンチングを除去可能な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、イオン注入工程と、カーボン層形成工程と、イオン活性化工程と、除去工程と、を含む。イオン注入工程では、基板にイオンを注入する。カーボン層形成工程では、イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。イオン活性化工程では、カーボン層が形成された基板を加熱してイオンを活性化させる。除去工程では、イオン活性化工程が行われた基板をSi蒸気圧下で加熱することで、カーボン層と、イオン活性化工程で基板表面に発生するステップバンチングと、を除去する。 (もっと読む)


【課題】180nm以下の遠紫外域で水の分光測定を容易に行えるようにして、水溶液中の微量な溶解成分などを高感度に検出し、定量分析できる全反射減衰型光学プローブを提供する。
【解決手段】全反射減衰型光学プローブは、遠紫外域で光透過特性を有する光学材料からなり、少なくとも一部において屈折率が連続的に変化する全反射減衰型光学プローブであって、サンプル物質と接する側に、臨界角以上の入射角の光を全反射する平面を有し、平面の一部を含む平面近傍部分での遠紫外域での屈折率がその他の部分およびサンプル物質の屈折率より高い。 (もっと読む)


【課題】不全角化を起因とする皮膚の状態を予防または改善する皮膚外用剤の提供。
【解決手段】式(I):


〔式中、Xaa1およびXaa5はセリル基、スレオニル基、チロシニル基、Xaa2はイソロイシル基、バリル基、ロイシル基、Xaa3およびXaa4はアスパラギニル基、グルタミニル基、アスパラチル基、グルタミル基、Cysはシステイニル基、R1は式(II):


(式中、nは1〜10の整数を示す)または式(III):


(式中、nは1〜10の整数を示す)〕の環状ペプチド化合物を含有する皮膚外用剤。 (もっと読む)


【課題】 故障時にも代替経路を利用して通信が継続できるようなNW設計方法において、ノード次数とトポロジ直径の制約上限を満たす条件の下で、設置するリンク数を最小化したネットワーク設計を可能にする。
【解決手段】 本発明は、次数(ノードに接続するリンク数)制約を満たす全域木を構成し、次に、全域木に辺を付加することで直径を抑えたグラフを出力し、最後に経路長増加率を抑えるように辺を付加することにより、リンクを設置可能な位置集合、ノード次数の制約上の上限値、トポロジの直径の制約上限値、単一リンク障害時の経路長増加率の最大値の制約条件値を入力とした場合に、ノード次数とトポロジ直径の制約上限を満たす条件の下で、設置するリンク数を最小化するようにネットワークを設計できる。 (もっと読む)


【課題】近赤外光及び赤外光のスペクトルについての知識が十分でなくとも、サンプルの特性を容易且つ短時間で分析することができる分光分析装置及び方法を提供する。
【解決手段】分光分析装置1は、近赤外光スペクトル測定部40で測定された近赤外光のスペクトルと赤外光スペクトル測定部30で測定された赤外光のスペクトルとを合成して合成スペクトルを得た後に、予め測定された基準スペクトルと合成スペクトルとの差スペクトルを求め、この差スペクトルを用いて二次元相関演算を行って近赤外光のスペクトルと赤外光のスペクトルとの相関を求めるPC70を備える。 (もっと読む)


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