【課題】高精度な周波数変調が可能なスペクトラム拡散クロック発生回路を提供する。
【解決手段】このスペクトラム拡散クロック発生回路において、ＰＬＬ回路３１は、それぞれ位相の異なるクロック信号ＣＬＫＶ１〜ＣＬＫＶ５を出力する。セレクタ２３は、クロック信号ＣＬＫＶ１〜ＣＬＫＶ５のうちのいずれか１つを選択し、制御回路２４はセレクタ９の信号選択動作を制御する。入力分周回路１は選択クロック信号を分周して基準クロック信号ＣＬＫＲを出力する。ＰＬＬ回路２１は、基準クロック信号ＣＬＫＲを周波数逓倍した発振クロック信号ＣＬＫＯを生成する。これにより、発振クロック信号ＣＬＫＯの位相を微調整することができる。したがって、高精度な周波数変調が可能なスペクトラム拡散クロック発生回路が実現できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ表面の検査結果はいわゆるウエハ・マップ・データとして表示画面に表示可能な形で電子情報処理システムに格納され、後の処理に活用される。従って、裏面検査の結果もウエハ・マップ・データに反映する必要があるが、欠陥や不良のあった裏面の位置と対応する表面の位置を検査者が判断して当該不良情報をウエハ・マップ上に登録する必要がある。しかし、このような表裏の対応付け作業はウエハの大型化に伴い著しく困難なものになってきている。
【解決手段】本願発明はウエハ・プロセス完成時の外観検査において、ウエハ裏面の不良位置と対応するウエハ表面の位置を自動的に対応させることで、ウエハ裏面の外観不良データのウエハ・マップ・データへの反映を確実にするものである。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの製造難易度を定量的に表現し、フォトマスクを効率的に製造できる技術を提供する。
【解決手段】マスク製造負荷予測システムによる計算で求めたマスク製造負荷指数でマスクレイアウト、製品およびマスク層ごとに異なるマスク製造難易度を相対的に把握し、レイアウト修正可能な段階では最終的なレイアウトを難易度の低いものに修正し、マスク発注者からマスク製造者に早いタイミングでマスク製造難易度に関する情報を提供する。マスク製造負荷指数は、欠陥保証負荷指数と描画負荷指数とで示す。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの出力電極とインピーダンス整合回路としての伝送線路変圧器ＴＬＴとを接続する際にＴＬＴのインピーダンス整合の条件を維持すること。
【解決手段】ＲＦ増幅装置は、アンテナに供給される送信電力を生成するトランジスタＱの出力電極に接続された伝送線路変圧器ＴＬＴを具備する。ＴＬＴの主線路Ｌｏｕｔの一端Ｉｎ(Ａ)にはトランジスタの出力電極からの送信電力が供給され、ＴＬＴの副線路Ｌｉｎの一端Ｌｉｎ(Ｂ)は交流接地点に接続される。副線路の他端Ｌｉｎ(Ａ)は主線路の一端に接続され、主線路の他端Ｏｕｔ(Ａ)からアンテナに供給される送信電力が生成される。ＴＬＴの主線路と副線路とが近接して対向したエネルギー結合部では、副線路から主線路へ結合エネルギーが伝達される。トランジスタの出力電極と電気的に接続された接続部材ＢＷは、エネルギー結合部の一部の主線路と副線路との一方に形成された接続部ＣＰと接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の高集積化及び低コスト化を可能にする複数のトランジスタセルを含む半導体装置を提供することを第１の目的とし、高密度に集積化された小型の半導体集積回路装置を安価に提供する。
【解決手段】基板上に、それぞれ第１層、ベース層、及び、第２層を順に有し、前記第１層、及び、前記第２層の一方がコレクタ層であり、他方がエミッタ層であるトランジスタセルを複数含み、前記各トランジスタセルの前記第１層に接続される第１電極が、前記第１層に形成されたエッチング溝に形成された半導体装置において、前記エッチング溝は、その長手方向に沿った側面が順メサ面となっており、複数のトランジスタセル間の前記第１電極が、前記各順メサ面に交差するように設けられた、まとめ配線によって接続される半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】容易に又は効率的に高機能化を実現可能なモータ制御装置を提供する。
【解決手段】例えば、モータ制御装置ＩＣ内に、スロットル電圧ＴＨＲＴＬに基づいてＰＷＭ信号を生成するＰＷＭコンパレータ部ＰＷＭＣＭＰ１と、ＰＷＭ信号を用いてインバータ部ＩＶ＿ＢＫを所定のシーケンスで制御するＰＷＭ制御部ＰＷＭ＿ＣＴＬ等に加えて、ＦＶ変換部ＦＶＣおよび外部端子Ｐ９を設ける。ＦＶＣは、モータ部ＭＴのホールセンサからの周波数信号を受け、この周波数信号の周期をカウントし、その逆数を演算した結果をアナログ電圧に変換することで、周波数に比例した速度電圧信号ＦＶをＰ９より出力する。このＰ９にはスピードメータ等が直接接続される。さらに、ＦＶＣは、車両速度を一定に保つクルーズコントロール部ＣＲＵＳ等でも利用される。 （もっと読む）

【課題】シリサイド層を備える半導体装置において、シリコン基板と不純物拡散層との間の接合リーク電流を低減することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）シリコン基板１表面に不純物拡散層５，８を形成する工程と、（ｂ）不純物拡散層のうち第２の不純物拡散層８上に、ニッケルからなる金属膜９を形成する工程とを備える。そして、（ｃ）窒素濃度が８０％以上の雰囲気で、スパッタによりチタンを含むチタンナイトライド膜１０を金属膜９上に形成する工程を備える。そして、（ｄ）工程（ｃ）の後に、熱処理により第２の不純物拡散層８のシリコンと、ニッケルとを反応させてシリサイド層１１を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】同一チップ内に不揮発性メモリを備える半導体装置において、集積度を向上させる。
【解決手段】共通の浮遊電極ＦＧを備える書き込み／消去用素子ＷＤと、読み出し用トランジスタＱＲと、ＭＩＳキャパシタＣとを有する不揮発性メモリセルＮＶＭにおいて、上記書き込み／消去用素子ＷＤと読み出し用トランジスタＱＲとは、半導体基板１の主面Ｓ１上に配置された同一のｐ型の動作素子形成用ｐウェルＰＷ１内において、電気的に接続されるようにして形成され、上記ＭＩＳキャパシタＣは、動作素子形成用ｐウェルＰＷ１と分離され、かつ、動作素子形成用ｐウェルＰＷ１に沿うようにして配置されたｐ型のキャパシタ形成用ｐウェルＰＷ２内に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置を小型化してもリードの脱落を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】リード１１の上面にハーフエッチにより凹部１７´が形成されたリードフレーム１８を準備する。ダイパッド１３上に半導体チップ１４を搭載する。樹脂１６で一括封止する。樹脂１６で封止したリードフレーム１８をブロック１９ごとに分離する。樹脂封止工程において、凹部１７´を樹脂１６で上方から充填し、リード１１の下面を樹脂１６から露出させる。ダイシング工程において、リード１１の切断面が凹部１７´にくるようにして、リード１１の上面と切断面との間に切り欠き１７を形成する。この切り欠き１７には樹脂が充填されるためリードの脱落が防止される。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイリストを用いた描画処理を効率よく行うための技術を提供する。
【解決手段】複数の描画エンジンを備えた描画処理装置（１００）において、ディスプレイリストの作成指示に応じて描画に関するコマンド群をリスト化することでディスプレイリストを作成可能なディスプレイリスト作成モジュール（３０）を設ける。そして、上記ディスプレイリストの実行により、描画処理に使用される描画エンジンを判定し、上記複数の描画エンジンの中から対応する描画エンジンを起動可能なディスプレイリスト実行モジュール（４０）を設ける。それにより、複数の描画エンジンが混在する装置にディスプレイリスト型のハードウェアを適用した場合でも、ディスプレイリストを用いた描画処理を効率よく行えるようにする。 （もっと読む）