説明

株式会社ルネサステクノロジにより出願された特許

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【課題】アナログフロントエンドでの消費電力を小さくすることにより、アナログフロントエンドからの発熱量を低減し、撮像装置の信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】第1レベルシフタ用半導体チップLSCHP1と、第2レベルシフタ用半導体チップLSCHP2は、AFE用半導体チップAFECHPの対向する辺に偏って配置されている。そして、例えば、レベルシフタ用第1パッドLPD1と電極端子LET1とを接続するワイヤLW1が第1長辺LSD1および第1辺SD1をまたぐように形成するだけでなく、レベルシフタ用第2パッドLPD2と電極端子LET2とを接続するワイヤLW2も第1長辺LSD1および第1辺SD1をまたぐように形成する。 (もっと読む)


【課題】金属シリサイド層と窒化シリコン膜の界面に自然酸化膜が残存していると、窒化シリコン膜の成膜後の種々の加熱工程(例えば種々の絶縁膜や導体膜の成膜工程のように半導体基板の加熱を伴う工程)において、金属シリサイド層表面にある自然酸化膜の酸素に起因して、金属シリサイド層が部分的に異常成長してしまう。
【解決手段】本願発明においては、集積回路を構成する電界効果トランジスタのソース・ドレイン上のニッケル・シリサイド等の金属シリサイド膜の上面に対して、不活性ガスを主要な成分とするガス雰囲気中において、実質的にノン・バイアス(低バイアスを含む)のプラズマ処理を施した後、コンタクト・プロセスのエッチング・ストップ膜となる窒化シリコン膜を成膜することにより、金属シリサイド膜の不所望な削れを生じることなく、金属シリサイド膜の上面の自然酸化膜を除去することができる。
を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】チャージポンプの基数を変更しなくてもメモリセルに十分な電流量を供給することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】外部電源電圧判定回路2は、外部電源の電圧値を判定する。制御回路1は、外部電源電圧判定回路2によって判定された外部電源の電圧値がしきい値以下の場合に、チャージポンプ31による充電時間を変更してメモリセルに対するオペレーションを制御する。したがって、チャージポンプの基数を変更しなくてもメモリセルに十分な電流量を供給することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】比例制御型の電流制御を用いることにより、初期値設定誤差による誤差電流出力を最小にし、昇降圧コンバータにおける軽負荷時の効率を向上させる。
【解決手段】昇降圧DC−DCコンバータの間欠モードにおいて、目標指令値を、基準電圧Vref0から電圧ΔVrefだけ高い値に設定してステップ応答させる。そして、出力電圧Voの上昇過程において、出力電圧Voが任意のしきい値電圧まで到達したら、制御ロジック部30は、トランジスタ38〜41をすべてOFFして出力をハイインピーダンスにする。ハイインピーダンス中、負荷電流によって出力電圧Voが低下し、基準電圧Vref0に到達したら再度、トランジスタ38〜41の駆動制御を行う。これを繰り返し、出力電圧Voを一定値に制御する。 (もっと読む)


【課題】入力信号に高周波成分が含まれていても、安定した検出が可能なスケルチ回路を提供する。
【解決手段】閾値生成器7は、閾値信号を出力する。ミキサ回路5は、少なくとも入力信号が変化するタイミングで変化する信号で閾値信号を変調する。比較器6は、入力信号と変調された閾値信号とを比較して、入力信号が送信側から伝送された有効な信号であるか、あるいはノイズであるかを表わすスケルチ信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】PIDの影響を遮断することのできるレイアウト手法を用いてアンテナダイオードを配置することにより、PIDに起因する電界効果トランジスタの特性劣化を防止して、信頼度の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】第1アンテナダイオードAD1とnMISのゲート電極16とを第1層目の配線M1を介して電気的に接続し、第2アンテナダイオードAD2と他の半導体素子とを第1層目の配線M1から第4層目の配線(アナログブロック内の最上層配線から1層下の配線)M4を介して電気的に接続する。さらに第1アンテナダイオードAD1と電気的に繋がる第4層目の配線M4と第2アンテナダイオードAD2と電気的に繋がる第4層目の配線M4とをアナログブロック内の最上層配線である第5層目の配線25によって結線する。 (もっと読む)


【課題】磁気シールド材と半導体チップとの各材料の線膨張係数の差に基づく反りを小さく抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームLFのダイパッドDP上に磁気シールド材PM1が配置されている。半導体チップCHは、MRAMデバイスを有し、かつ磁気シールド材PM1上に配置されている。接着材AD2は、磁気シールド材PM1と半導体チップCHとを接着するために磁気シールド材PM1と半導体チップCHとの間に位置し、かつDAFのような熱可塑性樹脂を含む材質よりなっている。 (もっと読む)


【課題】可変論理機能を実現するための記憶回路を論理回路と等価な回路として扱うことができ、可変論理に対する機能設定の負担を部分的に軽減する。
【解決手段】可変論理機能を実現するために記憶回路と制御回路を有する機能再構成セルを複数個備え、真理値データを格納する記憶回路の読み出しアドレスを機能再構成セルそれ自体で自律的に制御する。前記制御回路は記憶回路のデータフィールド及び制御フィールドから同期的に読み出された情報を帰還入力し、制御フィールドからの帰還入力情報に基づいて、データフィールドからの帰還入力情報又は別の情報をデータフィールド及び制御フィールドを次に同期的に読み出し制御するためのアドレス情報とする。更に演算回路を備え、演算回路は、記憶回路の前記データフィールドから出力される演算制御データをデコードして演算を行う。 (もっと読む)


【課題】アクセスデータレートが1Gbpsを超えるような高速メモリアクセスに必要なクロック同期のタイミングマージンを充足し易くする技術を提供する。
【解決手段】メモリ制御用チップ(2)がメモリに向けて出力するクロック信号の負荷とデータストローブ信号の負荷を同等とし、同じくクロック信号の負荷とチップセレクト信号のような他のアクセスストローブ信号の負荷を同等するように、チップのパッド配置、チップのパッドとパッケージの外部接続用ランドとの配線形態等を決定する。アクセスストローブ信号用のパッド(CTRL0、CTRL1)はコマンド・アドレス信号用のパッド(CMD・ADR)よりもクロック信号用のパッドの近くに配置して、クロック信号の負荷とアクセスストローブ信号の負荷を同等にし易いようにする。また、クロック信号用パッド及びアクセスストローブ信号用パッドの夫々は同一信号機能毎に複数個設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の絶縁膜の上に形成される金属配線または金属電極の接着力を向上させる。
【解決手段】窒化タングステン6bをタングステン6cの側面にまで設けて、タングステン6cと窒化タングステン6bとが接触している面積を増やす。ゲート絶縁膜2上に、ゲート絶縁膜2との接着力が強いポリシリコンサイドウォール5を配置する。タングステン6cの側面にある窒化タングステン6bにはポリシリコンサイドウォール5を密着させる。 (もっと読む)


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